【課題】 結晶欠陥であるセクタ境界面の影響を低減する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸６の軸中心が、炉５の軸中心およびるつぼ１の軸中心からずれている。原料溶液の液面の最低温度点を、炉５の軸中心および引き上げ軸６の軸中心からずらしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 種子付け過程と肩拡げ成長過程とにおいて、良好な結晶品質の成長結晶を得る。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸１１の内部にガスを還流させて、種子結晶７を通じて、結晶成長で発生する生成熱を脱熱するように構成されている。種子結晶７と原料溶液８との接触部分の局所的冷却により、種子付け後の引き上げ開始時に、高い過飽和状態を局所的に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の成長方法において、多結晶ＳｉＣの生成抑制と種結晶上への高品質のＳｉＣ単結晶の成長促進とを両立させる。
【解決手段】 ＳｉとＣと場合によりさらにＴｉまたはＭｎを含み、ＳｉＣが溶解している坩堝２内の融液１に、昇降可能なシード軸３に保持されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶４を浸漬し、この種結晶上にＳｉＣ単結晶層を成長させる際に、坩堝内の融液上の自由空間に断熱性構造物20を配置して、融液自由表面の面内温度差が40℃以下となるようにする。シード軸の少なくとも一部の側面を断熱するか、および／またはシード軸の少なくとも一部を強制冷却して、シード軸からの抜熱を強化すると、結晶成長速度はさらに増大する。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】回転する坩堝内でＳｉまたはＳｉ合金融液中にＳｉＣが溶解した溶液にシード軸に固定されたＳｉＣの種結晶を浸漬し、少なくとも前記種結晶周辺における溶液の過冷却によりＳｉＣを過飽和状態とすることによって前記ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶層を成長させる溶液成長法による炭化珪素単結晶の製造において、径が１インチ以上で厚みが５ミクロン以上と大型になっても、インクルージョンのない良質の単結晶を高い結晶成長速度で製造する。
【解決手段】坩堝の回転を、所定回転数への加速および保持と低速回転または０回転への減速とを繰り返す坩堝加速回転を適用しながら単結晶を成長させる。坩堝の回転方向も各加速ごとに反転させてもよい。さらに、シード軸も、坩堝回転方向と同一または反対方向に、坩堝回転と同期させて回転させてもよい。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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