【課題】２つのマイコンを備えた電子制御装置にて、電源オフ要求の発生後に、各マイコンが不揮発性メモリへのデータ書き込みを確実に実施可能にする。
【解決手段】メインマイコン（以下、メイン）は、車両のＩＧスイッチのオフを検知すると、サブマイコン（以下、サブ）へ処理移行命令を出力する（Ａ）。サブは、処理移行命令を受け取るとシャットダウン処理に移行し、メインに移行完了通知を出力する（Ｂ）。そしてサブは、シャットダウン処理の中でサブ側のフラッシュメモリにデータを書き込む。一方メインは、上記移行完了通知を受け取ると、シャットダウン処理へ移行し（Ｃ）、そのシャットダウン処理の中でメイン側のフラッシュメモリにデータを書き込む。更に、サブは、シャットダウン処理が完了するとメインに処理完了通知を出力し（Ｄ）、メインは、自分側のシャットダウン処理が完了し且つ上記処理完了通知を受け取ると、電源遮断の処理を行う（Ｅ）。 （もっと読む）

【課題】記憶部に半導体メモリを利用する情報記憶装置において、情報の記憶に利用できない記憶領域の発生を抑制すること。
【解決手段】本実施形態にかかる情報記憶装置は、半導体メモリと、管理手段と、を具備して構成される。この半導体メモリは、情報を記憶するための記憶領域を有する。また、管理手段は、半導体メモリの記憶領域のうちリードエラーの発生する回数が２以上となった記憶領域を情報の記憶の利用から除外するように管理する。 （もっと読む）

【課題】よりセキュリティを向上しつつ、正常でないＢＩＯＳによる起動を抑止すること。
【解決手段】本発明にかかる情報処理装置９は、ＢＩＯＳ（Basic Input/Output System）９１０が予め格納されたＢＩＯＳ記憶部９１と、正常なＢＩＯＳ９１０のデータと予め任意の値に定められた付加データとを含む合成データの誤り検出符号９２０を予め格納する符号記憶部９２と、ＢＩＯＳ記憶部９１に格納されたＢＩＯＳ９１０を起動するときに、ＢＩＯＳ９１０のデータと付加データとを含む合成データの誤り検出符号を生成し、生成した誤り検出符号と符号記憶部９２に格納された誤り検出符号９２０とを比較して、それらの誤り検出符号が一致しなかった場合、ＢＩＯＳ９１０の起動を抑止する管理部９３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質なメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステム１は、データ保持可能な不揮発性の半導体記憶部２と、半導体記憶部２の温度を計測する温度計測部９a、９ｂと、半導体記憶部２の温度を変化させる温度可変部８と、ホスト機器１１から受信したデータを半導体記憶部２に転送する転送部、温度計測部９a、９ｂからの温度情報を記憶する温度記憶部、及び温度記憶部に記憶された温度情報に基づいて、温度可変部８を制御する温度制御部を具備する制御回路５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリを低電圧で制御して省電力制御を図ることおよびエラーの発生を防止することを改善できるメモリ電圧制御装置およびメモリ電圧制御方法を提供する。
【解決手段】メモリ電圧制御装置１０およびメモリ電圧制御方法は、デバイス１３，１４と、デバイス１３，１４の異常を検出する電気機器１１と、を備え、電気機器１１は、デバイス１３，１４の異常を検出した時に、デバイス１３，１４に対して動的または静的に駆動電圧を昇圧する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】情報処理装置に装着された状態のメモリモジュールを検査できるメモリモジュール検査システム、情報処理装置、及びメモリモジュールの検査に必要なデータを記憶する記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置２は、情報処理装置１で使用されるメモリモジュール４の正しい仕様を示す仕様データを仕様データ記憶部５で記憶している。情報処理装置１は、仕様データ記憶部５から仕様データを読み出し、メモリモジュール４のＳＰＤメモリ（不揮発性メモリ）４１に記憶している仕様データが正しいか否かを判定し、正しくない場合はＳＰＤメモリ４１の記憶内容を書き換える。また、記憶装置２のプログラム記憶部２５は、メモリモジュール４の検査に必要なプログラムを記憶しており、情報処理装置１は、プログラム記憶部２５からダウンロードしたプログラムに従ってメモリモジュール４の検査の処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】データの記録方式などが用途に応じて最適になるようにする。
【解決手段】記録媒体に記録されるデータの特性であって、当該データの保持期間を表す寿命値および当該データを読み出したときに発生すると想定されるエラーの割合を表すエラーレートを含む特性に基づいて、前記記録媒体により構成される論理デバイスの記録領域を複数生成するとともに、前記記録領域のそれぞれに適用される記録方式を決定する記録方式決定部と、前記決定された記録方式に基づいて、前記論理デバイスの記録領域のそれぞれを初期化する論理デバイス初期化部とを備える。 （もっと読む）

【課題】プログラムの誤動作の発生を抑制する。
【解決手段】動作制御部は、プログラムを実行するＣＰＵと、プログラムを格納するとともにプログラムの実行に伴って発生するデータを格納するメインメモリ５１２とを有している。メインメモリ５１２は、読み書き可能であって、電源を供給しなくても、記憶している情報を保持することが可能なＭＲＡＭ６１と、電源を供給しないと、記憶している情報を保持することができないＤＲＡＭ６２とを備えており、ＭＲＡＭ６１の一部領域にはプログラム等が格納されるＲＯＭ領域Ａ１が設けられ、ＭＲＡＭ６１の残りの領域およびＤＲＡＭ６２のすべての領域にはデータ等が格納されるＲＡＭ領域Ａ２が設けられる。ＣＰＵがリセットされると、ＲＯＭ領域Ａ１の記憶内容をそのままとする一方でＲＡＭ領域Ａ２の記憶内容を消去し、ＲＯＭ領域Ａ１から読み出したプログラムを実行する。 （もっと読む）

【課題】メモリセル３１が劣化した場合にも、誤り訂正回路２０の回路面積を増大させることなく誤り訂正を行うことができるメモリ装置２を提供する。
【解決手段】実施の形態のメモリ装置２は、メモリ部３０と、制御部１１と、補正部４１と、誤り検出訂正部４０とを具備する。メモリ部３０は、データを記憶する複数のメモリセル３１からなる。制御部１１は、電荷量に対応した閾値電圧を読み出すためにメモリセル３１にＨＢ読出電圧ＨＶと、補間読出電圧ＡＶと、を印加する制御を行う。補正部４１は読み出された、閾値電圧Ｖｔｈから決定されたビットデータを反転する。誤り検出訂正部４０は、補正部４１で反転されたビットデータを含めた所定長のデータ列を、硬判定復号符号により復号処理を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路が有する電圧調整回路の出力側の充電手段の充電電圧を規定時間内に下げる。
【解決手段】フラッシュメモリと該フラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラに動作電圧を供給する電源回路は、外部から供給される入力電圧によって充電される充電手段である入力充電手段と、入力電圧と入力充電手段の充電電圧のいずれか高い方の電圧を動作電圧に調整して出力する電圧調整手段と、動作電圧によって充電される充電手段である出力充電手段と、入力電圧と充電電圧のいずれか高い方の電圧が設定値より低くなったときに出力充電手段に充電されている電荷を放電させる放電手段とを備える。 （もっと読む）