【課題】セルフリフレッシュモード入り後初期期間に周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成することにより、リフレッシュフェイルを防止することが可能なセルフリフレッシュパルス生成回路を提供する。
【解決手段】セルフリフレッシュパルス生成回路は、セルフリフレッシュモード入り後初期期間の終了時点でレベルが遷移する制御信号を生成する制御信号生成部と、前記セルフリフレッシュモードにおいて、前記制御信号に応答して、周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成するセルフリフレッシュパルス生成部とを備える。 （もっと読む）

【課題】独立パーシャルアレイリフレッシュ機能を有する改善されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を提供する。
【解決手段】DRAMデバイスが、複数のメモリサブブロックを有する。各サブブロックは、複数のワード線を有し、これらのワード線に、複数のデータ記憶セルが接続される。パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)構成セッティングが、独立に作られる。PASRセッティングに従って、メモリサブブロックが、リフレッシュのためにアドレッシングされる。PASRセッティングは、メモリコントローラによって作られる。サブブロックアドレスのすべての種類の組合せを選択することができる。したがって、メモリサブブロックは、完全に独立にリフレッシュされる。データ保持に関するユーザ選択可能メモリアレイは、特に低消費電力モバイル応用の有効なメモリ制御プログラミングをもたらす。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュ（ＳＲ）モードにおける不要な電流消費を最小化できる半導体メモリ素子の駆動方法を提供する。
【解決方法】１）各行のリフレッシュタイム特性に対応する第１格納値を初期化し、２）第１格納値が設定された行のうちの第１行目に対して、各列のデータを第２格納値として格納し、３）リフレッシュ周期の設定のための検出動作を行い、その結果に応じて第１格納値を設定し、４）第２格納値を第１行に再格納し、５）残りの全ての行に対して第１格納値の設定が完了するまで、又は、ＳＲモードが終了するまで２）〜４）を繰り返し、６）ＳＲモードを脱出した後、ノーマルアクティブモードで書き込み動作を行う行に対応する第１格納値を「０」に設定し、７） ２）〜６）をＳＲモードの度に繰り返す工程を含み、第１格納値によって選択されたリフレッシュ周期によって残りの行に対するリフレッシュ動作の実行又は省略の可否を決定する。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥとセルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを交互に周期的に発行する。半導体装置１０は、セルフリフレッシュコマンドＳＲＥに同期してリフレッシュ動作を例えば１回だけ実行し、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸに応答してＤＬＬ回路２００の状態更新を実行する。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドや位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１を必要とするコマンドを短時間で発行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０がセルフリフレッシュモードにエントリしているか否かにかかわらず外部クロック信号ＣＫを連続的に発行する。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリしている期間に外部クロック信号ＣＫの入力バッファ回路７１とＤＬＬ回路２００を間欠的に活性化させる。これにより、セルフリフレッシュモード中においてもＤＬＬ回路２００の状態が間欠的に更新され、正しく位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１が得られる状態に保たれる。したがって、セルフリフレッシュモード中における入力バッファ回路７１の消費電力を削減しつつ、セルフリフレッシュモードからイグジットした後、位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１を必要とするコマンドを短期間で投入することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリすると、オシレータ１５０を用いてリフレッシュ動作を周期的に実行する。セルフリフレッシュモードにおいて１回のリフレッシュ動作に要する時間をオートリフレッシュの１／４に短縮するとともに、リフレッシュ動作の実行頻度を４倍とする。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドの投入が禁止される期間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードにエントリしている期間中においてもデータ端子のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、インピーダンス制御信号ＯＤＴを受信する入力バッファ回路７２をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ＩＣＬＫ０に同期してインピーダンス制御信号ＩＯＤＴ０をラッチするラッチ回路８４をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号ＣＫを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ＯＤＴの入力が可能となる。 （もっと読む）

【課題】メモリ装置のリフレッシュ方法、リフレッシュアドレス生成器及びメモリ装置を提供する。
【解決手段】リフレッシュレバレッジングを利用してメモリ装置をリフレッシュするように、リフレッシュアドレスがリフレッシュ周期で生成される。リフレッシュアドレスが第２アドレスの時、第２アドレスを有する第１ストロングセルの代わりに第１アドレスを有するウィークセルに対するリフレッシュが実行される。リフレッシュアドレスが第３アドレスの時、第１ストロングセルまたは、第３アドレスを有する第２ストロングセルのうち、いずれか１つに対するリフレッシュが実行される。メモリ容量が減少するように、第１、第２及び第３アドレスうち、ただ１つに対するアドレス情報が保存される。他の実施形態において、リフレッシュレバレッジングを実行するように、リフレッシュアドレスが少なくとも１つの所定のアドレスの時、フラグによってウィークセル、第１ストロングセルまたは、第２ストロングセルのうち、いずれか１つに対するリフレッシュが実行される。 （もっと読む）

【課題】互いに独立に動作する複数の記憶領域に対するリフレッシュ動作の起動タイミングが重ならないように制御可能な半導体装置及びシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、互いに独立に動作する複数の記憶領域と、これらの記憶領域の動作をそれぞれ独立に制御する複数の制御回路と、リフレッシュ起動制御回路４０とを備えている。リフレッシュ起動制御回路４０は、オシレータ信号Ｎ０を出力するオシレータ４１と、オシレータ信号Ｎ０に基づいて活性化タイミングが互いに異なる複数のリフレッシュ起動信号ＲＳを生成するリフレッシュ起動信号生成回路４２（２分周回路５０〜５２及びデコーダ５３）とを備え、リフレッシュ要求を受けた制御回路に対応する記憶領域が、対応するリフレッシュ起動信号ＲＳの各活性化タイミングに応答してリフレッシュされる。 （もっと読む）

【課題】 ページ動作機能を有する擬似ＳＲＡＭの誤動作を防止する。
【解決手段】 レイテンシ判定部は、チップイネーブル信号の活性化がリフレッシュ要求と競合するときにレイテンシ拡張信号を活性化する。データ制御部は、レイテンシ拡張信号の活性化中の読み出しレイテンシを、レイテンシ拡張信号の非活性化中に比べて増加する。データ制御部は、レイテンシ拡張信号の活性化中の読み出しレイテンシを、レイテンシ拡張信号の非活性化中の読み出しレイテンシに比べて増加し、レイテンシ拡張信号の活性化中における最初のアクセス要求に対応する読み出しレイテンシと後続のアクセス要求に対応する読み出しレイテンシとの差を、レイテンシ拡張信号の非活性化中における最初のアクセス要求に対応する読み出しレイテンシと後続のアクセス要求に対応する読み出しレイテンシとの差と等しく設定する。 （もっと読む）