【課題】半導体装置が動作状態から待機状態に移行するとき、内部電源電圧の目標電圧からの上昇を抑制する。
【解決手段】非動作状態の負荷回路への電源電流の供給に用いられる電源回路１５において、トランジスタＰＴＲＳ１は、外部電源電圧を受ける電源ノードと出力ノード１８との間に接続される。比較器５０は、第１の入力端子および参照電圧が入力される第２の入力端子を有し、第１および第２の入力端子間の電圧差に応じた制御電圧をトランジスタＰＴＲＳ１の制御電極に出力する。分圧回路４０は、出力ノードの電圧を分圧した電圧を比較器５０の第１の入力端子に出力する回路であり、分圧比を変更可能である。電源回路１５は、負荷回路が動作状態のときに、分圧回路４０の分圧比を第１の分圧比から第１の分圧比よりも高い第２の分圧比に変更する。 （もっと読む）

【課題】動作速度の低下を抑制しつつ、動作マージンを向上させることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】速度検知部１６は、メモリセルＭＣの読み出し速度を検知し、電圧制御部１７は、メモリセルＭＣの読み出し速度に基づいてワード線ＷＬ１〜ＷＬｎの電圧ＶＷＬまたはメモリセルＭＣのセル電源電圧ＶＣＳのいずれか少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、電源オフ時における消費電力を低減することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、メモリセルは、第１の駆動トランジスタと第１の負荷トランジスタと第１の読み出し転送トランジスタと第１の書き込み転送トランジスタと第２の駆動トランジスタと第２の負荷トランジスタと第２の読み出し転送トランジスタと第２の書き込み転送トランジスタと１以上の抵抗変化素子とを有する。１以上の抵抗変化素子は、両端に印加されるバイアスの方向に依存して抵抗が変化する。１以上の抵抗変化素子は、第１の記憶ノード及び第１の書き込み転送トランジスタの間と第２の記憶ノード及び第２の書き込み転送トランジスタの間との少なくとも一方に配される。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧下においても、安定にデータの書込／読出を行なうことのできるスタティック型半導体記憶装置を実現する。
【解決手段】メモリセル列毎に、セル電源線（ＡＰＶＬ０−ＡＰＶＬｎ）を配設するとともに書込補助回路（ＢＰＣＫ０−ＢＰＣＫｎ）を配設する。この書込み補助回路（ＰＣＫ）は、書込み回路から出力される前記相補なデジタル信号に応答して、その応答信号を出力する論理回路（ＶＣＴ，１０）と、第１の電源電圧よりも低い第２の電源電圧を供給する供給線（ＶＬ）とセル電源線（ＶＤＭ）との間に接続され、論理回路の出力する応答信号に応答してオンすることによってセル電源線の電圧を降圧させる第１のスイッチ素子（ＮＴ１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】メモリにおけるピーク消費電力管理のためのメカニズムを提供する。
【解決手段】サブ・アレイ・ブロックを含むメモリ・ストレージ・アレイにおけるピーク電力を管理するためのメカニズムが、サブ・アレイ・ブロックの各々に対するワードライン信号の起動を互い違いにすることにより、読み出し動作及び書き込み動作と関連したピーク電流を削減することができる。具体的には、１つのサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号が、別のサブ・アレイ・ブロックの書き込みワードライン信号と同時に１つの論理レベルから別の論理レベルに遷移しないように、各々のサブ・アレイ・ブロックに対してワードライン信号を生成することができる。さらに、ワードライン・ユニットは、所与のサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号が、別のサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号と同時に１つの論理レベルから別の論理レベルに遷移しないように、ワードライン信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】デュアルポートメモリを提供すること。
【解決手段】デュアルポートメモリは、第1のシングルポートメモリおよび第2のシングルポートメモリを含む。第1のシングルポートメモリは、デュアルポートメモリの偶数アドレス中のデータを記憶するように構成される。第2のシングルポートメモリは、デュアルポートメモリの奇数アドレス中のデータを記憶するように構成される。デュアルポートメモリは、奇数アドレスからデータを読み出す読出動作および偶数アドレスの中へデータを書き込む書込動作を同時に実行する。デュアルポートメモリは、偶数アドレスからデータを読み出す読出動作および奇数アドレスの中へデータを書き込む書込動作を同時に実行する。 （もっと読む）

【課題】マルチバンク構成のメモリにおいて、選択バンクの読み出しデータを低面積、低電力、高速に出力可能な方法を提供する。
【解決手段】第１バス１２８に結合された第１トライステートデバイスにおいて、センスアンプの第１センスアウトプットおよび第２センスアウトプットを受け取ることと、第２バス１３０に結合された第２トライステートデバイスにおいて、センスアンプの第１センスアウトプットおよび第２センスアウトプットを受け取ることと、バス選択インプットに応じて第１バスまたは第２バスを駆動するために第１トライステートデバイスおよび第２トライステートデバイスの１つを選択的にアクティブにする。 （もっと読む）