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国際特許分類[H01F41/18]の内容

国際特許分類[H01F41/18]に分類される特許

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高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板(1)上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜(2)を形成し、この下地微結晶膜(2)の材料とナノ粒子材料(4)の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜(2)の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。 (もっと読む)


【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板1上に下地膜2を形成し、その下地膜2上に、強磁性材料と電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が106 Ωcm以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜3を成膜し、その上に保護膜4を成膜して磁気記録媒体とする。 (もっと読む)


【目的】本発明は、良好な一軸磁気異方性を有し、電気抵抗が大きく、飽和磁歪定数が小さく、高周波特性の優れた磁性薄膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明は、2種類以上の結晶相からなる組織を有するCo基合金薄膜において、Pdを含むことを特徴とする磁性薄膜である。 (もっと読む)



【目的】 磁気抵抗効果素子に適した積層膜の飽和磁場を低減することを目的とする。
【構成】 本発明の積層膜は、各々の厚さが2〜20Aの2種類以上の異る組成の強磁性単層を積層して形成された強磁性層と、8〜70Aの非強磁性層とが交互に積層された構造を持つことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 高温での熱処理後にも低い保磁力を示し、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。
【構成】 Feベース軟磁性薄膜に、適量の酸素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、酸素の導入量は、30原子%以下とする。Feベース軟磁性薄膜は、Fe単独からなるものであってもよいし、FeにSi、Al、Ti、Ta、Nb、Ga、V、W、Yから選ばれた少なくとも1種を添加したものであってもよい。 (もっと読む)



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