本発明は、配列番号１、配列番号２、配列番号３、配列番号４＋配列番号５、配列番号６＋配列番号７および配列番号８の配列のエピトープから選択されるエズリンエピトープに対する少なくとも１つの抗エズリンモノクローナル抗体の使用して、結腸直腸癌を有することが疑われる患者から得られた生物試料のエズリン腫瘍マーカーの存在を決定することによる結腸直腸癌のインビトロ診断のための方法に関する。前記方法は、結腸直腸癌に関する早期診断、スクリーニング、フォローアップ治療及び予後診断のために、更に再発診断のために用いられることができる。 （もっと読む）

本発明は、一般式Ｂ−(Ａ)_ｎ［該式中、Ａは０℃を越えるガラス転移温度を有する剛性ポリマーブロック、Ｂは０℃未満のガラス転移温度を有する可撓性ポリマーブロック、ｎは１であるか又は１より大なる自然数であり、ｎが２又はそれ以上の場合、ブロックＡは同一か異なる］のブロックコポリマーから形成された骨格と；剛性ポリマーブロックによって担持されるポリアミド(ＰＡ)グラフトからなるグラフトコポリマーであって、一般式(Ａ_ｇ)ｍ−Ｂ−(Ａ)_ｐ［該式中、Ａ及びＢは上の定義の通り、Ａ_ｇは少なくとも一のグラフト(ＰＡ)を担持するブロックＡ、ｍ及びｐは自然数で、その合計はｎに等しいが、ｐが０に等しい場合がある］によって表されるグラフトコポリマーに関する。 （もっと読む）

【課題】内部のデータ転送を管理するのにクロックを用いない要素、特にノードを備えた新規の大域的非同期ネットワークオンチップ構造を開発すること。
【解決手段】本発明は、ネットワークオンチップ（ＮｏＣ）の分野に関連し、そのようなネットワーク内における、「送信／許可」式の非同期通信プロトコルを用いた要素間の伝送方法を考慮する。ネットワーク内の少なくとも１つのノードは、内部クロック無しで動作し、このノードが、各データパケットに関連付けられた優先チャネル情報に基づいて、同じ出力にルーティングされる２つのデータパケット間の転送階層を決定する。 （もっと読む）

本発明は、癌の治療または診断のための新規な化合物に関し、さらに具体的には受容体Ｇｂ_３を過剰発現している細胞への診断用製品または薬物のベクターとしてシガトキシン変異体の無毒性Ｂサブユニットを使用することに関し、そのような化合物は以下の式、ＳＴｘＢ−Ｚ（ｎ）−Ｃｙｓ−Ｙ（ｍ）−Ｔを有し、式中ＳＴｘＢはシガトキシンＢサブユニットまたはその機能的同等物であり、Ｚ（ｎ）でｎは０または１あり、ｎが１の場合、Ｚはスルフヒドリル基を欠くアミノ酸残基であるか、またはポリペプチドであり、Ｃｙｓはシステインのアミノ酸残基であって、Ｔは、インビボ診断用薬剤、細胞毒性剤、プロドラッグ、またはプロドラッグを薬物に変換する酵素、を含む群から選択される、ＣｙｓのＳ部分に共有結合により連結する分子であり、Ｙ（ｍ）でｍは０または１であって、ｍが１の場合、ＹはＴとＣｙｓの間のリンカーであり、前記リンカーはハイブリッド化合物が前記細胞にインターナリゼーションした後にＴを放出するために開裂できるか、または開裂できない。 （もっと読む）

バス（５）によって伝送されるアナログの連続記録及び読み出しを行なうアナログサンプラー（１）は、Ｌ行（１３）及びＣ列（１２）に配列される記録セル群（２）から成るアレイ（１０）を備える。各セル（２）は、書き込みバス（５）に接続されるアナログ入力（３）と、読み出しバス（４）に切替え手段（２１，２５）を通して接続されるアナログ出力（１０３）と、を有し、切替え手段（２１，２５）はそれぞれ制御デジタル入力（２３，２６）を有する。一つの列のセル群に対する記録は連続して行なわれ、既に記録が行なわれている別の列のセル群に対して同時に読み出しが行なわれる。一定数の列では、書き込み列が読み出し列から分離される。システムは、書き込み、及び読み出しが連続して際限なく継続するようにループを繰り返す。

（もっと読む）

本発明は、式(Ｉ)又は(ＩＩ)の化合物及びそれらの製薬的に許容可能な塩の、抗マラリアのための予防的又は治癒的処置に有用な製薬用組成物の調製における使用に関する。また本発明は、新規の化合物と該化合物を含有する製薬用組成物にも関する。

（もっと読む）

本発明は、熱アシスト方式で書き込まれる磁気メモリに関し、本磁気メモリにおいてはメモリ点（４０）の各々が磁気トンネル接合から構成されており、メモリの、トンネル接合を形成する層の平面に平行な断面が円形又はほぼ円形である。前記トンネル接合は、少なくとも、磁化方向が固定のトラップ層（４４）、磁化方向が可変の自由層（４２）、及び自由層（４２）とトラップ層（４４）の間に配置された絶縁層（４３）を備える。本発明によれば、自由層（４２）は、接触により磁気的に結合された少なくとも１つの軟質磁性層と１つのトラップ層とから形成され、読み込みメモリ又は休止メモリの動作温度は自由層及びトラップ層それぞれのブロック温度より低く選択される。
（もっと読む）