【課題】メモリセルとしてバイト単位のアクセスが可能であり、求められるアクセスに対して最適な単位でＥＣＣ処理を行うことが可能な不揮発性メモリ、メモリコントローラ、不揮発性メモリのアクセス方法、およびプログラムを提供する。
【解決手段】ワード単位でアクセス可能で固定レイテンシでアクセス可能な第１アクセスモードと可変レイテンシでアクセス可能な第２アクセスモードによりアクセス可能な不揮発性メモリセルアレイを少なくとも含む不揮発性メモリセルデバイスと、第１アクセス経路に配置され、第１アクセスモード時にメモリセルアレイから出力されたデータに対してＥＣＣを適用した誤り検出処理および訂正処理を行う第１ＥＣＣ処理部と、第２アクセス経路に配置され、第２アクセスモード時にメモリセルアレイから出力されたデータに対してＥＣＣを適用した誤り検出処理および訂正処理を行う第２ＥＣＣ処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】記憶媒体へのデータ転送速度を改善する技術を提供する。
【解決手段】RAIDコントローラ２（記憶制御装置）は、複数のSSD制御ユニット４（記憶媒体制御ユニット）と、論理ドライブ制御部５（ユニット統括部）と、を備えている。SSD制御ユニット４は、サイズ記憶部６（データブロックサイズ記憶部）とデバイスアクセス処理部７（入出力実行部）、最適アクセス方法評価部８（データブロックサイズ設定部）を有している。最適アクセス方法評価部８は、異なる複数のデータブロックサイズにてSSD３に対して入出力を実行すると共にその際のデータ転送速度を計測し、その計測結果に基づいてサイズ記憶部６のデータブロックサイズを設定する。 （もっと読む）

【課題】 より安定して動作する携帯可能電子装置、ＩＣカード、及び携帯可能電子装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る携帯可能電子装置は、データを記憶する第１のメモリと、復元アドレスと復元データとを対応付けてメモリ保障データとして記憶する第２のメモリと、外部機器から送信された書込みコマンドを受信する受信部と、前記書込みコマンドからアドレス及び書込みデータを取得し、前記アドレスと、前記書込みデータのデータサイズと、に基づいて前記第１のメモリ上の領域を特定し、特定された前記領域のデータを復元データとして前記第２のメモリに記憶し、前記アドレスを復元アドレスとして前記第２のメモリに記憶する制御部と、特定された前記第１のメモリ上の領域に前記書込みデータを書込む書込み処理部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに格納されるデータの信頼性を確保するとともに、構成を簡略化することができるメモリコントローラを提供することを課題とする。
【解決手段】メモリコントローラ３は、読み出しコマンドを受け付けた場合、通常アクセス領域４１から格納データ５０を読み出し、格納データ５０のエラーを訂正する。格納データ５０のエラーがＥＣＣ回路３４のエラー訂正能力の範囲内である場合、メモリコントローラ３は、エラー訂正された格納データ５０に含まれる実体データを出力する。格納データ５０のエラーがエラー訂正能力を超えている場合、メモリコントローラ３は、格納データ５０のバックアップデータである格納データ７０を、バックアップ領域４２から読み出し、格納データ７０に含まれる実体データを出力する。ホストコントローラ３は、格納データ７０を用いて、通常アクセス領域４１に格納された格納データ５０を修復する。 （もっと読む）

【課題】誤り訂正チャネルを適用していながら、データ読み出しの並列度を向上できるようにする。
【解決手段】実施形態によれば、誤り訂正チャネル決定手段は、論理ブロックを構成する複数の論理ページがページ単位に複数のチャネルを介してメモリに書き込まれる際に、複数のチャネルのそれぞれに誤り訂正チャネルが割り当てられる論理ページの数が均等になるように、ページ単位に誤り訂正チャネルが割り当てられるチャネルを決定する。コマンドリスト生成手段は、誤り訂正チャネルが割り当てられるチャネルの決定に基づいて、複数のチャネルのうちの誤り訂正チャネルを除くチャネル群を介して、対応する論理ページを並列に書き込むためのライトコマンド群のリストを生成する。コマンドリスト投入手段は、ライトコマンド群のリストをメモリインタフェースに投入する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリに書き込まれたデータの信頼性を向上することができる技術を提供することを課題とする。
【解決手段】メモリカード７Ａは、コンテンツデータＡを記録するメモリ７１と、メモリコントローラ７２とを備える。メモリコントローラ７２は、メモリ７１のエラーブロックのアドレスを記録したエラー発生データ７５Ａを作成する。エラー発生データ７５Ａは、情報処理端末４を介して、集計サーバ１に送信される。集計サーバ１は、複数の情報処理端末から受信したエラー発生データ７５Ａを集計して、メモリ７１において検査対象となる検査領域を設定し、検査領域が記録された個別検査領域データ１６Ａを作成する。情報処理端末４は、個別検査領域データ１６Ａを集計サーバ１から取得して、メモリコントローラ７２に出力する。メモリコントローラ７２は、個別検査領域データ１６Ａに基づいて、メモリ７１で検査する領域を決定する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュＲＯＭに対し、効率的にデータを書込可能な技術を提供する。
【解決手段】電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭ１３への書込対象データを、１バイト単位のデータ（バイトデータ）に分割し（Ｓ１３０）、この書込対象データを構成するバイトデータの夫々を、順に処理対象データに選択する（Ｓ１４０）。そして、処理対象データと、フラッシュＲＯＭが記憶する当該処理対象データに対応するバイトデータとを比較し（Ｓ１５０）、処理対象データが、フラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものである場合には（Ｓ１５０でＹｅｓ）、これをフラッシュＲＯＭに追記する形式で書き込む（Ｓ１６０）。一方、処理対象データがフラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものでなければ（Ｓ１５０でＮｏ）、この処理対象データのフラッシュＲＯＭへの書込については行わないようにする。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。
【解決手段】電子制御装置は、フラッシュＲＯＭを備える。フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。そして、高頻度ブロックのデータ消去回数に基づき、データ消去回数が１００の倍数となる度、低頻度ブロックを、記憶ブロック一つ分ずらすようにして、高頻度ブロックと入れ替える。この動作によって、フラッシュＲＯＭ内の記憶ブロック群を再グループ化する。一般的に高頻度ブロックのデータ消去回数のほうが低頻度ブロックよりも多くなるが、再グループ化により記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきは抑えられる。 （もっと読む）

【課題】、実装メモリ容量が小さく回路規模の小さいメモリコントローラ３を提供する
【解決手段】メモリコントローラ３は、ＬＤＰＣ符号により符号化されたフレーム単位のデータを、単位行列からなるブロックと、単位行列の各行が順にシフトしている複数のブロックと、からなる検査行列をもとに、部分並列処理により復号を行い、メモリ部５から読み出したデータの閾値判定情報を記憶するバッファ２４と、閾値判定情報をＬＬＲに変換するＬＬＲ変換部１６と、ブロックのサイズ以下のイタレーション単位で、ＬＬＲをもとに、列処理および行処理を繰り返し行うイタレーション処理のときに算出される確率情報βを、記憶するＬＭＥＭ１２と、イタレーション単位のイタレーション処理が完了する度に、ＬＭＥＭ１２に記憶される確率情報βを、バッファ２４に転送するＣＰＵコア１０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】MBRとバックアップセクタデータを検証し、正常にリードできない又は不正であるときに、自動的に復旧し起動処理を実行する。
【解決手段】シャットダウンを検知した場合に、ＭＢＲとバックアップＭＢＲのリードを行い、ＭＢＲのデータとバックアップＭＢＲのデータとが同一でないときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするか、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーするかする。コンピュータの電源をオンした場合に、バックアップＭＢＲが正常にリードできない又は不正であるときにＭＢＲをバックアップＭＢＲにコピーする。 （もっと読む）