【課題】原子力施設や宇宙空間など高い放射線環境下で使用が可能な高い耐放射線性能を有する耐放射線素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】透光性の窓を有する真空容器と、真空容器内の透光性の窓の内側に配設された透明電極アノードと、透明電極アノードよりも内側に設けられ、透光性の窓を介して受光した光から正孔を発生させるｎ型半導体、ｉ型半導体、ｐ型半導体からなる光電変換膜と、真空容器内において、光電変換膜と間隔をおいて配設された電界放出型の冷陰極電子源と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化ガリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】電子源を高密度にタイリングする。
【解決手段】複数の電子源ブロック３４を基板３２上にタイリングして電子源を製造する方法であって、電子源ブロック３４を下面より吸着ユニット４５で吸着する工程と、この吸着ユニット４５で吸着された電子源ブロック３４をタイリング板３３上にタイリングする工程と、この電子源ブロック３４がタイリングされたタイリング板３３を基板３２上に接合する工程と、を備え、前記タイリング板３３は、吸着ユニット４５が移動可能な切りかきを有した構成とした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化亜鉛で構成される。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍作用を両立させる光導電ターゲット及びこれを用いた撮像管、撮像デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】第１の動作電界において、入射する光を吸収して電荷に変換する光キャリア生成層２３と、
該光キャリア生成層で生成した前記電荷を第２の動作電界でアバランシェ増倍するアバランシェ増倍層２５と、
前記光キャリア生成層と前記アバランシェ増倍層との間に設けられ、前記光キャリア生成層で生成された前記電荷を蓄積して正極性に帯電することで、前記キャリア生成層の内部電界を前記第１の動作電界に、前記アバランシェ増倍層の内部電界を前記第２の動作電界にするように電界を調整する電界調整層２４と、
該電界調整層と前記光キャリア生成層との間に挿入され、前記光キャリア生成層と前記電界調整層との距離を拡大して、前記光キャリア生成層の内部電界の変動を低減する電界安定化層２７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画面欠陥を抑制することができる光導電素子及びその製造方法、撮像デバイス及びその製造方法、並びに導電膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、該透光性基板の上に形成された酸化インジウムを主成分とする導電膜２０と、該導電膜上に正孔注入阻止層３１を介して形成された光導電膜３２とを含む光導電素子４０であって、
前記導電膜は、１μｍ×１μｍの領域における算術平均粗さが０．１５ｎｍ以下の平坦度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像管と同等の耐放射線性を持った撮像素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】撮像素子２０は、透光性の窓１０を有する真空容器ＶＣと、前記真空容器内において、第１の方向に走る、ストライプ状の、複数の透明電極アノード９と、前記窓を介して受光した光を正孔に変換する、光電変換膜８と、前記正孔を読み取るための電子を放出する、前記第１の方向と交わる第２の方向に走る、ストライプ状の、複数の電界放出型の冷陰極カソード７と、前記透明電極アノードのあるものと、前記冷陰極カソードのあるものと、の間に電圧を加え、これらの組み合せを順次変えることにより、映像信号の位置を特定する、電圧切り換え装置４Ａと、を備えるものとして構成され、この撮像素子を用い、放射線を遮蔽した状態と遮蔽しない状態の両方の信号を得ることが出来るものとして耐放射線カメラが構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜のハイライトキズの発生を効果的に抑制し、安定して撮像を行うことができる撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像面に入射した光Ｌを電荷に変換するとともに、該電荷をアバランシェ増倍作用により増加させる光電変換膜２３を有し、該光電変換膜に蓄積された電荷を読み取ることにより撮像を行う撮像装置１００、１００ａ〜１００ｃであって、
前記撮像を行う前に、前記光電変換膜の前記撮像面に紫外線を照射する紫外線照射手段５０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】光導電型の撮像管における光電変換効率を所望のレベルまで向上させる上において、より簡易な構成でかつ低製造コストで製造することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】電子ビームが走査され、入射した光の像を内部光電効果に基づいて電気信号に変換し電荷パターンとして蓄積するための光導電膜１２の光入射側に、直径５０ｎｍ以下のナノ微粒子２１を含む基板１３を配設することにより、そのナノ微粒子２１に光を吸収させ、この吸収させた光に基づいて近接場光を少なくとも光導電膜１２へ滲出させ、この滲出させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて光導電膜１２における内部光電効果の効率を向上させる。 （もっと読む）