【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有する有機光電変換素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた陽極１２、陰極１３、ｐ型半導体材料とｎ型半導体材料を含む光電変換層１４を備える有機光電変換素子の製造方法において、ｐ型半導体材料もしくはｎ型半導体材料のいずれか一方の貧溶媒を含む層を塗布により形成した後、光電変換層１４を塗布法により形成することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム（Ｇｅ）半導体を自己組織的に実現するＧｅ半導体製造方法。
【解決手段】 シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）からなるＳｉＧｅ薄膜を融液成長により固化させ、結晶化されたＳｉＧｅ薄膜中に自己組織的に出現したＧｅ偏析に起因するＧｅ高濃度構造を形成する。さらに酸化濃縮技術を利用してＧｅ濃度を高めることを特徴としたＧｅ半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】少なくとも内側の表面がＰｔに代表される貴金属製である反応容器６に原料７とアンモニア溶媒を充填して反応容器６を密閉した後、さらに反応容器６を反応容器６とは別の耐圧性容器３内に挿入し、反応容器６と耐圧性容器３との間の空隙に第二溶媒を充填して耐圧性容器３を密閉した後、昇温して窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温で炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉄（Ｆｅ）とケイ素（Ｓｉ）とを含みＳｉのモル分率が３３モル％以上５０モル％未満であるＦｅ−Ｓｉ合金を、グラファイト基板（炭素源固体）２２上で１２１０℃以上１５００℃未満の温度で溶融させ、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２にＳｉＣ種結晶（種結晶）２１を接触させる。更に、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に、グラファイト基板２２側が高温でＳｉＣ種結晶２１側が低温の温度勾配を発生させる。グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。 （もっと読む）

【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、欠陥のない有機分子膜被覆ナノ結晶粒子を提供するのみならず、これを含む有機分子膜被覆ナノ粒子の製造工程を極めて簡便にすることができた製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ナノ結晶粒子の表面が有機分子膜にて被覆されてなる有機分子膜被覆ナノ結晶粒子であって、前記ナノ結晶粒子の表面全体が有機分子膜にて被覆されていることを特徴とし、有機分子膜被覆ナノ粒子の製造方法であって、ナノ粒子の母材となるターゲット材料を表面修飾用の有機分子液中に浸漬した状態でレーザー照射し、前記ターゲット材料から前記有機分子液中にナノ粒子を放散させ、その表面に前記有機分子を結合させることを特徴とする。
本発明は、上記の製造方法において、前記ターゲット材料が、前記レーザー照射によって放散されたナノ粒子の表面に酸化膜が生じない性質を有することを特徴とし、前記ターゲット材料が、予め表面を水素終端化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
（もっと読む）

【課題】ドープシリコン膜中にドープ材料を多く残留させるドープシリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ドープシリコン膜１１０の製造方法は、液体材料１０８を塗布して塗布膜１０９を形成する工程と、塗布膜１０９を熱処理する工程と、を含み、液体材料１０８がシラン化合物１１とドーパント化合物１２とを含む溶液に、第１の光源１１１から射出される第１の光と、第２の光源１１２から射出される第１の光と波長の異なる第２の光とを照射することで得られるシリコン前駆体組成物を含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガリウム及びナトリウムが含まれる融液に窒素ガスを供給することにより窒化ガリウム基板を製造する方法において、坩堝出し入れにかかわる作業性が向上しうる基板製造装置を提供する。
【解決手段】加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 （もっと読む）