【課題】Ｄｙ等を用いるまでもなく、高保磁力を発現する磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の磁性体は、Ｒ_２Ｆｅ_１４Ｂ結晶粒（Ｒ：希土類元素）からなる主相と該結晶粒間に形成された粒界相とからなり、結晶粒は最長幅が５００ｎｍ以下の角丸形状をしており、粒界相は最小幅が１ｎｍ以上であるナノサイズの結晶集合体からなることを特徴とする。この磁性体は、例えば、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ非晶質体に拡散材（例えば、Ｒ−Ｃｕ）を付着させた付着非晶質体を加熱して、Ｒ_２Ｆｅ_１４Ｂ結晶粒からなる主相とこの結晶粒間に形成される粒界相を並行して形成することにより得られる。本発明によれば、稀少元素であるＤｙ等を粒界に拡散させるまでもなく、非常に高い保磁力の磁性体が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、媒体保護層の成膜時に加熱しても、保磁力Ｈｃと信頼性の両方を、より高いレベルで両立させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】ディスク基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層１２２ｂと、水素化カーボンを主成分とする媒体保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００の製造方法において、磁気記録層１２２ｂを、粒界部が複数の種類の酸化物を含有するように成膜する磁気記録層成膜工程（ステップＳ３１０）と、磁気記録層１２２ｂが成膜されたディスク基体１１０を１６０〜２００℃に加熱した状態で媒体保護層１２６を成膜する媒体保護層成膜工程（ステップＳ３３０）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高Ｓ／Ｎ比をもった垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された密着層２と、該密着層２上に形成された、非磁性体を含む軟磁性裏打ち層３と、該軟磁性裏打ち層３上に形成された非磁性下地層４と、該非磁性下地層４上に形成された磁気記録層とを備え、該磁気記録層は、第一の強磁性層５と、該第一の強磁性層５上に形成された第二の強磁性層９とからなり、第一の強磁性層５上の少なくとも一部に非金属膜８が形成されている垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

本発明は、相変化材料成分及び強磁性材料成分を含む、情報記録用媒体において使用される相変化磁性複合材材料に関連し、この場合、前記材料は磁気効果及び相変化効果の両方を示し、光学媒体、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）デバイス、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）デバイス、固体メモリデバイス、センサーデバイス、論理デバイス、認知デバイス、人工ニューロンネットワーク、三レベルデバイス、制御デバイス、ＳＯＣ（システムオンチップ）デバイス及び半導体のために使用可能である。 （もっと読む）