【解決手段】光電陰極と電子増倍器は真空透光容器内に設置され、電子収集極と電力供給極は真空透光容器を通過して外部回路と接続され、光電陰極は真空透光容器の内面全体を被覆し、電子増倍器は真空透光容器の内部中心に設置されて、光電陰極からの各方向の光電子を受けて増倍電子を生成する。光電陰極の面積を有効的に拡大し、単位受光面積あたりの光検出効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】紫外光を検出する光電子増倍管において、ソーラブラインド特性を高精度に実現できる光電子増倍管を提供する。
【解決手段】光電子増倍管１は、被検出光を取り込むための受光面板１１を有する真空容器１０と、真空容器１０内に設けられ、被検出光を光電変換して光電子を放出する光電面２０と、二次電子放出面を有し真空容器１０内に配設された複数段のダイノード２５ａ〜２５ｈを含み、光電面２０から放出された光電子を二次電子増倍する電子増倍部２４とを備える。光電面２０は、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）を含む。電子増倍部２４の複数段のダイノード２５ａ〜２５ｈのうち、光電面２０から光電子を受ける第１段目のダイノード２５ａを含んで連続するダイノード２５ａ〜２５ｄは、ベリリウム銅合金基板と、該ベリリウム銅合金基板に形成された酸化ベリリウムを含む二次電子放出面とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高い特性を有する光電面、並びに、それを備える光電子増倍管、Ｘ線発生装置、紫外線イメージ管及びＸ線イメージインテンシファイアを提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電面は、基板上に、組成式Ｍｇ_ｘＺｎ_{（１−ｘ）}Ｏ（０＜ｘ＜１）にて表わされる酸化マグネシウムと酸化亜鉛との混晶層を製膜した光電面であって、真空中に光電子を放出することを特徴とする。この光電面によれば、（１）大面積の光電面が可能、（２）湾曲した基板やプラノコン面上に曲面の光電面を作製可能、（３）低コストで作製可能であり、高い特性が得られる。また、真空中で光電子を放出するため拡張性が高く、外部光電効果を利用するため高い光電効果を得ることができる。 （もっと読む）

光検出装置１は、真空容器１０内に配置された光電面３０及び電子増倍部５０を含む。これらにより光電子増倍管が構成される。光検出装置１は、光信号Ｌが流れる光ファイバ２０を備え、光電面３０が光ファイバ２０の端面２７上に形成されている。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のバナジウム酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。バナジウム酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のタングステン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。タングステン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のモリブデン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。モリブデン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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【課題】 高感度な特性を安定して得ることができる光電陰極板、及びそのような光電陰極板を用いた電子管を提供する。
【解決手段】 光電子増倍管１では、光電陰極板２３Ａにおける半導体電子放射層５１と、電子放出部５９に電気的に接続された第１の電極６５との間に絶縁層６３が形成されている。この絶縁層６３によって、電子放出部５９における半導体電子放射層５１の露出部分に活性層６１を形成する前の段階で、光電陰極板２３Ａを高温でヒートクリーニングすることができる。これにより、電子放出部５９における半導体電子放射層５１の露出部分を効果的に清浄化することができ、当該露出部分の物性を安定化させることが可能となる。この結果、光電陰極板２３Ａ及びこの光電陰極板２３Ａを用いた光電子増倍管１では、より高感度な特性を安定して得ることができる。 （もっと読む）