【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】１つのビット線ＢＬ＿ｍに複数個のメモリブロックを接続させる。メモリブロックＭＢ＿ｎ＿ｍはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと書き込みスイッチと複数のメモリセルを有する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと隣接するサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＋１＿ｍは２つのインバータと２つの選択スイッチよりなる増幅回路ＡＭＰ＿ｎ／ｎ＋１＿ｍに接続し、増幅回路は選択スイッチによりその回路構成を変更できる。また、増幅回路は読み出しスイッチを介してビット線ＢＬ＿ｍに接続する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路ＡＭＰ＿ｎ／ｎ＋１＿ｍでエラーなく増幅でき、ビット線ＢＬ＿ｍに出力できる。 （もっと読む）

【課題】ダミーマットの占有面積を縮小する。
【解決手段】半導体装置は、ビット線３２と、ビット線に接続された複数のメモリセル３１と、ダミービット線５２と、ダミービット線にソース及びドレインの一方が接続された複数のダミーセルトランジスタ５１と、ビット線とダミービット線との間に接続されたセンスアンプ３３とを有し、複数のダミーセルトランジスタの各々のソース及びドレインの他方は、フローティング状態にされるか、又はダミービット線に接続されている。 （もっと読む）

【課題】オープンビット線方式における電源ノイズの影響を低減した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は，列方向に両側に延びる一対のビット線に接続するセンスアンプを列方向に直交する行方向に複数配置したセンスアンプ群が列方向に複数配置され，列方向に隣接するセンスアンプ群それぞれに接続される複数のビット線が互いに平行に配置され，列方向の両端に配置されたセンスアンプ群に接続された一対のビット線のうち列方向の両端側の複数のビット線にそれぞれ平行に配置された複数の未使用ビット線を有し，複数のワード線が行方向に配線され，複数のビット線及び複数の未使用ビット線と複数のワード線との交差位置にメモリセルが配置されたメモリセルアレイと，メモリセルアレイの列方向の一端に配置され，複数のセンスアンプ群に内部電源を内部電源線を介して供給する内部電源回路とを有し，未使用ビット線は内部電源配線に接続されている。 （もっと読む）

【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】１つのビット線ＢＬ＿ｍに複数個のメモリブロックを接続させる。第ｎ行のメモリブロックはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと複数のメモリセルを有する。メモリセルはトランジスタと容量素子を直列に接続し、容量素子の電極の一をサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍに接続する。さらに第ｎ行のメモリブロックは書き込みトランジスタＷＴｒ＿ｎ＿ｍと読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍを有し、また、読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍには相補型インバータ等の増幅回路ＡＭＰ＿ｎ＿ｍを接続する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの電位変動を増幅回路ＡＭＰ＿ｎ＿ｍで増幅する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路ＡＭＰ＿ｎ＿ｍでエラーなく増幅でき、ビット線ＢＬ＿ｍに出力できる。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのメモリモジュールの記憶容量を増加させる。また、消費電力の小さなメモリモジュールを提供する。
【解決手段】半導体装置は、ビット線と、二以上のワード線と、トランジスタおよびキャパシタからなるサブメモリセルを二以上有するメモリセルと、を有する。トランジスタのソースまたはドレインの一方がビット線と接続し、トランジスタのソースまたはドレインの他方がキャパシタと接続し、トランジスタのゲートがワード線の一と接続し、キャパシタの容量が各サブメモリセルで異なる。 （もっと読む）

【課題】階層化ビット線構成を有するメモリセルアレイにおいてプリチャージ回路を削減しつつ冗長判定に伴うアクセス速度の低下を防止し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】階層化ビット線構成の通常領域であるメモリ領域ＳＭ（０）及び冗長領域を含むメモリ領域ＳＭ（ｍ）を有する。スタンバイ時にはグローバルビット線ＧＢＬ及びメモリ領域ＳＭ（ｍ）のローカルビット線ＬＢＬをプリチャージし、メモリ領域ＳＭ（０）のローカルビット線ＬＢＬはプリチャージしない。例えば、メモリ領域ＳＭ（０）のアクティブ動作時には直ちにメモリ領域ＳＭ（０）のローカルビット線ＬＢＬをプリチャージし、その後の冗長判定結果に応じて各メモリ領域ＳＭ（０）、ＳＭ（ｍ）の階層スイッチＳＷをそれぞれ維持または非活性状態に制御して通常メモリセルＭＣ又は冗長メモリセルＲＣをアクセスする。 （もっと読む）

【課題】ビット線構成が階層化されたメモリセルアレイにおいて、回路規模が小さくチップ面積の増加及びタイミングスキューを抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ビット線構成がローカルビット線ＬＢＬとグローバルビット線ＧＢＬとに階層化され、ローカルビット線ＬＢＬとグローバルビット線ＧＢＬとの間の接続を制御する階層スイッチＳＷを備えている。階層スイッチＳＷの制御のため、ローカルスイッチ制御線ＬＳＬとメインスイッチ制御線ＭＳＬが配置される。ローカルスイッチ制御線ＬＳＬはローカルスイッチドライバＬＳＤにより駆動され、メインスイッチ制御線ＭＳＬはメインスイッチドライバＭＳＤにより選択的に活性化される。メモリセルアレイの規模が大きくなっても、ローカルスイッチドライバＬＳＤとメインスイッチドライバＭＳＤの配置によるレイアウト面積の増大及びタイミングスキューを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭに必要なキャパシタの容量を低減し、高度に集積化したＤＲＡＭを提供する。
【解決手段】分割ビット線型ＤＲＡＭにおいて、サブビット線をワード線の下に形成し、ビット線をワード線の上に形成する。分割ビット方式でサブビット線の寄生容量が低減し、かつ、セルトランジスタのオフ抵抗を必要に応じて高いものとすることによって、キャパシタの容量を通常のＤＲＡＭの１／１０以下とすることができる。このため、スタック型キャパシタであっても、その高さを従来のものの１／１０以下とできるので、その上にビット線を設けることも容易となる。また、セルトランジスタの構造を特殊なものとすることでメモリセルあたりの面積を４Ｆ^２とできる。 （もっと読む）

【課題】従来のＤＲＡＭでは容量素子の容量を減らすと、データの読み出しエラーが発生しやすくなった。
【解決手段】１つの主ビット線ＭＢＬ＿ｍに複数個のセルを接続させる。各セルはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと２乃至３２個のメモリセル（ＭＣ＿ｎ＿ｍ＿１、等）を有する。さらに各セルは選択トランジスタＳＴｒ＿ｎ＿ｍと読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍを有し、読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍのゲートにはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍを接続する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの寄生容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷情報を読み出しトランジスタＲＴｒ＿ｎ＿ｍでエラーなく増幅でき、主ビット線ＭＢＬ＿ｍに出力できる。 （もっと読む）

【課題】ビット線構成が階層化されたメモリセルアレイのプリチャージ動作時に配線レイアウトに起因するプリチャージ速度の低下を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ローカルビット線ＬＢＬとグローバルビット線ＧＢＬとに階層化され、階層スイッチＬＳＷによりローカルビット線ＬＢＬとグローバルビット線ＧＢＬとの間の電気的接続が制御され、プリチャージ回路ＬＰＣによりプリチャージ電圧がローカルビット線ＬＢＬに供給される。プリチャージ動作時には、階層スイッチＬＳＷが導通している状態で、グローバルビット線ＧＢＬの側のプリチャージ回路（不図示）によりプリチャージ電圧がグローバルビット線ＧＢＬに供給される。所定時間が経過してローカルビット線ＬＢＬの電位がプリチャージ電圧に収束すると、プリチャージ回路ＬＰＣによりプリチャージ電圧がローカルビット線ＬＢＬに供給される。 （もっと読む）