ＳＲＡＭ（スタティックランダムアクセスメモリ）回路に一般的に適用される方法を用いて、アナログ電圧ランダムアクセスメモリ（ＶＲＡＭ）の記憶位置の小型アレイを実現する、集積回路メモリセルおよび電圧ラダーの設計に関する。ＶＲＡＭ内のメモリセルはそれぞれ、付随するスイッチを制御するディジタル値を記憶する。スイッチは、その記憶位置がイネーブルであるときに出力される、ラダー回路によって生成される一連の電圧からの特定電圧を接続する。多重アナログ出力電圧が、単にセルの追加の列を設けることによって提供される。 （もっと読む）

バス（５）によって伝送されるアナログの連続記録及び読み出しを行なうアナログサンプラー（１）は、Ｌ行（１３）及びＣ列（１２）に配列される記録セル群（２）から成るアレイ（１０）を備える。各セル（２）は、書き込みバス（５）に接続されるアナログ入力（３）と、読み出しバス（４）に切替え手段（２１，２５）を通して接続されるアナログ出力（１０３）と、を有し、切替え手段（２１，２５）はそれぞれ制御デジタル入力（２３，２６）を有する。一つの列のセル群に対する記録は連続して行なわれ、既に記録が行なわれている別の列のセル群に対して同時に読み出しが行なわれる。一定数の列では、書き込み列が読み出し列から分離される。システムは、書き込み、及び読み出しが連続して際限なく継続するようにループを繰り返す。

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【目的】リコールキーの操作があったときに、瞬時に、再生中のフレーズあるいはその１つ前のフレーズをその頭から改めて再生できるようにしたものである。
【構成】再生時、無音部検出回路１２が無音区間を検知する度に、システムマイコン７はその時点のメモリー読み出しアドレスをレジスタ１３に書き込まれ、これに伴って、レジスタ１３の今までのアドレス値は今一つのレジスタ１４にシフトされる。今、再生中に、リコールキー１５を押すと、システムマイコン７は現時点のメモリー読み出しアドレスとレジスタ１３のアドレス値との差を演算し、その差が所定の値より大きいときには、レジスタ１３のアドレス値まで戻って再生を再開し、小さいときには、レジスタ１４に記憶されている１つ前のアドレス値まで戻って再生を再開する。 （もっと読む）