本発明は可動質量部(5)と固定部(2)により静電容量(3,4)の変化を利用して可動質量部(5)の変位を検出する加速度計に関する。可動質量部(5)に固設された一連のくし歯状の可動側電極(4)を備え、これらは固定部(2)に固設された一連のくし歯状の固定側電極と互いに入り込むように組み合わされている。各可動側電極(4)と各固定側電極(3)は可動質量部(5)の位置の関数として変化する可変静電容量を形成する。この加速度計は更に可動質量部の変位を表示するために可動質量部(5)と固定部(2)との間の少なくとも一カ所における静電容量の変化を検出する電子回路を備えている。本発明は可動質量部(5)及び／又は固定部(2)の各電極(3,4)のうちの少なくとも一つが幅広の基部と先端部で幅狭の輪郭をもつフィンガー形状を有することを特徴とする。更に反復的な復帰力は各電極の機械的共振周波数で実質的にゼロ出力領域をもつように設定可能である。
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本明細書にて提供されるトランスデューサは不釣合いのプルーフマス（５１）を備え、それは、互いに直交する少なくとも２方向の加速を感知するように構成されている。プルーフマス（５１）は、互いに対向する第１側部（６５）及び第２側部（６７）を備えており、それらは異なる重量をそれぞれ有している。
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本発明は、第１主要面および第２主要面とを有する、絶縁性材料からなる第１ウェハーを提供する工程と、第１ウェハーの第１主要面に２つ以上のキャビティをエッチングして形成する工程と、第１ウェハーの第１主要面上の金属層をパターニングして、第３加速度計用の電気接点を形成する工程と、半導体材料からなる第２ウェハーを提供する工程と、第２ウェハーの第１主要面の一部をエッチングする工程と、第２ウェハーのエッチングされた部分の少なくとも一部分が、第１ウェハー上の金属層の一部分の上に少なくとも重なるように第１ウェハーの第１主要面を第２ウェハーの第１主要面に接合する工程と、第２ウェハーの第２主要面上に金属層を堆積してパターニングする工程と、第１ウェハーの第１主要面にエッチングで形成されたキャビティの上に第１加速度計および第２加速度計が形成されるように第１加速度計、第２加速度計、および第３加速度計を画定するマスク層を第２ウェハーの第２主要面上に堆積してパターニングする工程と、第２ウェハーの第２主要面をエッチングして、第１加速度計および第２加速度計の各々が独立した２以上の梁の組を有するように加速度計を形成する工程と、第２ウェハーの第２主要面からマスク層を除去する工程とを有する三軸加速度計の製造方法に係る。
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マイクロマシンを包含するエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを組み立てる方法を提供する。該方法は、ダイの上にマイクロマシンを形成すること、該ダイが、頂部表面及び底部表面を有すること、ハウジングの表面に複数のダイボンディング・ペデスタルを設け、ダイの底部表面が遊離するゲッタリング材料からマイクロマシンのコンポーネントを少なくとも部分的に遮蔽するように、ダイの少なくとも１つの頂部表面及びマイクロマシンのコンポーネントをダイボンディング・ペデスタルに取り付けることを含む。

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【解決手段】１軸の加速度検知及び２軸の角速度検知を与える微細加工マルチセンサである。この微細加工マルチセンサを製造する方法は、犠牲材料又は構造材料の層を基板表面上に堆積する。犠牲又は構造材料の堆積層は、複数の水平及び垂直の空間を有する直線状グリッドを使用して形成された所定のマスクパターンでマスクされる。このマスクパターンは、センサ装置の機能部品を規定する。このマルチセンサが、少なくとも１つの機能部品を有し、その基板上のアラインメントがセンサの最適性能に対して重要である場合、その重要な部品は、その縦軸がマスクの水平又は垂直軸と実質的に平行になるように規定される。このマルチセンサが、少なくとも１つの機能部品を有し、その基板上のアラインメントが最適センサ性能に対して重要でない場合、その重要でない部品は、その縦軸がマスクの水平及び垂直軸と平行にならないように規定される。
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ダイ（１１０）とダイ用のハウジング（２０２）の間の接着強度を増やす方法が記述される。ダイの上にマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスが形成される。この方法は、接点材料の複数のクラスタ（２２０）をハウジングの底面（２４０）上に堆積させる工程と、ダイをクラスタ上に配置する工程と、ハウジング、クラスタ化接点（２２８）及びダイに熱圧着加工を施す工程と、を含む。

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【課題】物理量を電気信号に変換する変換部の電極と引出電極との電気的接続の信頼性を向上させることのできる物理量センサの実装構造を提案する。
【解決手段】物理量センサ３は、平板状に形成された台座１と、台座１の表面に結合されたセンサ本体２とを備える。台座１には内面が表面に対してなす角αと裏面に対してなす角βとをともに全周に亙って鈍角としたスルーホール１３が表裏に貫設されている。スルーホール１３の内面には、台座１の裏面に設けられた固定側引出電極１２と台座１の表面に設けられた固定電極１１とを電気的に接続する導電部１４が設けられている。台座１の裏面は、第１の導電パターン５２が設けられたセラミック基板５に導電性接着剤Ｂを用いて接着固定されている。ここにおいて、固定側引出電極１２は導電性接着剤Ｂを介してセラミック基板５の第１の導電パターン５２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 小規模な回路構成であるにも拘わらず、Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向といった３次元方向の正確な加速度を検出できる３軸加速度センサ及びそのＺ軸依存性の補正方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃx+及びＣx-の容量比に基づいてＸ軸方向の加速度を検出する第１スイッチトキャパシタ回路４１と、Ｙ軸方向に配置された一対の静電容量素子Ｃy+及びＣy-の容量比に基づいてＹ軸方向の加速度を検出する第２スイッチトキャパシタ回路４２と、Ｚ軸方向に配置された静電容量素子Ｃzと基準容量を有する静電容量素子Ｃrefの容量比に基づいてＺ軸方向の加速度を検出する第３スイッチトキャパシタ回路４３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 小型のセンサを量産する。
【解決手段】 シリコンからなる下層部１１０Ａと、ＳｉＯ_２からなる中層部１２０と、シリコンからなる上層部１３０との三層構造からなる第１の基板１００を用意する。下層部１１０Ａには、不純物がドープされており導電性を有する。下層部１１０の下面をエッチングして、ダイヤフラム部１１２と台座部１１１とを形成し、その下に、ガラスからなる第２の基板２００を接合する。第２の基板２００上の電極Ｅと、ダイヤフラム部１１２とにより容量素子が形成される。上層部１３０の上面側からダイシングブレードにより溝Ｇ１１〜Ｇ１７を切削した後、溝の底部を、下層部１１０Ａの上面が露出するまでエッチングにより掘り下げる。単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すと、ダイヤフラム部１１２の中央に重錘体１３１が位置し、周囲に台座１３２が形成された構造が得られる。容量素子に代えてピエゾ抵抗素子を用いてもよい。 （もっと読む）