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国際特許分類[H01F10/30]の内容

国際特許分類[H01F10/30]に分類される特許

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【課題】低RAでも高MR比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記MgO層を成膜する室内に設けられた構成部材(第1成膜室21内部の、成膜室内壁37、防着シールド36の内壁、仕切板22やシャッタなど)の表面に被着された成膜室内で前記MgO層を成膜するとによって、第1の強磁性層と第2の強磁性層との間にMgO(酸化マグネシウム)層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのTa(タンタル)が好適である。 (もっと読む)


【課題】 スピン依存バルク散乱抵抗を高く維持したまま、保磁力を低減させた磁性膜を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁化方向が固定された強磁性材料を含むピンド層(5A)、非磁性導電材料からなる非磁性中間層(10A)、及び外部磁場の影響を受けて磁化方向を変化させる強磁性材料からなるフリー層(20)がこの順番に積層されてスピンバルブ膜(30)が構成される。一対の電極(2A,2B)が、スピンバルブ膜に、その積層方向の電流を流す。ピンド層及びフリー層の少なくとも一方は、強磁性を示す元素の組成比が第2の層のそれより高い第1の層(8,21)と、非磁性を示す元素の組成比が第1の層のそれよりも高い第2の層(9,22)とが交互に配置され積層部分を含む。この積層部分に、第1の層は少なくとも2層含まれ、第2の層は少なくとも1層含まれる。 (もっと読む)


【課題】 GHz帯域で動作可能な磁性薄膜とこれを用いた電子デバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】 磁性体層と絶縁体層が交互に積層された磁性薄膜で、磁性体層は第一の磁性体層1と第二の磁性体層2を含み、前記第一の磁性体層1は前記第二の磁性体層2よりも異方性磁界が高く、前記第二の磁性体層2は前記第一の磁性体層1よりも飽和磁化が高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層22をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜26を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層22を形成した後、めっきシード層22の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層30を形成する工程と、前記めっきシード層22とキャップ層30をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高密度記録が可能であると共に、生産歩留まりの低下を回避し、さらには磁気記憶装置の信頼性を向上可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板11と、基板11上に、軟磁性裏打ち層12、シード層13、下地層14、記録層15、保護膜16、および潤滑層18を順次積層した構成とし、下地層14は、RuまたはRu合金からなる複数の結晶粒子14aからなり、結晶粒子14a同士を互い離隔する空隙部14bを介して基板面内方向に配置され、記録層15は下地層14の結晶粒子14a上に堆積した複数の磁性粒子15aからなり、磁性粒子15a同士を互い離隔する空隙部15bを介して基板面内方向に配置される。記録層15の磁性粒子15aは、下地層14の結晶粒子14a上に成長した構成を有する。 (もっと読む)


【課題】 特に、高いΔRAを維持しながら、プラトー磁界(Hpl)を従来に比べて大きくすることが可能な磁気抵抗効果素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 前記固定磁性層4を構成する第2固定磁性層4cのうち、非磁性材料層5に接する非磁性材料層側磁性層4c1が、Co2x(Mn(1−z)Fe)α(元素αは、3B族、4B族、あるいは5B族を構成する元素うちいずれか一つであり、x,yはいずれも原子%であり、3x+y=100原子%の関係を満たす)で表される第1のホイスラー合金層で形成される。なお含有量yは20原子%以上30原子%以下で、MnFe中に占めるFe比zは、0.2以上0.8以下である。これにより、高いΔRAを維持しながらプラトー磁界(Hpl)を大きくできる。 (もっと読む)


【課題】 磁気記録媒体及び磁気記録装置に関し、磁性結晶粒を十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、S/N比を高める。
【解決手段】 Al系合金基板或いはガラス基板からなる非磁性基板1上に少なくともアモルファス膜2を介してCo層或いはCo合金層のいずれかからなるとともに、互いに分離し、Cr系下地層(4)で覆われた島状膜からなるシード層3を設ける。 (もっと読む)


【課題】ピン層及びフリー層を有する磁気抵抗効果素子を備え、電流の密度が高くてもノイズを充分に抑制できる磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気ヘッド10は、第1のピン層14と、絶縁体を含む第1のスペーサ層16と、外部磁界に応じて磁化方向が変化するフリー層18と、導電性の第2のスペーサ層20と、第2のピン層22と、を有してなり、これらの層がこの順で積層され、積層方向に対して垂直な一方向に第1のピン層14の磁化方向Dm1が実質的に固定され、第1のピン層14の磁化方向と反対の方向に第2のピン層22の磁化方向Dm2が固定された磁気抵抗効果素子12を備える。 (もっと読む)


【課題】軟磁性下地層SULと垂直記録層RLとの間の中間層ILを低スパッタ圧で形成すると、RLの凹凸を低減してディスクの耐食性を改善することができる。しかしながら、低スパッタ圧でILを形成すると、ディスクの保磁力が大きく低下するため記録性能が低下する。
【解決手段】垂直磁気記録ディスクは、酸化物を添加された粒状コバルト合金記録層RLと、軟磁性下地層SUL上に形成された交換ブレーク層としての中間層IL、およびILとRLの間に形成された極薄核生成膜(NF: Nucleation film)を有する。同ディスクの作製においては、ILを従来に比べてかなり低スパッタ圧で堆積させ、それによってRLとその上のオーバーコートOCの凹凸度を低減する。NFとRLは、かなり高いスパッタ圧で堆積させる。その結果、良好な記録特性を有し、改善された耐食性を有するディスクが得られる。 (もっと読む)


【課題】 特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び及び反強磁性結合エネルギー(J)を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 非磁性中間層4bは下からRu層11、Rh層12、及びRu層13の順に積層形成されている。これにより、前記非磁性中間層4bの膜厚を特に変更することなく(従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても)、飽和磁界(Hs)、スピンフロップ磁界(Hsf)及び反強磁性結合エネルギー(J)を、前記非磁性中間層4bをRhだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 (もっと読む)


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