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国際特許分類[H01F10/30]の内容

国際特許分類[H01F10/30]に分類される特許

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【目的】 磁気抵抗効果素子に適した積層膜の飽和磁場を低減することを目的とする。
【構成】 本発明の積層膜は、各々の厚さが2〜20Aの2種類以上の異る組成の強磁性単層を積層して形成された強磁性層と、8〜70Aの非強磁性層とが交互に積層された構造を持つことを特徴とする。 (もっと読む)


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