【課題】塗布法を適用したより簡便な方法で導電性の高いコンタクト層とイントリンシックなシリコン層とを積層させた構成のシリコン薄膜を得る方法を提供する。
【解決手段】鎖状の高次シラン化合物Ｂと、金属Ｍを含有する化合物と、高次シラン化合物Ｂよりも沸点が低く金属Ｍと相互作用する化合物からなる溶媒Ｃとを混合した塗布液を調整する。塗布液を用いて基板１上に塗布膜３を形成する。塗布膜３中から溶媒Ｃを除去して乾燥させる。この際塗布膜３を加熱する。これにより、表面側において金属Ｍの含有量が多いシリコン薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化を抑制してＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を製造する、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ６内に、原料９、１０と封止剤１２とドーパント１１とを配置する。原料９、１０を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤１２の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤１２の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント１１として配置する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

ＩＶ族系ナノ粒子流体が開示される。ナノ粒子流体が、ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量において存在する一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含有する。また、ナノ粒子流体は、ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量において存在する一群のＨＭＷ分子を含有する。さらに、ナノ粒子流体は、少なくとも一部のキャッピング剤分子が一群のシリコンナノ粒子に結合している一群のキャッピング剤分子を含有する。
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【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面を、表面粗さＲａが５ｎｍ以下かつ反りの曲率半径が２ｍ以上になるように加工する工程と、加工がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）

【課題】冷却固化したフラックスの中から短時間のうちに結晶を取り出すことができるようにした結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理槽３００内に坩堝１０７を収納させ、この坩堝１０７を処理槽３００内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理槽３００内にフラックス処理溶液３０１を流入させ、坩堝１０７内には、種基板と、この種基板上に生成された結晶２０５と、これらの種基板および結晶２０５を覆ったフラックス２０４とが収納された状態とし、フラックス処理溶液３０１の気液界面に対して種基板を傾斜させる傾斜手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）