【課題】記憶層にかかる漏れ磁場をキャンセルするために用いる磁性層の膜厚を低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に略垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が可変の記憶層２と、記憶層上に設けられた第１の非磁性層４と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有する参照層６と、参照層上に設けられた反強磁性層８と、反強磁性層の上に設けられ、かつ膜面に略垂直方向の磁気異方性を有するとともに参照層の磁化の向きと反平行の磁化を有する強磁性層１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層１２と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１の磁性層１３と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層１５と、第１の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第２の磁性層１７と、を備え、第１の磁性層は、ＤＯ_２２構造またはＬ１_０構造を有しｃ軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第１の磁性層と第１の非磁性層と第２の磁性層とを貫く双方向電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

集積磁気膜強化インダクタ及び集積磁気膜強化インダクタの形成方法が開示される。集積磁気膜強化インダクタが、第一部分及び第二部分を有するインダクタ金属部（５３０）、インダクタ金属部に結合された上端金属部または底金属部（５３２）、及びインダクタ金属部の第一部分及び第二部分の少なくとも一方の中か、該一方の上か、該一方に隣接するかのいずれかで配置される分離膜（５４４）を備える。分離膜が、磁気膜のような磁気材料部（５３６）を備える。
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【課題】 ３００℃以下の温度において、Ｌ１₀構造ＦｅＰｔ規則合金が得られるＦｅＰｔ系磁性層を備える積層体構造物を提案する。
【解決手段】 積層体構造物は、アモルファス状態のＴａ層と、このＴａ層の上に形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる金属酸化物層と、この金属酸化物層の上に形成されたＦｅＰｔ系磁性層と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さく、かつ厚膜である、優れた高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、携帯電話を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上の第１の磁性体層と、第１の磁性体層上の第１の磁性体層と異なる材料の中間層と、中間層上の第１の磁性体層と同じ材料の第２の磁性体層とを有し、磁性体層は、長手方向が基板の表面に対して垂直方向を向いた複数の柱状体を形成する非晶質の磁性相と、柱状体の間隙を充填する絶縁体相とから成る複合磁性膜であり、基板の表面に平行な面内の最小異方性磁界をＨｋ１、最大異方性磁界をＨｋ２とする場合に、Ｈｋ２／Ｈｋ１≧３、Ｈｋ２≧３．９８×１０^３Ａ／ｍの面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料、この高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の面積密度を高くするために、物理的間隔を犠牲にせずに有効磁気間隔を低減するための構成要素および方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のヘッド媒体間隔（１０７）またはヘッド・キーパ間隔（１０６）を低減することにより面積密度を高くするための構成要素および方法であって、現在用いられている中間層やオーバーコートなどのデバイスの非磁性構成要素を、常磁性または強磁性の材料を含む構成要素および合成物（１０１、１０２、１０４）で置換する。下地層の結晶組成の核を形成するために磁気媒体内に堆積させる磁気シード層を含む。 （もっと読む）

【課題】軟磁性下地層の高い透磁率と反強磁性結合との両方を実現できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、複数の軟磁性層を反強磁性結合させた軟磁性下地層と、磁化容易軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とが積層されてなる磁気記録媒体であって、軟磁性層は、Ｆｅを第１の主成分、Ｃｏを第２の主成分として、さらにＴａを含み、軟磁性下地層は、複数の軟磁性層の間に挟まれるスペーサ層の厚みによって変化する反強磁性結合力の２番目以降に現れるピークを用いて反強磁性結合されており、なお且つ、その透磁率が１０００Ｈ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高スピン偏極電流を効率的に注入することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に設けられ、第１ホイスラー合金層２４と、第１ホイスラー合金層上に設けられた第１非磁性層２６と、を含む強磁性積層膜２０と、を備え、強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動する。 （もっと読む）