【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径｛0001｝面ウェハを、再現性良く低コストで製造し得るためのSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶１２を成長させる際に、成長する炭化珪素単結晶１２の電子濃度を１×１０^１９ｃｍ^−３以上６×１０^２０ｃｍ^−３以下と高くした状態で単結晶１２の一部もしくは全部を成長させることにより、炭化珪素単結晶１２の転位欠陥を低減させ、高品質で大口径な炭化珪素単結晶インゴット１２を得る。 （もっと読む）

【課題】圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】圧電体が、
Ｐｂ（Ｚｒ_xＴｉ_1-x）Ｏ₃ （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比 Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ） が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内で窒化アルミニウムの原料粉末９を加熱して昇華させ、種結晶７上で窒化アルミニウムを成長させるに当たり、前記窒化アルミニウムの原料粉末９に、平均粒径１０μｍ以上のもの又は比表面積０．０２ｍ^２／ｇ以下のものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 高品質で大型の炭化ケイ素単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】
反応容器内の第一端部に昇華用原料を収容し、上記反応容器内の昇華用原料に略対向する第二端部に設けられたステージ上に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華させた昇華用原料を上記種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、上記ステージの昇華用原料側の径は、第二端部側の径よりも小さいことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 不純物の混入を抑制し、結晶性に優れるIII族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 まず、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液を準備する。次に、前記融液中において生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を安定性よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】 炭化珪素基板上に形成された薄膜結晶を種として成長させるようにした。好ましくは、薄膜結晶が単結晶エピタキシャル成長層であると良い。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥、螺旋転位、刃状転位、及び積層欠陥をほとんど含まず、高品質のＳｉＣ単結晶並びにＳｉＣ種結晶を提供すること。
【解決手段】第１成長工程においては、｛１−１００｝面からオフセット角度±２０°以下の面、または｛１１−２０｝面からオフセット角度±２０°以下の面を第１成長面として第１成長結晶を作製し、中間成長工程においては、第（ｎ−１）成長面より４５〜９０°傾き、且つ｛０００１｝面より６０〜９０°傾いた面を第ｎ成長面として第ｎ成長結晶を作製し、最終成長工程においては、第（Ｎ−１）成長結晶の｛０００１｝面よりオフセット角度±２０°以下の面を最終成長面３５として、上記最終成長面３５上に螺旋転位及び刃状転位が低減されたバルク状のＳｉＣ単結晶３０を成長させる。 （もっと読む）

【構成】シリコン乃至ゲルマニウム単結晶の基板４上に、所定の原料ガスを供給して単結晶膜９、10を結晶成長する際に、予めビスマス吸着層８を形成したのち、その表面に所定の原料ガス供給して上記ビスマス吸着層８下で単結晶膜の結晶成長を行うようにした結晶成長方法。
【効果】ビスマス吸着層８によって、三次元島状成長或は表面偏析を抑制して結晶成長させるため、シリコン単結晶或はゲルマニウム単結晶の基板４の表面に、従来は困難であった低不純物濃度の原子層オーダーで平坦且つ急峻なヘテロ界面を有する結晶層を形成できる。 （もっと読む）