【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に種結晶に加わる応力を緩和すると共に、種結晶、成長結晶、及びルツボの破損を防止して、低欠陥密度の半導体単結晶を再現性よく製造することのできる半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置を提供する。
【解決手段】半導体融液３２を収容したルツボ２０内の半導体融液３２の表面に、ルツボ２０又はルツボ２０に設置される支持部材により支持されている種結晶３０を接触させた状態で半導体融液３２の温度を降下させて、種結晶３０の側からルツボ２０の他端、すなわち、ルツボ２０の開口部と反対側のルツボ２０の底部に向けて半導体融液３２を徐々に固化させ、化合物半導体結晶を成長させる。このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶内にある小傾角粒界を低減し、気泡を低減させたサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶の育成軸をＣ軸（[０００１]の向き）から０．１〜１５度の範囲内で傾けて単結晶サファイアを育成するサファイア単結晶の製造方法。ここで、サファイア単結晶は、引上げ法又はキロプロス法により製造され、傾ける向きは、ａ軸の向き、ｍ軸の向き、又はａ軸の向きとｍ軸の向きを合成した向きのいずれでもよい。 （もっと読む）

【課題】光散乱源の除去が可能であり、且つ、紫外線照射による新たな蛍光を発生しない、レーザー素子として有用であるセシウムホウ酸化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】内部に光散乱源を有する原料結晶、ならびに、雰囲気中にＣｓ成分を供給するＣｓ供給源を準備し、Ｃｓ成分を含む雰囲気下、原料結晶を加熱することによって、セシウムホウ酸化合物結晶を製造する。Ｃｓ供給源は、Ｃｓ成分を含み、そのＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）が、原料結晶を育成するための原料組成物におけるＣｓ成分の割合（ｍｏｌ％）よりも大きく設定し、加熱処理工程における加熱温度は、Ｃｓ供給源からＣｓが蒸発する温度であり、且つ、セシウムホウ酸化合物結晶に重量減少が発生する温度未満とする。 （もっと読む）

【課題】青色、白色ＬＥＤや各種電子デバイスなどに好適なサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】適度な温度勾配を有する単結晶育成装置１内部に設置した容器３内で原料（酸化アルミニウム）を溶融させ、酸化アルミニウム融液４の液面にサファイアの種結晶５を接触させ、その後種結晶５を周速０〜１２ｍｍ／ｓｅｃの速度で回転させ、種結晶５の引き上げ距離ｄは育成初期の酸化アルミニウム融液４の液面高ｈ１の０〜２０％未満とし、種結晶５を酸化アルミニウム融液４に接触させた後、炉２の温度を０．２〜２°Ｃ／ｈｒで降下させながら育成し、溶融した酸化アルミニウムを固化させて、大型で高品質なサファイア単結晶Ｓを得る。 （もっと読む）

【課題】溶液法による単結晶の製造において、結晶欠陥のより少ない単結晶を製造するための単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液２が収容される坩堝１と、下端に種結晶４が保持されたシード軸３と、絶縁膜６で被覆された第１電極５と、第２電極７とを備え、種結晶４と第１電極５の下端面が揃えられ、原料融液２の液面に対して上方からシード軸３と第１電極５を一体的に下降させ、絶縁膜６が原料融液２の液面に接触して溶融したときに、第１電極５と第２電極７の間に原料融液２を介して流れる電流を検出することにより種結晶４と原料融液２の接触界面の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートが速く、電気機械結合係数が大きいニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物を含有しＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物の合計含有量が、０．１ｍｏｌ％以上で、３．０ｍｏｌ％以下のニオブ酸リチウム単結晶を製造し、該単結晶を温度５０℃以上のフッ酸、硝酸及びそれらの混合液と水とを混合した溶液中に浸し、溶液を攪拌させながらウェットエッチングをおこなう。 （もっと読む）

【課題】育成結晶形状の制御と結晶品質の向上が可能なニオブ酸カリウム単結晶の成長方法および製造装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱方式である結晶製造装置を用い、TSSG法により融液からニオブ酸カリウム単結晶を成長する方法において、るつぼ底に抵抗加熱ヒーター４を設置して、るつぼ底部の融液温度を融液表面および融液内るつぼ側部の温度以上であり、かつ融液表面中心と該表面中心下2cmの平均温度勾配が3.0〜20℃/cmの任意の温度勾配となるように制御した条件下で、二重管冷却構造を有する引き上げ軸６により種結晶１１を冷却しながら、ニオブ酸カリウム単結晶１２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造方法において炭化ケイ素多結晶の生成を抑制する、炭化ケイ素単結晶製造設備を提供する。
【解決手段】ケイ素及び炭素を含有する溶液を保持するるつぼ２、るつぼを加熱する加熱装置３及び種結晶５を保持する種結晶保持部６を有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備１０であって、るつぼの内側面のうちの、少なくとも炭化ケイ素単結晶の製造の間に溶液の液面と接触する部分２ａが、２．０μｍ以下の面粗度Ｒａを有する、溶液法による炭化ケイ素単結晶の製造のための製造設備１０とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の４Ｈ−炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉとＣを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、
a)前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させた後に、この種結晶基板を前記融液表面から離して単結晶の成長を中断させる工程、及び
b)再び前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させる工程
からなるサイクルを少なくとも１回以上行うことを含み、前記種結晶が６Ｈ−炭化珪素単結晶又は１５Ｒ−炭化珪素単結晶であり、得られる単結晶が４Ｈ−炭化珪素単結晶であることを特徴とする。 （もっと読む）