【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハＷの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置１であって、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１２を中央部に有して、この開口部１２を中心に同心円状に複数のリング板１６，１７，１８に分割された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、ＧａＣｌなどのIII族ハロゲン化物やＨＣｌと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の金属汚染レベル回復時間を低コストで大幅に短縮し、純度の高い高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを製造できる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバーと、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内にガスを導入するガス導入管と、前記チャンバー内に連通し、該チャンバー内からガスを排出するガス排出管と、前記チャンバー内に配置され、ウェーハを載置するサセプタとを具備し、前記サセプタに載置されたウェーハに前記ガス導入管から原料ガスを供給しながら気相成長させる気相成長装置であって、該気相成長装置を構成する部材のうち前記チャンバー内に金属の表面が露出された部材の該露出された金属の表面は、原料ガスから生成された副生成物からなる被覆膜で被覆されたものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】加熱容器内に落下するＳｉＣ多結晶の影響を抑制できるＳｉＣ単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】台座９に配置された種結晶５の下方から炭化珪素の原料ガス３を供給することにより、前記種結晶５の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置１において、前記原料ガス３の加熱を行う加熱容器８を構成する中空円筒状部材の内壁面に、内径が前記台座の寸法よりも小さな円環状の受皿８ｄを備えた炭化珪素単結晶の製造装置であって、前記受皿８ｄを備えることにより、台座９の周囲等に形成され、ＳｉＣ多結晶で構成されるスラグの加熱容器８底部への落下、および、邪魔板８ｂへのスラグの溶着を防止することができる。このため、前記スラグがパーティクルの発生原因とはならず、また、原料ガス３の流動も阻害されない。 （もっと読む）

【課題】例えばＧａＮ等の結晶を成長させる場合において、同時に複数の結晶を製造させ、結晶製造の生産性を向上させることが可能な結晶製造装置及び結晶製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で複数の基板２００を保持する基板保持台２１７と、処理室２０１内に所定のガスを供給するガス供給部と、処理室２０１内のガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持台２１７は、複数の支柱２１７ａと、支柱２１７ａの長手方向に複数設けられる基板保持棚２１７ｂと、複数の基板保持棚２１７ｂにそれぞれ立設される基板保持部支持体２１７ｃと、基板保持部支持体２１７ｃにそれぞれ設けられ、基板２００を保持する基板保持部２１７ｄと、を備える。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
（もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることがなく、転位や不純物の少ない高品質な単結晶体の成長を連続的に行うことができる単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】反応加熱室２ａ内に種基板３ａを配置し、反応加熱室２ａ内に腐食性ガスを原料ガス５ａ，５ｂとして導入するとともに、種基板３ａを含む領域を加熱して、種基板３ａ上に単結晶体３ｂを気相成長させる単結晶体の製造方法であって、反応加熱室２ａ内には、耐腐食処理を施した熱反射用金属板８ａ，８ｂが、反射面を、種基板３ａを含む領域に向けて配置されている。 （もっと読む）