【課題】ＳＮＲ（ＳＮ比）を向上させた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成された第一下地層と、前記第一下地層上に形成された第二下地層と、前記第二下地層上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層がＣｏを主成分とする合金からなり、前記第一下地層がＲｕと体心立方構造を形成する金属を主成分とし、Ｒｕを６０ａｔ．％以上含む合金または化合物からなり、前記第二下地層がＲｕであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の下に中間層やシード層を形成することにより、磁気記録層の結晶粒径を微細化できるものの十分な結晶粒界幅を形成することができないため、磁化反転単位の低減効果が小さい。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、基板１１の上部に、シード層と中間層と磁気記録層と保護層が積層されて構成される。磁気記録層はCoCrPt合金からなる多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラ構造を有する。シード層は、第１のシード層１４ａ、第２のシード層１４ｂ、第３のシード層１４ｃが積層されて構成され、第１のシード層１４ａは六方最密充填構造を有するTiまたはTi合金からなり、第２のシード層１４ｂはが面心立方構造を有するCu，Ag又はAl、あるいはこれらのうちの１種以上の元素を含む合金からなり、第３のシード層１４ｃは面心立方構造を有するNi合金からなる。 （もっと読む）

【課題】ほとんど保磁力あるいは飽和磁化が無い非磁性部を記録層に形成することができ、優れた磁気特性の記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にＣｒＰｔ₃からなる記録層１３’を形成する工程と、記録層１３’の表面にマスクパターン層１５’を形成する工程と、マスクパターン層１５’から露出した記録層１３’の各部にイオンを照射する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高記録密度が可能な垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地層と磁気記録層を有する磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は少なくともＣｏとＰｔを含むグラニュラ構造を有する垂直磁気記録層と、その上に少なくとも２層以上の面内磁気記録層が反強磁性結合している磁気記録層が積層された構造をしている。 （もっと読む）

【課題】主記録層の基板面内方向の交換結合を低減することで、良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と配向制御層、磁気記録層、保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、磁気記録層は２層以上から構成され、基板側から第一磁気記録層、第二磁気記録層を含み、それぞれの磁気記録層の結晶磁気異方性エネルギー（Ｋ_ｕ）が、第一磁気記録層が４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）以上、第二磁気記録層が２×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）以下であり、第一磁気記録層が磁性Ｃｏ合金結晶と酸化物からなる粒界部により構成し、平面ＴＥＭ観察において粒界部面積を３０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】 主記録層と補助層間の交換結合を制御することで、良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と配向制御層、磁気記録層、保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、磁気記録層は３層以上から構成され、基板側から第一磁気記録層、第二磁気記録層、第三磁気記録層を含み、第二磁気記録層と第三磁気記録層間に交換結合低減層を挿入し、それぞれの磁気記録層の結晶磁気異方性エネルギー（Ｋ_ｕ）が、第一磁気記録層が４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）以上、第二磁気記録層が２×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）以下、第三磁気記録層が１×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）以下である材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗比を有し、かつメモリセルを微細化してもビット情報の高い熱擾乱耐性を確保する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、ＮａＣｌ構造を有し、かつ（００１）面に配向する窒化物から構成される下地層２３と、下地層２３上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつＬ１_０構造を有し、かつ（００１）面に配向する強磁性合金から構成される第１の磁性層１４と、第１の磁性層１４上に設けられた第１の非磁性層１６と、第１の非磁性層１６上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有する第２の磁性層１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた分解能、Ｓ／を有し、隣接トラック消去の小さい垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板４１上に、磁性層の配向と偏析を制御するための下地層４２，４３，４４と、酸化物を含有するＣｏとＣｒとＰｔを主体とする合金磁性材料からなる磁性層４５と、酸化物を含まない強磁性金属層４６とを有する。磁性層４５は強磁性粒子と酸化物を含む少なくとも二層の層からなり、磁性層の基板に近い側の第一磁性層４５１は、結晶粒界が主としてＣｒ酸化物とＳｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つの酸化物で構成され、強磁性金属層側の第二の磁性層４５２の結晶粒界はＳｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１つの酸化物を含有し、且つＣｒの酸化物が第一の磁性層に比べて少ない。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。
【解決手段】基板１１の上方に下地層１２、反強磁性層１３、ピンド層１４、非磁性結合層１５、リファレンス層１６、トンネルバリア層１７、フリー強磁性層１８、及びキャップ層１９が順に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）において、トンネルバリア層１７を、ＭｇＯ膜等の結晶性酸化物膜を低酸素分圧（例えば１０^-7Ｐａ程度の高真空下）下で形成し、その後結晶性酸化物膜を酸素ガス又は酸素を含むガスと接触させる。このようにして形成された結晶性酸化物膜を備えたＴＭＲ素子１０によれば、従来よりも高いＭＲ比が得られる。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）