説明

国際特許分類[C30B29/28]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 (5,187) | 無機化合物または組成物 (3,206) | 酸化物 (707) | 複合酸化物 (385) | 式A↓3Me↓5O↓1↓2を有するもの,ここでAは希土類金属またMeはFe,Ga,Sc,Cr,CoまたはAl,例.ガーネット (88)

国際特許分類[C30B29/28]に分類される特許

1 - 10 / 88


【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
(BiR)3−aM1Fe5−b−c−dAlPtM212
(R:ランタノイド金属及びYのうちから選択される一種または二種以上の元素、
M1:Ca及びSrから選択される一種または二種の元素、
M2:Ge及びSiから選択される一種または二種の元素、
0.01<a<0.1,0.15≦b+d≦0.6,0.01≦c≦0.04,a=c+d)
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 (もっと読む)


【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Biと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、RIG膜と略記する)が選択された場合、得られるRIG膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けRIG膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】RIG膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてRIG膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が200μm以上350μm以下、RIG膜の膜厚が100μm以上300μm以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をT(μm)、RIG膜の膜厚をt(μm)としたとき、上記要件に加えて、下記(数1)を満たすことを特徴とする。
-2T+700(μm) ≦ t ≦ -4T+1500(μm) (数1) (もっと読む)


【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)を主成分とする常磁性ガーネット結晶(組成式TbGa12)をチョクラルスキー法によって容易に製造できるTGG単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Cz法(回転引き上げ法)により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、TGGと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が1750℃以上、かつTGGとの格子定数差が±3%以下である結晶を用いることを特徴とするTGG単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Cz法によって結晶を引き上げる際に、融点及びTGGとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なTGG結晶が育成できる。 (もっと読む)


【課題】高い光透過率および高い発光量を有するシンチレータアレイを提供するとともに、当該シンチレータアレイを用いた検出感度の高い放射線検出器を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、放射線を吸収して発光する複数の柱状のシンチレータからなるシンチレータアレイと、前記シンチレータの発光を検知する受光器とを備える放射線検出器であって、前記複数の柱状のシンチレータは、その長手方向に前記放射線が入射するように、複数の行・列に二次元配列され、前記シンチレータは、Gd、Al、O、およびCe、ならびにGa、Sc、Y、YbおよびLuから選択される少なくとも1種を含むガーネット型シンチレータ結晶であり、前記シンチレータは、550nmの波長の光に対する吸光係数が0.005mm−1以下である、放射線検出器が提供される。 (もっと読む)


【課題】高品質で大型のTGG結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】GGG結晶又はSGGG結晶からなる基板上に、LPE法で育成したTGG結晶である。前記TGG結晶は、組成Tb3 x Ga5-x 12で表され、MがSc、Inから選ばれる少なくとも1種の3価元素であって、基板がGGGの場合には0.1≦x≦0.5を満たし、基板がSGGGの場合は0.9≦x≦1.65を満たしており、且つ前記基板と育成したTGG結晶の垂直方向の格子定数差を±0.02Å以下とする。必要なガーネット原料と、PbO及びB2 3 をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、850〜980℃でTGG結晶をLPE成長させる。融液中に、SiO2 、GeO2 、TiO2 から選ばれる1種以上の酸化物、あるいはCeO2 が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したTGG結晶を還元処理する。 (もっと読む)


【課題】ファイバーの側面に現れる上下ファセット1組に等しい大きさで反対向きの力を付与することが可能な、ファイバーの固定台を構成要素とするレーザー装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るファイバーの固定台(501)は、ファイバー(500)を設置するための溝(514)を備え、前記溝の形状は、長円を該長円の長軸で分割した形状であり、前記溝の深さは、前記ファイバーの断面に外接する正方形の1辺の長さを2で除した値から0μm〜20μmを引いた値であり、前記溝の幅は、該正方形の1辺の長さに0μm〜40μmを足した値であることを特徴とする。
また本発明では、ファイバー(500)の左右両脇且つ固定台(501)の上下のブロックの間に金属箔(505、506)を挟む。ファイバー(500)は、その長手方向に垂直な結晶軸が水平方向になるように、固定される。 (もっと読む)


【課題】結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を回転させながら引き上げる回転引き上げ法により酸化物単結晶を育成する酸化物単結晶の製造方法において、成長結晶の引き上げは、20rpm以下の初期回転速度(ω)で開始し、引き続き、成長結晶の結晶径を増大させ、結晶の界面反転を確認した後、回転速度(ω)を下記式(1)で示される範囲内に低下させて肩部を形成することを特徴とする酸化物単結晶の製造方法。ω×(L/L)>ω>ω×(L/L1/4・・・(1)(式中、ωは界面反転後の結晶の回転速度、ωは初期回転速度、Lは初期融液深さ、Lは育成中の融液深さである) (もっと読む)


【課題】挿入損失で0.6dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜(RIG)と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Gd3(ScGa)512で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Pr3-x-yGdxBiyFe512で示され、xとyが1.20≦x≦1.56、0.80≦y≦1.19であることを特徴とする。化学式Pr3-x-yGdxBiyFe512で示される本発明のRIGは、従来のRIGと比較して挿入損失で0.6dBを下回り、かつ、波長1μm程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 (もっと読む)


【課題】挿入損失で0.6dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜(RIG)と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Gd3(ScGa)512で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ce3-x-yGdxBiyFe512で示され、xとyが1.20≦x≦1.58、0.80≦y≦1.19であることを特徴とする。化学式Ce3-x-yGdxBiyFe512で示される本発明のRIGは、従来のRIGと比較して挿入損失で0.6dBを下回り、かつ、波長1μm程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 (もっと読む)


【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック11には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板12はプラズマトーチ8の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ8によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板12上に堆積する。 (もっと読む)


1 - 10 / 88