【課題】基材、軟磁性下地層、シード層、非磁性ＦＣＣ ＮｉＷ合金下地層、非磁性ＨＣＰ下地層、及び磁気層を含む、垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明者は、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金下地層との組み合わせが、薄い下部磁気記録層の高い飽和保磁力と狭いＣ軸配向分布とを達成することによって、媒体記録性能及び熱安定性を大幅に改善することを発見した。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の配向性を改善し、かつ磁性粒子を微細化し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性基板上に、軟磁性層、微細結晶構造を有し、ＰｄまたはＰｄ合金からなる第一の非磁性下地層、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第二の非磁性下地層、及び垂直磁気記録層を積層する。また、前記第一の非磁性下地層が、第一の非磁性下地層が、Ｐｄ−Ｓｉ層であることを特徴とする。前記第一の非磁性下地層は、ガス圧０．５Ｐａ以下の雰囲気で蒸着される。 （もっと読む）

【課題】ＳＮＲを改善した垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板上に設けられた垂直磁気記録層と、基板と前記垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体では、軟磁性下地層は飽和磁化の相異なる複数の軟磁性下地層を含み、少なくとも１つの軟磁性下地層は半径方向に磁化容易軸を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の変動を小さく抑え、且つ、層間結合磁界Ｈｉｎを小さくすることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１固定磁性層４ａは、Ｔａで形成された第１挿入層４ａ２が下側強磁性層４ａ１と上側強磁性層４ａ３との間に介在する積層構造で形成されている。前記第１挿入層４ａ２の平均膜厚は３Åよりも大きく６Å以下である。これにより、前記第１挿入層４ａ２を有しない従来と同様のＲＡ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、層間結合磁界Ｈｉｎを従来よりも低減できる。 （もっと読む）

【課題】結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層を用いた場合に、高温のアニール処理を行うことなく、高いＭＲ比を得ることができるＴＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ及びＴＭＲ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】下側磁性層と、上側磁性層と、下側磁性層及び上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、下側磁性層が、第１の磁性層と、第１の磁性層及びトンネルバリア層間に挟設された第２の磁性層とを含んでおり、第２の磁性層が、Ｆｅ、コバルトＣｏ及びニッケルＮｉのうちの少なくとも１つを含む磁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】パターン化された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であって、磁気記録層は、多層であり、かつ磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段を備えることを特徴とするパターン化された磁気記録媒体である。ここで、磁気記録層は、第１強磁性層、磁気記録層の間の磁気的相互作用を抑制する手段及び第２強磁性層が順次に積層された構造であり、手段は、軟磁性層でありうる。 （もっと読む）

【課題】 高Ｓ／Ｎ比の実現に適した粒径分布を持ち、互いに孤立して一様に分布する磁性粒子を有する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。下地層の上に、中間層が配置されている。中間層は、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕで形成され、面内に分布する複数の結晶粒で構成されている。結晶粒の各々の上面は、上方に向かって凸状の形状を有する。中間層の上に、磁気記録層が配置されている。磁気記録層内では、磁性材料からなる複数の磁性粒子が面内に分布し、相互に隣り合う磁性粒子同士が、両者の間に配置された非磁性材料からなる非磁性領域によって磁気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】軟磁性裏打ち層に起因するノイズを低減し、外部磁場の影響によって記録磁化が消去されることがなく、向上した媒体性能を有する垂直二層磁気記録媒体の提供。
【解決手段】非磁性基体と、軟磁性裏打ち層と、非磁性結合層と、硬磁性ピニング層と、非磁性中間層と、磁気記録層とをこの順に有し、軟磁性裏打ち層と硬磁性ピニング層が非磁性結合層を介して常温で反強磁性結合しており、硬磁性ピニング層の磁化容易軸が非磁性基体表面に対して垂直方向であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】書き込みヘッドに高い飽和磁束密度を有する磁気コアを用いてある場合でも、電磁変換特性（特にOW特性）を悪化させることなく、熱揺らぎ問題を解決し、SNRの改善およびPW50の狭小化により、高記録密度を達成する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】非磁性基板１上に、磁気記録膜３と、軟磁性膜４と保護膜５とが備えられてなる磁気記録媒体であって、磁気記録膜３の保磁力が2500Oe以上であり、かつ軟磁性膜４の膜厚が0.2〜0.5nmの範囲であり、前記軟磁性膜４の飽和磁束密度が1.5Ｔ以上であることを特徴とする磁気記録媒体を採用する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて交換結合力が高く、かつ製造が容易な交換結合膜及びその交換結合膜を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る交換結合膜３０は、Ｒｕ−Ｒｈ合金からなる非磁性層３１を２つの強磁性層３２ａ，３２ｂで挟んだ構造を有している。本発明の交換結合膜を磁気ヘッド（読み取り素子）に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．５ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。また、本発明の交換結合膜を磁気記録媒体に適用する場合、例えば非磁性層３１の厚さを０．４〜０．６ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜７０ａｔ％とする。更に、本発明の交換結合膜をＭＲＡＭに適用する場合、非磁性層３１の厚さを例えば０．３〜０．７ｎｍとし、Ｒｈ含有量を５〜４０ａｔ％とする。 （もっと読む）