【課題】Ｃｏ、Ｒｕなどの希少金属を用いることなく、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルを提供すること。
【解決手段】第１磁性層と第２磁性層とが非磁性層を介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体ならびに垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁気メモリセルであって、第１磁性層がスピネル型または逆スピネル型のイオン結晶構造をもつ酸化物からなり、第２磁性層が単体で強磁性を有する金属または単体で強磁性を有する金属を含む合金からなり、前記非磁性層がバンドギャップ３ｅＶから８ｅＶの絶縁物からなる。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と良好な記録・再生特性をともに有し、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性下地層と垂直磁気記録層と保護層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を、主記録層と非磁性中間層と補助層から構成し、主記録層を、磁性結晶粒子とそれを取り囲む粒界領域を有し、かつ垂直磁気異方性を有する材料から構成し、補助層を、負の結晶磁気異方性を有する材料から構成し、非磁性中間層を、主記録層と補助層の間に形成し、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒから選択される少なくとも一種の金属または合金から構成する。 （もっと読む）

【課題】 厚さが薄く、垂直磁気記録層における磁性体の配向分散を減少させることができ、かつ、安価に製造できる下地層を有する垂直磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】 平坦な非磁性基板１の上に、軟磁性裏打ち層２としてＣoＺrＮb系合金層を形成する。続いて第３下地層３および第２下地層４を形成した後、第１下地層５としてＲu層を形成する。次にＣoＣrＰt系合金からなる磁性体微結晶とＳiＯ₂またはＴiＯ₂からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層６を形成して、垂直磁気記録媒体１０を作製する。本発明の特徴として、Ｔaからなる第２下地層４と、ＨfまたはＺrの単体、或いはその合金からなる第３下地層３を形成する。合金はＮi、Ｔa、Ｒu、Ｃo、またはＺrとの合金であり、ＨfまたはＺrの分率が１０ａｔ％以上である。上記の構成で、Δθ₅₀を３度程度、第３下地層３と第２下地層４の合計膜厚を３．５ｎｍ程度に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボン保護層に対する潤滑剤の付着率を向上させ、マイクロスクラッチや磁気ヘッドへの潤滑剤の移着が生じない、磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、カーボン保護層２６、潤滑層２８をこの順序で備える磁気記録媒体１００の製造方法において、カーボン保護層２６の表層に、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法によって、水酸基（ＯＨ⁻）と結合可能な窒素を添加する添加工程と、潤滑層２８を、水酸基を含むパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）で成膜する潤滑層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｒとＭｎとを含む反強磁性のピニング層の表面の平坦度を高めることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 基板の主表面上に、ＮｉＦｅＮで形成されている下地層(2)が配置されている。その上に、ＩｒとＭｎとを含む反強磁性材料で形成されているピニング層(3)が配置されている。その上に、ピニング層と、直接または他の強磁性材料層を介して交換結合することにより磁化方向が固定される強磁性材料からなるレファレンス層(4ｃ)が配置されている。その上に、非磁性材料からなる非磁性層(7)が配置されている。その上に、外部磁場の影響によって磁化方向が変化する強磁性材料からなるフリー層(8)が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、絶縁障壁層にＭｇ−Ｏを用いたトンネル型磁気検出素子において、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来に比べて効果的に向上させることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｏの絶縁障壁層５上に、下からＣｏ−ＦｅあるいはＦｅで形成された第１磁性層６ａ、及びＣｏ−Ｆｅ−ＢあるいはＦｅ−Ｂで形成された第２磁性層６ｂの積層構造で形成される。これにより、従来に比べて、効果的に抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。フルホイスラー合金は、Ｘ_２ＹＺの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Ｃｏ_２ＭｎＳｉからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体における磁気記録層の配向性を改善し、さらに磁気記録層における初期成長層を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上の実現。
【解決手段】非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層を順次有し、下地層が軟磁性であり、中間層が非磁性であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現するとともに、信頼性の向上した磁性薄膜を提供する。
【解決手段】磁性薄膜１５は、一対の磁性層７，９と、一対の磁性層７，９の間に挟まれた非磁性中間層８と、を有し、センス電流が一対の磁性層７，９、及び非磁性中間層８の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。非磁性中間層８は、ＳｎＯ₂を含む第１の層８２と、第１の層８２を挟んで設けられ、Ｓｎよりも腐食電位の高い材料からなる一対の第２の層８１，８３と、を有している。 （もっと読む）