国際特許分類[H01L21/208]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長 (11,073) | 液相成長を用いるもの (330)
国際特許分類[H01L21/208]に分類される特許
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シリコン層の製造方法
本発明は、一般式SiaH2a+2(式中、a=3〜10)の少なくとも1種のヒドリドシランから製造可能な少なくとも1種の高級シランを基板上に塗布し、引き続き熱的に、主にシリコンからなる層に変換し、その際、この高級シランの熱的変換は500〜900℃の温度でかつ≦5分の変換時間で行う、基板上にシリコン層を熱的に製造する液相法、前記方法により製造可能なシリコン層及びその使用に関する。 (もっと読む)
半導体装置及びその製造方法
【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリコン窒化膜2が形成されたシリコン粒子1(ナノ粒子)が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各シリコン粒子1は、その3軸が直交する位置にある4個のシリコン粒子1が面心の位置にあるシリコン粒子1に接触している。これにより、シリコン粒子1等の各導電体粒子が、シリコン窒化膜2等の絶縁膜により絶縁分離されて、ほぼ等間隔で配置された量子ドットが形成され、この層は半導体としての性質を有する。シリコン粒子1は、面心立方格子の位置に限らず、体心立方格子等の最密充填の位置似配置してもよい。
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SiC単結晶の製造方法
【課題】溶液法によって安定した品質のSiCを長時間製造し得るSiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により、SiCとCと前記2成分以外の溶液成分を含む原料溶液3からSiC種結晶基板9上にSiC単結晶を成長させる方法であって、SIC成長開始前にはCを溶解させる工程を有し、SIC成長開始後にはSiCを補給する工程を有する。ここで、SiCを補給する工程は、溶液3内であってSiC種結晶基板9の支持棒5と黒鉛坩堝2との間に設けたSiC製の遮蔽壁4から補給する工程である。
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半導体膜の製造方法及びその方法により得られた半導体膜を有する半導体基板
【課題】塗布形成により薄く、かつ深さ方向に焼結が進行した半導体膜を製造することができる半導体膜の製造方法、その方法により得られた半導体膜を有する半導体基板、及び該半導体基板を備えた電子部材を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体微粒子分散体を含む塗布液を塗布又はパターン状に印刷して塗布液層を形成した後、この塗布液層を焼成処理して半導体膜を形成する半導体膜の製造方法であって、該半導体微粒子分散体が半導体微粒子とカルボン酸無水物類とを含み、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに該塗布液層を晒すことにより、該塗布液層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体膜の製造方法である。
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SiC単結晶製造方法、およびそれを用いて製造するSiC結晶
【課題】低い格子欠陥密度で良質なSiC単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるSiC単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】SiC単結晶基板15とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層16とを接触させることによって、基板15上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板15との接触部とは反対側の融液層16の表面16b側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマ17を供給し、かつ融液層16の基板15との接触部における温度を融液層16の表面16bにおける温度より低くする。
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炭化珪素単結晶の製造方法
【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のSiC単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】SiまたはSiと他の金属との合金からなる融液にCが溶解している原料溶液5に結晶成長用基板1を浸漬し、少なくとも基板1の近傍の溶液5を過飽和状態とすることによって基板1上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法において、(1)融液の材料が少なくとも1種の酸化物を含む、(2)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(3)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも1つに手法によって、原料溶液5中に酸素を含有させながら、SiC単結晶を成長させる。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体粒子1(ナノ粒子)が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各絶縁体粒子1は、その3軸が直交する位置にある4個の絶縁体粒子1が面心の位置にある絶縁体粒子1に接触している。そして、導電体粒子2(ナノ粒子)が絶縁体粒子1の相互間の隙間に位置する。この絶縁体粒子1の直径をRとすると、立方格子の1辺の長さaは、√2×Rとなる。導電体粒子2は、接触していない絶縁体粒子1の相互間の隙間に位置するので、導電体粒子2の直径は、a−R以下であればよい。導電体粒子の代わりに、半導体粒子を使用することもできる。
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テンプレートと、このテンプレートの製造方法と、このテンプレートを用いて育成した結晶と、この結晶の製造方法および製造装置
【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート1の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第2の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のGaN結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にGaN結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたGaN結晶のクラックを抑制することができ、GaN結晶の品質を向上することができる。
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III族窒化物結晶基板の製造方法
【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程とを含み、第2のIII族窒化物結晶3の転位密度が1×107個/cm2以下であり、第2のIII族窒化物結晶3の表面が表面粗さRP-Vで0.5μm以下に平坦化される。
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半導体記憶素子の製造方法
【課題】金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成されたトンネル絶縁膜に対向するように配置された第2の基板21との間に、金属ナノ粒子が分散された粒子分散液22を充填する充填工程と、トンネル絶縁膜の表面に沿った方向に、第2の基板21をシリコン基板1に対して相対的に移動させることにより、トンネル絶縁膜の表面における第2の基板21から露出した領域に形成される粒子分散液22のメニスカス領域23において、粒子分散液22の溶媒を蒸発させることにより、トンネル絶縁膜上に金属ナノ粒子を離散的に配置する。
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