【課題】複数の不揮発性半導体メモリを基板上に効率良く配置することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、矩形状の基板１００と、基板１００上に設けられ、長辺と短辺からなる外形を有する複数の不揮発性半導体メモリ１０４と、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリ１０４の動作を制御するメモリコントローラ１０３と、複数の不揮発性半導体メモリ１０４のうち少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４は、長辺と短辺とが互いに隣接するように基板１００に実装され、少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４の一方の不揮発性半導体メモリ１０４の長辺に隣接した領域に、他の電子部品（１０１）又は固定用の貫通穴１００ｇを配置して構成される。 （もっと読む）

【課題】代替領域を用いずに故障に対処する。
【解決手段】フラッシュメモリ１００は記憶部１０および制御部２０から構成されている。各記憶ブロック１１はそれぞれデータ領域１２および管理領域１３からなっている。制御部２０は、記憶部１０の記憶ブロック１１へのアクセスを制御するものであり、故障があるブロックに対しては管理領域に故障の情報が付加され、これに基づいて、アクセス対象ブロックが次ブロックに代替される。また、書き込み、消去時に故障を検出して当該ブロックが次ブロックに代替される。 （もっと読む）

【課題】従来のデータ処理装置では、部分データの書き込み動作において動作速度を十分に高速化することができなかった。
【解決手段】本発明にかかるデータ処理装置は、所定のデータ幅のデータで入出力を行うメモリ２０と、リード命令又はライト命令を出力してメモリ２０に対してアクセスを行う演算回路１０と、演算回路１０からライト命令とそのライト命令に関連付けられた部分データとを受けた場合に、メモリ２０から読み出した第１のリードデータの一部を部分データに置き換えてメモリ２０に対するライトデータを出力するアクセス制御回路３０と、を有し、アクセス制御回路３０は、ライト命令がそのライト命令よりも前に出力されたリード命令に対応して出力されたものである場合は、第１のリードデータに代えて以前に出力された前記リード命令に応じてすでに取得されている第２のリードデータの一部を部分データに置き換えてライトデータを出力する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メモリ制御装置に関し、不揮発性メモリへのデータ書き込み中に生じる電源瞬断を、不揮発性メモリの記憶機能自体の異常や読み出し機能自体の異常と区別して判定することにある。
【解決手段】終了時、不揮発性メモリの有する複数のデータ記憶領域に同じデータをそれぞれ書き込むデータ書込手段を備えるメモリ制御装置において、データ書込手段による複数のデータ記憶領域への同じデータの書き込みが完了した場合、正常にデータの書き込みが行われた旨を示すフラグを不揮発性メモリの有するフラグ記憶領域に書き込む。また、起動時、フラグ記憶領域のフラグ状態に基づいて、前回終了時のデータ書込手段による複数のデータ記憶領域への同じデータの書き込み中に電源瞬断が生じたか否かを判別する。そして、前回終了時のデータ書き込み中に電源瞬断が生じたと判別された場合、複数のデータ記憶領域に書き込まれているデータを修復する。 （もっと読む）

【課題】複数の共有記憶装置の格納情報が非対称になることを効果的に防止することを目的とする。
【解決手段】第１の接続装置に第１の共有記憶装置との接続を解除させ、第２の接続装置に第２の共有記憶装置との接続を解除させ、第１の接続装置とは異なる交換された他の第１の接続装置に第１の共有記憶装置と接続させ第２の接続装置に第２の共有記憶装置と接続させる。 （もっと読む）

【課題】基板の比較的高温になる領域の温度を測定することができる多値型半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、基板１００と、基板１００上に設けられた複数の多値型の不揮発性半導体メモリ１０４と、複数の多値型の不揮発性半導体メモリ１０４のうち１つの不揮発性半導体メモリ１０４に隣接して設けられた温度センサ１０１と、基板１００に設けられ、ホスト装置と接続するためのコネクタ１０２と、基板１００に設けられ、ホスト装置からの要求及び温度センサ１０１により検出された温度に基づいて、不揮発性半導体メモリ１０４に格納されたデータのアクセスを制御するメモリコントローラ１０３とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】
メモリデバイスがその入力又は動作環境における変化に応答してそれ自身を適応させ又はトレーニングすることができるシステム及び方法。メモリデバイス、例えばＤＲＡＭは、組み込まれたプログラム可能要素をそのインタフェース内に含む。プログラム可能要素は、例えば限定はされないがマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又はマイクロシーケンサであってよい。プログラム可能要素は、メモリデバイスの環境における変化に応答して、メモリデバイスのインタフェースの動作に変化を生じさせるようにプログラムされる。 （もっと読む）

【課題】欠陥ブロックとして識別される、潜在的に使用可能なブロックが予備ブロックとして用いられることを可能にする。
【解決手段】本発明は、不揮発性メモリ１２４内で欠陥があるとして識別された少なくとも１つの物理ブロックに試験を受けさせる工程であって、該試験は、欠陥がある物理ブロックが使用可能であるか否かを判定するように構成される、工程と、欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格した場合を判定する工程と、欠陥があるとして識別された該物理ブロックが該試験に合格したことが判定された場合、欠陥があるとして識別された該物理ブロックを使用可能な物理ブロックとして識別する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】複数のページ間でパリティに使用するビット数を有効に割り振り、ビットエラー発生率が高いページに対して訂正能力の高い誤り訂正を行える半導体記憶装置及び不揮発性メモリを提供することである。
【解決手段】半導体記憶装置３００はメモリコントローラ１００と不揮発性メモリ２００を備える。不揮発性メモリは、複数のページで構成され、データとそのパリティが記憶される。メモリコントローラは、不揮発性メモリへのデータ書込み時は、ホスト機器から入力したデータにパリティを付加して不揮発性メモリに記憶し、データ読出し時は、不揮発性メモリからデータとそのパリティを読み出して誤り箇所を検出し、データ誤り訂正を行う機能を有する。メモリコントローラは、不揮発性メモリに記憶可能な複数のページのうちの所定数のページで使用可能な全てのパリティのビット数を、各ページのエラー発生率の大きさに応じて各ページ毎に割り振る。 （もっと読む）

【課題】限られた記憶容量の記憶部に記憶されるデータ容量を削減すると共に、前記記憶部に記憶されたデータを他の記憶部へ書き込む際の処理負担を軽減することのできる電子制御装置を提供する。
【解決手段】被制御部２を制御する電子制御装置１であって、バッテリ３から断続的に給電される一の揮発性記憶部１１と、バッテリ３から常時給電される他の揮発性記憶部１２と、給電の有無に関わらずデータを保持する不揮発性記憶部１３と、被制御部２に対する制御データ以外の他のデータを、当該他のデータを記憶する必要がある場合に、一の揮発性記憶部１１及び不揮発性記憶部１３に記憶し、他の揮発性記憶部１２の記憶状態に基づいて、不揮発性記憶部１３に記憶された他のデータを一の揮発性記憶部１１に書き込む制御部１４とを備えている。 （もっと読む）