【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で動作可能であって、事後プロセスを用いずに高い異方性磁界と強磁性共鳴周波数を得るとともに、強磁性共鳴半値幅が狭帯域化された磁性薄膜を提供する。
【解決手段】磁性薄膜１０は、磁性粒子１８が絶縁体１６に包み込まれたグラニュラ層１４と絶縁層２０とを交互に積層した積層グラニュラ膜１２を強磁性層とし、その最外層上に反強磁性層２２を形成した交換結合膜である。交換結合磁界に伴う異方性磁界の増加から、高い強磁性共鳴周波数が得られる。また、交換結合の形成に伴い、磁区構造が単磁区化されるため、磁化困難軸励起過程が均一な磁化回転のみとなり、磁壁移動磁化過程の混入に伴う強磁性共鳴線幅の増加を抑制できる。積層グラニュラ膜１２の微細構造の最適化と、反強磁性層２２の積層によって高い異方性磁界と強磁性共鳴周波数を得るため、熱処理や微細加工等の事後プロセスが不要である。 （もっと読む）

【課題】フィルムスタック内の結晶アライメントのためのケイ素／金シード構造を提供する。
【解決手段】ケイ素／金（Ｓｉ／Ａｕ）二層シード構造が、フィルムスタック内で、非晶質または結晶質の下部層と明確な結晶構造を伴う上部層との間に位置設定される。シード構造は、下部層の全体的に平担な表面上のＳｉ層と、Ｓｉ層上のＡｕ層を含む。Ｓｉ／Ａｕ界面は、面内配向された（１１１）平面を有する面心立方（ｆｃｃ）結晶構造を伴うＡｕ層の成長を開始させる。Ａｕ層で成長した上部層は、ｆｃｃまたは六方最密充填（ｆｃｃ）結晶構造を有する。上部層がｆｃｃ材料である場合には、その［１１１］方位はＡｕ層の（１１１）平面に対し実質的に垂直に配向され、上部層がｈｃｐ材料である場合、そのｃ軸はＡｕ層の（１１１）平面に対して実質的に垂直に配向される。 （もっと読む）

【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも基板１０１の上に、第１の磁性層１０６と第２の磁性層１０７とが順に積層された構造を有し、第１の磁性層１０６が、L１_０構造を有するＦｅＰｔ合金、Ｌ１_０構造を有するＣｏＰｔ合金、又はＬ１_１構造を有するＣｏＰｔ合金の何れかの結晶粒と、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｃのうち少なくとも１種以上の粒界偏析材料とを含むグラニュラー構造を有し、且つ、第１の磁性層１０６中の粒界偏析材料の含有率が、基板１０１側から第２の磁性層１０７側に向かって減少している。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化材料を適用し、ＴＭＲ比の高い磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】ＣｏＦｅＢ層４１／ＭｇＯバリア層１０／ＣｏＦｅＢ層４２の外側に融点が１６００℃以上の単体金属、もしくはその金属を含んだ合金からなる中間層３１，３２を挿入する。中間層３１，３２の挿入により、アニール時におけるＣｏＦｅＢ層の結晶化をＭｇＯ（００１）結晶側から進行させ、ＣｏＦｅＢ層をｂｃｃ（００１）で結晶配向させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の結晶配向性と結晶粒の磁気的分離を劣化させることなく、結晶粒径を微細化させることによって記録再生特性に優れた磁気記録媒体実現する。
【解決手段】基板１１上に密着層１２、軟磁性下地層１３、シード層１４、中間層１５、磁気記録層１６、保護層１７が順次形成されてなる垂直磁気記録媒体において、中間層１５は少なくとも３層から構成され、第一中間層１５１と第三中間層１５３はＲｕ及びＲｕ合金からなり、第二中間層１５２は酸素を含むＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

垂直磁気記録媒体の書き込み能力を向上させ、意図しない消去を減らすための方法および媒体構造が提供される。可変の透磁率は、磁気モーメント（Ｂｓ）や磁気異方性（Ｈｋ）などのバルクＳＵＬ材料特性とは無関係に、薄い軟下地層（ＳＵＬ）構造内で制御される。記録トラックへの書き込みの容易性とオフトラック（トラック間および隣接するトラック）の消去の困難性との改良された組み合わせを有する媒体は、不均衡で反強磁的に結合された（ＡＦＣ）ＳＵＬ構造により部分的に実現される。透磁率勾配は、異なる透磁率と磁気厚み（Ｂｓ＊ｔ）の値を有する層を含む軟下地層内で実現される。一局面では、第一ＳＵＬ層は、高透磁率領域とその上に積層される低透磁率領域とを有する。第二層は、低透磁率を有する第三ＳＵＬ層に第一層を反強磁的に結合させる。本発明は、慎重に磁性の均衡をとる必要のある高密度垂直記録媒体に利用することができる。
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【課題】 逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上とＳＮＲの向上の両立を図り、ＴＰＩを高めて高記録密度化を可能とした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、基板１１０上に少なくとも、ｆｃｃ結晶構造を有する合金を主成分とする前下地層１４０と、Ｒｕ合金からなる第１下地層１５２と、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金からなる第２下地層１５４と、柱状に連続して成長したＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子の周囲に金属酸化物を主成分とする非磁性の粒界部が偏析して形成されるグラニュラ磁性層１６０と、をこの順に備え、磁性粒子の粒径は７ｎｍ以下であり、第１下地層１５２は、ｈｃｐ結晶構造を有し、かつ融点がＲｕの融点未満の元素を少なくとも１種類含有するＲｕ合金からなる。 （もっと読む）

【課題】保磁力Ｈｃと逆磁区核形成磁界Ｈｎ、およびＳＮＲを総合的に向上することにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、軟磁性層１３０と、Ｎｉを主成分とし、Ｗ、Ｂを含有し、さらにＺｒ、ＡＬ、ＳｉからなるＡ群の元素のうち１つ以上の元素を含有する前下地層１４０と、ＲｕまたはＲｕ合金を主成分とする下地層１５０と、ＣｏＣｒＰｔ系の磁性粒子と非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層１６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）