【目的】 イオンビームミキシング方法で基板上に成膜する場合、成膜速度、膜質、基板と膜の付着力の改善を目的とする。
【構成】 ミキシングチャンバー１７内のターゲット７にＡｒ⁺ イオンビーム６を入射させてスパッタ原子８を放出せしめ、一方基板１１にはＮ₂ ⁺ イオンビーム９を走査しながら照射すると共に、ミキシングチャンバー１７内には反応ガス１５を導入し、かつ光源１３から光１３ａ（主として紫外線）を基板１１の表面、反応ガス１５及びスパッタ原子８に照射して基板１１上にスパッタ原子８による成膜と同時にミキシングされたミキシング膜１６を成長させるように構成したものである。 （もっと読む）

【目的】 簡易で、再現性の良い細線形成方法を得る。
【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板を、第１の溶液でエッチングし、その後、第２の溶液で処理し、基板／エピ界面の不純物の偏析現象が変わることを利用して、１回のエピタキシャル成長を施すことにより、細線を形成する。
【効果】 細線形成を簡易に再現性良く実施できる。 （もっと読む）

【目的】 結晶性に優れた窒化ガリウムアルミニウムの混晶膜が得られる結晶成長方法を提供することにより、シングルヘテロ、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード、レーザーダイオードを実現する。
【構成】 薄膜のＧａＮ層と薄膜のＡｌＮ層とを交互に成長させた多層膜層を成長させ、さらにその多層膜層のＧａＮ層とＡｌＮ層のそれぞれの総膜厚の比が窒化ガリウムアルミニウム半導体のモル比に対応しているように、ＧａＮ層とＡｌＮ層とを成長させる。 （もっと読む）

【目的】 分子線結晶成長装置に関し、分子線源セル用シャッタ板に付着した分子線が液状に蓄積し、これが落下または飛散しても分子線源セル用シャッタ板駆動手段や基板ホルダ位置調節手段に設けられた気密保持用のベローズが損傷を受けることのないようにされてなる分子線結晶成長装置を提供することを目的とする。
【構成】 分子線源セル用シャッタ板駆動手段15が気密的に真空容器11を貫通することを許す第１のベローズ５と、基板ホルダ位置調節手段18が気密的に真空容器11を貫通することを許す第２のベローズ５とを有する分子線結晶成長装置において、第１及び第２のベローズ５の下部には、少なくともベローズ５の伸縮可能長さに対応する高さを有する基部７が設けられ、少なくとも第１及び第２のベローズ５の伸長時の長さに対応する長さを有する外筒８がベローズ５を包囲してベローズ５の上端に接続されるように構成される。 （もっと読む）