【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】より良い特性を与える配向制御層を提供し、長手磁気記録媒体の信号雑音比を向上させる。
【解決手段】基板上に、非晶質合金からなる下地層と、体心立方構造を有するＣｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金からなる配向制御層と、体心立方構造を有する合金層と、六方最密構造を有する合金層と、磁性層とをこの順に有し、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層の（１１０）面が基板に垂直方向に配向しており、かつ、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層のＭｎ濃度が５ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることを特徴とする長手磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直磁気記録に適した磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、交換結合力制御層材料としてルテニウムのみからなる層を用いても量産性の向上を図ることを課題とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２、非磁性中間層３、垂直磁気異方性を有する第１記録磁性層４、Ｒｕよりなる交換結合力制御層５、及び垂直磁気異方性を有する第２記録磁性層６を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記交換結合力制御層５を形成するときのプロセスガスのガス圧を、2Ｐａ以上5Ｐａ以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】磁化又は磁化反転できるレベルまで記録層の被加熱部の保磁力を容易に低減できる垂直記録型の磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１６は、基板２４と、軟磁性層２６と、断熱層２８と、配向層３０と、記録層１２と、を有し、これらの層がこの順で基板２４の上に形成され、断熱層２８の熱伝導率が配向層３０の熱伝導率よりも低く、且つ、軟磁性層２６の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】磁性部と非磁性部との境界を磁気的に判別しやすく、磁性部の磁気特性劣化を防ぐことができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板１０上に軟磁性層１１を形成する工程と、軟磁性層１１上に磁性材料からなる記録層１４’を形成する工程と、記録層１４’上にマスクパターン２０’を形成する工程と、マスクパターン２０’上から記録層１４’に対してイオン照射を行う工程とを含んでおり、イオン照射を行う工程においては、Ｎｅイオンより重いＸｅイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の磁性結晶粒子を適切に微細化する。
【解決手段】垂直磁気記録方式で情報を記録する垂直磁気記録媒体１００の製造方法であって、上層の結晶方位を制御する下地層１１８を成膜する下地層成膜工程と、下地層１１８の結晶方位に応じた方向に磁化容易軸が向く磁性結晶粒子３０６が非磁性物質３０８のマトリックス中に分散するグラニュラ構造の磁気記録層である主記録層１２０を成膜する磁気記録層成膜工程とを備え、下地層成膜工程は、希ガスと多原子分子ガスとの混合ガスをスパッタリングガスとして用いるスパッタリング法により、下地層１１８の少なくとも最上層部を成膜する。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 （もっと読む）

【課題】磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成し、下地層上に磁気異方性エネルギーが１０^６ないし１０^８ｅｒｇ／ｃｃである磁性物質からなり、単位記録領域である複数の磁性ドットを備える磁気記録媒体及びその製造方法である。ドットをなす磁性物質は、Ｌ１_０構造を有する。下地層は、磁気記録層と対向する結晶面が（００１）面である。下地層は、磁気記録層と５ないし１５％の格子不整合を有する。 （もっと読む）