【課題】成長温度において原料成分のＡｌが容器外へ漏洩し難いタンタル製の成長容器とこの容器が適用された昇華成長法による窒化アルミニウム結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】容器内の高温部側に充填された原料23を昇華させ、容器内の低温部側に析出させて窒化アルミニウム結晶を成長させる昇華成長法に用いられる成長容器20であって、一端側が開放されていると共に原料が充填されるタンタル製の容器本体（坩堝）22と、容器本体の開放部を覆うタンタル製の蓋体21とで構成され、容器本体の開放縁部と蓋体との接触面24がそれぞれタンタルで構成され、容器本体とこの開放部を覆う蓋体とで形成される空間の内壁表面25が炭化タンタルで構成されていることを特徴とする。また、昇華成長法による窒化アルミニウム結晶の成長方法は上記成長容器20が適用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶の成長速度の向上を図った窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料を収納する原料容器とサセプタとを備える成長容器と、該成長容器の内部空間の圧力を調整するためのガス導入部およびガス排出部と、を少なくとも備えた窒化物単結晶の製造装置を用い、昇華法によりサセプタ上に配置された種子基板上に窒化物単結晶を堆積させる窒化物単結晶の製造方法において、１００μｍ／ｈ以下の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第１段階と、成長容器の内部空間の圧力を減少させた状態で、１００μｍ／ｈ以上の成長速度で窒化物単結晶を成長させる第２段階とを有したこと。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型の炭化珪素単結晶を種結晶から成長させる場合、通常、種結晶の（０００−１）カーボン面に炭化珪素を成長するが、この場合、種結晶の接着面は（０００−１）カーボン面の反対側の（０００１）シリコン面となり、カーボン接着剤を用いて種結晶と支持部材との密着性を接着面全面にわたり均一に高めることが難しい。
【解決手段】炭化珪素種結晶の（０００１）シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と蓋体との接着不良を防止することにより、マクロ欠陥が抑制される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶６０の所定の面に、算術平均粗さＲａが０．０５〜１．０となるように粗面加工処理を施して加工処理面６３を形成する加工工程と、前記加工処理面６３に後処理を施して後処理面を形成する後処理工程と、前記後処理面に接着剤７１を塗布する塗布工程と、接着剤７１を塗布した塗布面を前記蓋体１２に当接させた状態で加熱することにより、前記接着剤７１を硬化させて種結晶６０を蓋体１２に固定させる固定化工程と、を含んでなる炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な結晶を成長させる歩留まりを向上するとともに、成長させる結晶の厚みのばらつきを抑制する、結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１００ａは、チャンバ１０１と、複数の回転部１０３ａ、１０３ｄと、るつぼとを備えている。複数の回転部１０３ａ、１０３ｄは、チャンバ内に配置されている。るつぼは、各々の回転部１０３ａ、１０３ｄ上に配置されている。結晶成長方法は、まず、各々のるつぼの内部に１枚の種基板が配置される。そして、各々のるつぼを回転させながら、昇華法により種基板上に結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも単結晶成長用原料の温度制御が容易となり、単結晶の品質が向上し、単結晶の中心部分を大きく成長させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝２の内部に、単結晶成長用原料５と単結晶成長用種結晶７とを互いに対向する位置に収納可能な容器部材３と、容器部材３の内部に単結晶成長用原料５の昇華ガスを単結晶成長用種結晶７に導き、単結晶をその表面上で成長させる、複数のガイド部材８を互いに間隔を置いて設けた単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）

【課題】多結晶領域の混在しない高品質単結晶炭化珪素を安定してエピタキシャルに成長させる単結晶炭化珪素製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶炭化珪素を提供する。
【解決手段】高温加熱保持することができる坩堝３２内に炭化珪素単結晶を成長させるための炭化珪素種結晶３４及び単結晶炭化珪素製造用原料を供給するための原料供給管３６を配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした該坩堝３２内に該単結晶炭化珪素製造用原料を不活性ガスと共に該原料供給管３６を通して該炭化珪素種結晶上に供給して単結晶炭化珪素４０を成長させる成長工程を含み、該成長工程において、該単結晶炭化珪素製造用原料として炭素粒子、二酸化珪素粒子及び珪素粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】同じ条件で炭化珪素単結晶を成長させても、炭化珪素単結晶の成長速度に大きなバラツキを生じさせない単結晶を提供する。
【解決手段】坩堝内に収容された単結晶成長用の原料を加熱して昇華させて種結晶上に供給し、単結晶を成長させる単結晶成長装置において、前記坩堝の前記原料に対向する位置に配置された前記種結晶を支持する円柱状の種結晶支持部５と、前記原料と前記種結晶支持部５との間に先細の中空ガスガイド部９を設け、前記ガスガイド部の前記種結晶側端の開口部は、その反対端の開口部より小さく、且つ前記種結晶支持部を包むように配置された中空円筒部を有する単結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】改良レーリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する際、単結晶成長後の清掃が容易であり、堆積物が反応容器上に落下することを防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素からなる原料を加熱して気化させ、該気化した原料を種結晶の表面に再結晶化させることにより炭化ケイ素単結晶を成長させる装置であって、炭化ケイ素からなる原料を収容するとともに種結晶を固定する反応容器１２と、反応容器を加熱し、該容器に収容された原料を気化させるための加熱手段１８と、反応容器を収容し、炭化ケイ素単結晶を成長させる際に反応容器から漏れた原料ガスを排出するための排気管２２を有する外側容器２０と、外側容器の内側において反応容器と排気管との間で着脱可能に配置され、反応容器から漏れた原料ガスを固化して捕集するための部材２４と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置１０。 （もっと読む）