【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
ＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａ
Ａｓウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるＧａＡｓ単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に２×１０^１４ｃｍ^−３以上となるように、原料中に硫黄を添加する
。 （もっと読む）

【課題】高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいｐ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン単結晶１の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、ｎ型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｐ型不純物であって、第１の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液７が準備される。シリコン融液７からチョクラルスキー法により、比抵抗が６Ωｃｍ以上であるシリコン単結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】比抵抗のばらつきが小さいｎ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのリンと、ｐ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｎ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される工程Ｓ１、シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶が成長される工程Ｓ２、および、直胴部を所定の長さまで成長させた後、ルツボを降下させることによってシリコン融液からシリコン単結晶を切断する工程Ｓ３からなる。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープシリコン単結晶の引き上げ時の有転位化を効果的に抑制して、歩留まりを向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１４００℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、少なくとも固化率が２０％までは、Ｇの値が１．０〜３．５［℃／ｍｍ］で、かつ、前記シリコン単結晶の成長中の固液界面の径方向面内中心部のＳｒｃｓ値（ｖｏｎ Ｍｉｓｅｓ相当応力［Ｐａ］を、結晶温度１４００℃におけるＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｓｈｅａｒ Ｓｔｒｅｓｓ）［Ｐａ］で割った値）が０．９以下になるようにシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶インゴット中における抵抗率のばらつきが小さく、Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化を防ぐことができる高品質なシリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてボロン（Ｂ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とを有し、ボロンの濃度が２×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲であり、同時に添加するゲルマニウムの濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲である。Ｂを単独で添加した結晶と比較してＢとＧｅとを添加した結晶においてはＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃｔ）の密度が低下する。 （もっと読む）

【課題】炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によりルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、ルツボ内でシリコン原料を溶融して原料融液とするとともに、ルツボ内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、原料融液から炭素ドープさせたシリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程とを含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。結晶中心部の冷却速度に対する結晶エッジ部の冷却速度の比を１．４以上２．０以下にすることにより、生産性を維持しつつ引上中心軸と垂直な断面における比抵抗変化率を３％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するシリコンウェーハを高い生産性を以て製造する方法を提供する。
【解決手段】設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットをチョクラルスキー法により成長させ、該シリコンインゴットをスライスして前記設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率のウェーハ厚み方向のプロファイルを、複数のシリコンインゴット酸素濃度において予め求めておき、前記プロファイルにおいて、熱処理後抵抗率がピークとなる深さまでのウェーハ表面からの厚みが、デバイスのチップ形成領域より厚いプロファイルを有する、酸素濃度となる条件にてシリコンインゴットの成長を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するとともに、ウェーハの機械的強度及びゲッタリング能力が高い高抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットを成長させ、該シリコンインゴットをスライスして設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の当該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率と当該シリコンウェーハが切り出されたシリコンインゴットの酸素濃度との相関を予め求めておき、シリコンインゴットの成長を、該インゴットの設定抵抗率に対する相関において、導電型が逆転する酸素濃度未満となる条件にて行う。 （もっと読む）