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国際特許分類[H01J43/12]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 二次電子放出管;電子増幅管 (159) | 電子増倍器 (158) | 電極装置 (113) | 陽極装置 (7)

国際特許分類[H01J43/12]に分類される特許

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【解決手段】光電陰極と電子増倍器は真空透光容器内に設置され、電子収集極と電力供給極は真空透光容器を通過して外部回路と接続され、光電陰極は真空透光容器の内面全体を被覆し、電子増倍器は真空透光容器の内部中心に設置されて、光電陰極からの各方向の光電子を受けて増倍電子を生成する。光電陰極の面積を有効的に拡大し、単位受光面積あたりの光検出効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】 耐震性および電極の位置精度が高く、検出感度の高い放射線検出装置および光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 側管15の一側端部に受光面板13を、他側端部にリング状側管37を介してステム50を気密に接合して構成された真空容器18内に、受光面板13に設けられた光電面14側から、フォーカス電極17、ダイノードDy1〜Dy9、アノード25、およびダイノードDy10を配置する。ダイノードDy10は、ステム50上に設けられたスペーサ33および位置決め用突起31上に支持される。アノード25は支持部材21上に載置される。フォーカス電極17およびダイノードDy1〜Dy9、アノード25は互いに支持部材21と同軸上にある層間体23を介して積層され、耐震性が高い。アノード25、ダイノードDy10間には絶縁物を介さないので、発光を抑制し、ノイズ低減が可能になる。 (もっと読む)


【課題】 電極積層方向の固定強度および耐震性に優れ、検出感度が高い光電子増倍管および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】 側管15の一側端部に受光面板13を、他側端部に管状部材31を介してステム29を気密に接合して構成された真空容器内に、光電面14、フォーカス電極17、ダイノードDy1〜Dy12、引き出し電極19、およびアノード25を配置する。ダイノードDy1〜Dy12とアノード25とは互いに対応した複数チャネルを有する。引き出し電極19は、ステムを貫通した導電性の支持ピン21上に載置され、ダイノードDy1〜Dy12は互いに絶縁部材23を介して積層される。支持ピン21と絶縁部材23とは同一軸上にあり、z軸方向に圧力をかけて各電極を固定できるとともに、アノード25、引出し電極19間での発光を抑制し、ノイズ低減が可能になる。 (もっと読む)


【課題】 応答速度を確保しつつ光検出感度の向上を図ることが可能な電子管を提供すること。
【解決手段】 この電子管1は、内部が真空に保持された外囲器2と、外囲器2の入力面板3の真空側に形成された光電面10と、外囲器2の内部において光電面10と対向するように設けられ、光電面10から放出された電子を電気信号に変換する半導体素子11と、外囲器2の内壁に沿って光電面10と半導体素子11との間で所定の間隔を空けて、光電面10に電気的に独立されて配設され、電子を通過させる開口部をもった複数の電極とを備え、複数の電極のうち光電面10に最も近い位置に配置された中間電極6aには、光電面10に対して正の電圧が印加され、複数の電極のうち中間電極6aと半導体素子11との間に配置された中間電極6bには、中間電極6aに印加される電圧以下の電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】 電子増倍チャネル間のクロストークを効果的に抑制し高い検出精度を実現する微細構造の光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 内部が真空に維持された外囲器を備え、該外囲器内に、光電面(22)と、電子増倍部(31)と、陽極(32)が配置されている。電子増倍部(31)は光電子をカスケード増倍するための溝部を電子増倍チャネルとして有し、陽極(32)はそれぞれが壁部(311)で規定された溝部に対応するチャネル電極(320)により構成されている。特に、各チャネル電極(320)は、その一部が対応する溝部を規定する一対の壁部で挟まれた空間内に配置されている。 (もっと読む)


【課題】 暗電流の増加を抑制することが可能な電子検出装置を提供する。
【解決手段】 電子検出装置1は、光電面11を有する光電面板10と、光電面11から放出された電子の進路を制限する電子遮蔽部材60と、電子の入射に応じて信号を出力する電子検出器40と、を備える。電子遮蔽部材60は開口部62を有しており、かかる開口部62は電子検出器40のp層45上に位置している。よって、光電面板10の光電面11から放出された電子を、電子入射面であるp層45の表面に入射させることができる。また、電子遮蔽部材60は電子検出器40に極めて近接して配置され、かつ開口部62の周縁はp層45の周縁よりも内側に位置している。よって、pn接合領域51の上面、すなわちpn接合領域の露出面は電子遮蔽部材60により覆われることとなるため、pn接合領域51の露出面への電子及びX線の入射を防止することができる。 (もっと読む)


電子検出デバイスは、電子のソースを提供するためのカソード(6、50)、および、このカソードから放射される電子を受け取るための、このカソードの反対側に配置されたアノード(8、80、83、86、89)を含んでいる。このアノードは、この電子検出デバイスの出力信号におけるハローを低減する模様付きの表面を含んでいる。この模様付きの表面は、ピット(85)、または、逆ピラミッド(87)のいずれかを含んでいてもよい。
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