【課題】電源回路における出力電圧の目標値が比較的高い場合であっても、回路面積および消費電流の大幅な増加を招くことなく電源回路の位相補償を行うことを可能にする。
【解決手段】誤差増幅器４は、出力電圧Ｖoutに応じた検出電圧Ｖdetおよび出力電圧Ｖoutの目標値対応した基準電圧Ｖrefに基づいて、出力電圧Ｖoutが目標値に一致するように主トランジスタＴ１の駆動をフィードバック制御する。レベルシフト回路９は、出力電圧Ｖoutを入力し、その出力電圧Ｖoutを直流的に接地電位側に所定レベルだけシフトしたシフト電圧ＶｓをノードＮ２から出力する。位相補償用のキャパシタＣ２は、レベルシフト回路９の出力端子であるノードＮ２と、誤差増幅器４の非反転入力端子との間の経路に介在する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が動作状態から待機状態に移行するとき、内部電源電圧の目標電圧からの上昇を抑制する。
【解決手段】非動作状態の負荷回路への電源電流の供給に用いられる電源回路１５において、トランジスタＰＴＲＳ１は、外部電源電圧を受ける電源ノードと出力ノード１８との間に接続される。比較器５０は、第１の入力端子および参照電圧が入力される第２の入力端子を有し、第１および第２の入力端子間の電圧差に応じた制御電圧をトランジスタＰＴＲＳ１の制御電極に出力する。分圧回路４０は、出力ノードの電圧を分圧した電圧を比較器５０の第１の入力端子に出力する回路であり、分圧比を変更可能である。電源回路１５は、負荷回路が動作状態のときに、分圧回路４０の分圧比を第１の分圧比から第１の分圧比よりも高い第２の分圧比に変更する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の急激な変動を生じさせることなく、出力トランジスタのバックゲートに供給する電圧を適切に制御できる定電圧回路を提供する。
【解決手段】出力電圧と基準電圧との差電圧を増幅する誤差増幅回路１１と、誤差増幅回路の出力に基づいて出力電圧を制御する出力トランジスタ１２とを有する定電圧回路にて、モニター用トランジスタ１４によって検出されたリーク電流に比例した電圧を発振回路１５Ａ及びチャージポンプ回路１６Ａにより発生させて出力トランジスタのバックゲートに供給するようにして、出力トランジスタのバックゲート電圧をリニアに変化させて制御し、出力電圧の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は，論理回路に電源電圧を供給するレギュレータを有する半導体集積回路において，C端子の数を削減する。
【解決手段】
半導体集積回路30は，第1，第2の出力端OTa，OTbと，外部容量C4に接続する外部接続端子CT4との間に設けられたスイッチ回路35を有し，
スイッチ回路35の一端は第1の出力端OTaに接続され，スイッチ回路35の他端は外部接続端子CT4および第2の出力端OTbに接続され，
スイッチ回路35は，第1のレギュレータA31が第1の電源電圧Vaを第1の論理回路A32に対して供給する期間はオンし，第1のレギュレータA31が第1の論理回路A32に対する電源電圧供給を停止する期間はオフする。 （もっと読む）

【課題】従来例に係るレギュレータ回路において、出力電圧を切り替える際に、出力が無負荷もしくは軽負荷である場合に、出力電圧が安定するまでに時間を大幅に短縮する。
【解決手段】出力電圧設定信号に対応した基準電圧を発生して出力する基準電圧回路と、前記基準電圧回路からの基準電圧と、入力される帰還電圧との誤差電圧を増幅して、増幅後の出力電圧を出力端子を介して出力する誤差増幅回路と、前記誤差増幅回路からの出力電圧を所定の帰還率で帰還電圧として出力する帰還回路とを備えたレギュレータ回路において、前記出力端子に接続され、前記出力電圧の切り替え時に発生される強制負荷イネーブル制御信号に応答して、前記出力端子から強制負荷電流を流す強制負荷回路をさらに備えた。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体集積回路のレギュレータ回路では、出力電圧の制御精度を十分に高めることができない問題があった。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、制御端子に与えられるインピーダンス制御信号で示される制御値ＰＬに応じて負荷電流Ｉｌｏａｄの大きさに対する出力電圧ＶＤＤＭの大きさを制御する複数の出力トランジスタＰＭと、出力電圧ＶＤＤＭの電圧値を示す出力電圧モニタ値ＶＭを出力する電圧モニタ回路１２と、出力電圧ＶＤＤＭの目標値を示す参照電圧Ｖｒｅｆと、出力電圧モニタ値ＶＭと、の間の誤差値の大きさに応じて制御値ＰＬの大きさを制御し、当該制御値ＰＬにより複数の出力トランジスタＰＭいずれを導通状態とするかを制御する制御回路１０と、を有し、制御回路１０が負荷電流Ｉｌｏａｄの変更を事前に通知する事前通知信号ＰＡＣＣに応じて、誤差値に対する制御値の変化ステップを一定期間の間大きくする。 （もっと読む）

【課題】内部電源が送られる外部端子を有するものでありながら、内部電源生成回路の過熱をより確実に抑えることが容易となる半導体装置を提供する。
【解決手段】供給される外部電源を用いて駆動する半導体装置であって、前記外部電源を用いて第１内部電源を生成する第１内部電源生成回路と、第１内部電源が送られる外部端子と、第１内部電源を用いて駆動する第１サーマルシャットダウン回路と、第１内部電源とは異なる電源を用いて駆動する第２サーマルシャットダウン回路と、を備え、第２サーマルシャットダウン回路は、過熱を検出したときに、第１内部電源生成回路の動作を停止させる半導体装置とする。 （もっと読む）