【目的】裏面電極上に形成されたｐ型化合物半導体からなる光吸収層の上にヘテロ接合のためのｎ型のバッファ層を設けてなる化合物薄膜太陽電池の製造方法にあって、ＣＢＤ法によりバッファ層を形成するに際して、溶液の混合および温度を制御することによって光吸収層の界面へのｎ型ドーパントの拡散とバッファ層の形成の最適化を図って接合性の良い特性の安定したｐｎ接合を得ることができるようにする。
【構成】光吸収層の界面へｎ型ドーパントを拡散させる第１の工程と、表面反応律速領域による第１のバッファ層６１を形成する第２の工程と、供給律速領域による第２のバッファ層６２を第１のバッファ層に重ねて形成する第３の工程とをとるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体工業や光通信工業で使用できる超高純度のシリカ粉、特に単結晶引上げ用ルツボの製造原料としてもまた、ＬＳＩの封止剤用充填物として有用なシリカ粉、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】珪酸アルカリ水溶液から製造した超高純度シリカ粉であって、鉄成分の含有量が８０ｐｐｂ以下である超高純度シリカ粉および珪酸アルカリ水溶液から生成した高純度含水シリカゲルを高温加圧下で無機酸処理したのち、１０００℃以上の温度で焼成する超高純度シリカ粉の製造方法、並びに前記超高純度シリカ粉から得られた結晶引上げ用ルツボ。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、いわゆる種絞り（ネッキング）を行うことなく、シリコン単結晶を製造する方法において、その単結晶化の成功率を向上させることができる、シリコン種結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でシリコン単結晶棒を製造する際に用いるシリコン種結晶において、シリコン融液に接触させる先端部の形状が、尖った形状または尖った先端を切り取った形状であり、その最大頂角が３度以上２８度以下であるシリコン種結晶。この場合、先端部をエッチングしたものとするか、チョクラルスキー法によって形成した丸め部を利用しても良い。そしてこのような種結晶を用いて、ネッキングを行うことなく、所望径のシリコン単結晶棒を育成させる。 （もっと読む）

【目的】 ＣＺ法による半導体単結晶の製造において、特に大径の半導体単結晶引き上げのためのリチャージまたは追チャージに当たり、安価で、生産性のよい供給素材を提供する。
【構成】 リチャージ法、追チャージ法において一般的に使用されている通常の太さの多結晶シリコンロッド（以下ロッド材という）１，２の端部にそれぞれ環状の溝１ａ，２ａを設ける。連結部材３は断面がコの字状で、シリコンからなる。ロッド材１，２の端部を当接し、前記溝１ａ，２ａに跨がって複数個の連結部材３の凸部を嵌着することにより、前記ロッド材１，２を長手方向に連結する。ロッド材１，２のそれぞれの長さは任意でよいが、連結された供給素材の重量、すなわち複数のロッド材と連結部材との合計重量が溶解すべき多結晶シリコンの重量と釣支部分の重量との和以上になるように、供給素材の全長を調整する。 （もっと読む）

【目的】 ＬＥＣ法によりリネージのない良好な化合物半導体単結晶を育成することのできる単結晶成長装置を提供する。
【構成】 るつぼ２の上方から封止剤４の上面近傍まで垂下して育成結晶７の側方を覆うスカート部６Ａを有する熱遮蔽体６を備えており、結晶側面及び封止剤上面からの放熱を抑制し、結晶外周部の温度低下を防止して結晶７と原料融液８との固液界面を下凸状に保つ。スカート部６Ａの内径Ｘ1 は、直胴部の直径の１．１〜１．６倍、より好ましくは１．２〜１．４倍の大きさである。スカート部６Ａの下端と封止剤４の上面との距離Ｌは、０mmよりも大きく２mm以下、より好ましくは０．５〜１．５mm以下である。スカート部６Ａの熱容量は、室温において３０〜１００Ｊ／Ｋ以下、より好ましくは４０〜８０Ｊ／Ｋ以下である。
【効果】 結晶育成中、固液界面形状が下凸状に保たれ、リネージの発生が防止されるので、育成した単結晶から取得できるウェハの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【目的】 高品位な単結晶を生産性良く得ることができるとともに、高い製品歩留を確保することができる単結晶引上装置を提供すること。
【構成】 石英ルツボ３内のメルト１４Ａにポリシリコン１４Ａを連続的に供給しながら単結晶１７を育成させる単結晶引上装置１において、前記チャンバー２内の前記石英ルツボ３の上方にアッパーリング７を設置し、チャンバー２内上部から下方に延在するカーボン筒１０を前記アッパーリング７に上下動自在に貫通せしめる。本発明によれば、メルト１４Ａの表面からの輻射熱はアッパーリング７によって石英ルツボ３側に再反射され、アッパーリング７の断熱効果によってアッパーリング上方への伝達が遮断されるため、チャンバー２内のアッパーリング７より下方の空間が保温され、石英隔壁１２近傍や原料供給部におけるメルト１４Ａの固化が防がれて単結晶１７の育成速度ＳＥが高められる。 （もっと読む）

【目的】 化合物半導体単結晶を融液より育成させた後、坩堝内の当該化合物半導体単結晶を該坩堝から取出すことを容易にする。
【構成】 化合物半導体単結晶の育成が終了した後、種結晶を坩堝に対し相対的に上部に移動させ、当該単結晶を坩堝および残留液体封止剤から分離させることを特徴とする。 （もっと読む）