【課題】 真空容器における容器本体と光透過窓材とが線熱膨張係数差のある異種材料によって構成される場合であっても、これらの接合時にクラックが発生せず、従って、真空容器の真空密閉性が確保される電子線励起型光源装置の提供。
【解決手段】 電子線励起型光源装置は、開口を有する容器本体およびこの開口を封止部によって気密に接合して塞ぐ光透過窓材よりなる真空容器内に、電子線源および半導体発光素子が備えられ、封止部は、互いに主成分が同一である異種のガラスフリットから形成された、光透過窓材に接触される第１のガラス層と、容器本体に接触される第２のガラス層とが積層されてなり、光透過窓材、容器本体、第１のガラス層、第２のガラス層の線熱膨張係数αをα（Ａ０）、α（Ｂ０）、α（Ａ）、α（Ｂ）としたときに、α（Ａ０）＞α（Ｂ０）、α（Ａ０）＞α（Ａ）、α（Ｂ０）＞α（Ｂ）の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】窒化物原料の固相反応促進のための圧縮成形や焼成後の強力な長時間の粉砕処理や、高価な高温高圧焼成炉などを必要とせずに、化学組成が均一な窒化物又は酸窒化物を母体とする蛍光体を安価に製造する。
【解決手段】蛍光体を構成する金属元素を２種以上含有する合金を、窒素含有雰囲気下で加熱することを特徴とする蛍光体の製造方法。すべての構成金属元素を溶解し、予め均一な組成の合金を作成し、この合金を窒化処理することにより、目的の窒化物又は酸窒化物を母体とする蛍光体を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図ることが可能な電界放出型デバイスを提供すること。
【解決手段】１対の基板１Ａ，１Ｂと、複数の電子放出源２と、アノード電極と、駆動手段６と、を備えている、電界放出型デバイスＡ１であって、複数の電子放出源２は、第１電子放出源グループ２Ａおよび第２電子放出源グループ２Ｂを含んでおり、基板１Ｂのうち第１電子放出源グループ２Ａに正対する部分には、光電変換膜がさらに形成されており、駆動手段６は、第１電子放出源グループ２Ａと上記アノード電極との間に電界放出が可能となる電界放出電圧以上の電圧を印加し、かつ第２電放出源グループ２Ｂと上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以下の電圧を印加する待機モードと、複数の電子放出源２と上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以上の電圧を印加する全面駆動モードと、を切り替えて駆動する構成とされており、上記待機モードから上記全面駆動モードへの切り替えは、上記光電変換膜に対する光の入射を検出したことにより行う。 （もっと読む）

記憶装置の記憶密度を飛躍的に高くするため、冷陰極１０１から放出された電子線Ｅは、加速電極１０２により加速され、収束電極１０３により収束され、偏向電極１０４により偏向されて、記憶膜１０５の微小領域に照射される。記憶膜１０５は例えば相変化膜１０５ａを有し、高エネルギの電子線Ｅが照射されると急速加熱、冷却されてアモルファス化する一方、中程度のエネルギの電子線Ｅが照射されると除冷されて結晶化することによりデータが記憶される。また、低エネルギの電子線Ｅが照射されると、アモルファス化または結晶化の状態に応じて異なる検出電極１０５ｂと陽極１０５ｃとの間の電位差が検出され、記憶データが読み出される。
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【課題】 アノード電極周囲での放電を抑制する。
【解決手段】 電子線の照射によって発光する発光体と、該発光体に積層された第１導電膜と、該第１導電膜の外周と間隔を置くように、且つ該第１導電膜の外周を囲むように配置された第２導電膜と、を備える発光体基板であって、少なくとも、前記第１導電膜の前記外周に対向する前記第２導電膜の端部が、誘電体膜によって覆われている。 （もっと読む）