【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ３００へ出力する外部端子Ｔ１と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子Ｔ１から出力された基準電流に応じてテスタ３００により設定される外部端子Ｔ２と、テスタ３００により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部１４と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基準電圧発生回路を構成するエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴとデプレッション型ＭＯＳＦＥＴとの間の温度特性の差を小さくすることができ、基準電圧発生回路の出力電圧の温度特性を改善することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６上においてＲｅｆ回路領域８およびＣＭＯＳ領域７に跨るようにゲート絶縁膜６６を形成した後、ＣＭＯＳ領域７の部分を選択的に除去する。次に、熱酸化により、ゲート絶縁膜６６が除去されたＣＭＯＳ領域７に第１ゲート絶縁膜１２を形成し、同時に、Ｒｅｆ回路領域８に残っているゲート絶縁膜６６を厚くして第１ゲート絶縁膜１２よりも厚い第２ゲート絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動用のＭＯＳトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮ2が入力される入力端子１０４、入力電圧ＩＮ2に基づいてＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０１、２０３、入力電圧ＩＮ2に基づいて２ＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、ＭＯＳトランジスタ２０１、２０２に一端が接続され、他端がＭＯＳトランジスタ２０２、２０４に接続される容量素子２０６、ソース・ドレイン端子の一方に２ＶCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にＶCCが供給され、２ＶCCまたはＧＮＤがゲート端子に供給され、２ＶCCまたはＧＮＤによってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０５と、によって昇圧回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】高温時でもエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタが弱反転状態で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】カレントミラー回路と定電流生成ブロック回路とオフリーク回路を備えた定電流回路において、オフリーク回路は、ゲートとソースが接地端子に接続され、ドレインが定電流回路の出力に接続される第一のエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタで構成される。これにより、定電流を生成するエンハンスメント型Ｎチャネルトランジスタのゲート−ソース間電圧の上昇を抑えることで、弱反転状態での動作を保つ。 （もっと読む）

【課題】比較回路の基準値を調整するのに、抵抗成分の異なるＭＯＳのトランジスタを利用することにより、低コストの製造を可能とし、しかも、こうした基準値設定回路やこれを含む制御回路等のワンチップ化を可能にする。
【解決手段】 入力信号の電圧を基準値と比較する比較回路において、所定電圧間に、抵抗成分の合計値が共通する複数のＭＯＳトランジスタを直列接続した組を複数組並列に接続する。ＭＯＳトランジスタの各組において、各ＭＯＳトランジスタの抵抗成分の比率を変更することにより、各ＭＯＳトランジスタの組毎に異なる基準電圧を比較回路に出力する基準値設定回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】温度変化の影響を受けにくい過電流検出回路を提供する。
【解決手段】ダイオード列５５を設け、ダイオード列５５のアノード端をデプレッション型トランジスタＤＮＭ１のソース端子に接続するとともに、ダイオード列５５のカソード端とデプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板を基準電位に接続する。ダイオード列５５を構成する各ダイオードの順方向電圧をＶｆ、ダイオード列５５を構成するダイオードの数をｍ（ｍは１以上の整数）とすると、デプレッション型トランジスタＤＮＭ１の基板バイアス電圧Ｖｂは、Ｖｂ＝ｍ×Ｖｆとなる。ダイオードの順方向電圧Ｖｆは負の温度係数をもつから、基板バイアス電圧Ｖｂも負の温度係数をもつ。これにより閾値電圧に負の温度係数をもたせて、ドレイン電流Ｉ_Ｄの温度特性と相殺させる。 （もっと読む）

【課題】クランプ電圧を正確な値に設定できる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の電圧である電源を供給されて定電流を発生する定電流部６０と、定電流部６０で発生された定電流を供給されて第１の電圧より低い第２の電圧を発生し、第１の電圧の電源を第２の電圧にクランプするクランプ部７１と、クランプ部７１でクランプされた電源を供給されて基準電圧を発生する基準電圧発生部７２とを有し、クランプ部７１は、ゲートとドレインに接続され縦型接続された複数段のＭＯＳトランジスタＭ１１−１〜Ｍ１１−ｎである。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）