【課題】バーティカル型のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域からベース領域にかけて存在する界面準位を安定に低減することを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】バーティカル型のバイポーラトランジスタ１０は、シリコン基板１に形成されたＰ型のベース領域１３と、シリコン基板１に形成されてベース領域１３に接するエミッタ領域１５と、シリコン基板１の表面であってベース領域１３とエミッタ領域１５との境界部２１上に形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７上に形成されたポリシリコンパターン１９と、を有する。シリコン酸化膜１７とシリコン基板１との界面に塩素が１×１０^１７ｃｍ^−３以上の濃度で存在する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な工程でドナー濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｎ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、ドナー元素を含むガラス層を形成する工程と、ガラス層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記ガラス層を除去する工程と、を有するｎ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅを拡散した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法を提供する。特性を向上できる半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＳｂ基板１２上にＧａＳｂを含む層を成長することにより、エピタキシャルウエハを形成する。Ｓｂ元素とＴｅ元素とを有する化合物を用いて、エピタキシャルウエハの表面側からＴｅを拡散する。半導体装置の製造方法は、上記半導体ウエハの製造方法により半導体ウエハを製造する工程と、半導体ウエハにおいてＴｅが拡散された領域に電極を形成する工程とを備える。半導体装置は、フォトダイオードであることが好ましい。センサアレイ３０の製造方法は、フォトダイオード２０を複数形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】意図しない製品特性のバラツキを抑制することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、不純物拡散炉内において、炉奥から炉口に向けて並ぶ複数の半導体ウェハチャージ位置Ｐ０〜Ｐ１２に、製品ウェハ１１１〜１２２又はダミーウェハ１１０を配置するステップと、製品ウェハ１１１〜１２２及びダミーウェハ１１０が配置された横型拡散炉内において不純物ガスを流すステップとを有し、複数の製品ウェハの全て又は一部と少なくとも１つのダミーウェハとから成る複数の半導体ウェハをウェハグループとし、半導体ウェハの炉奥を向く面をおもて面とし、半導体ウェハの炉口を向く面を裏面としたときに、共通のウェハグループ内の複数の製品ウェハ１１１〜１２２のおもて面に対向する隣接する半導体ウェハの裏面は、同じ構造の面である。 （もっと読む）

【課題】ガス導出管から拡散チューブ内部に導入されるバブリングガス中の拡散源の濃度が変化し、拡散後の半導体基板のバッチごとのシート抵抗値のばらつきをもたらし、完成した半導体素子の性能のばらつき及び歩留り低下の原因となっていた。
【解決手段】加熱炉内に設置された基板の表面に、特定物質を含有したキャリアーガスを供給することにより、前記基板に前記特定物質を拡散させる拡散装置であって、前記特定物質を含有した液体を霧化させることにより、前記キャリアーガスに前記特定物質を含有させる霧化機構を備えたこと。 （もっと読む）

本発明は、反応ガスおよびガスの形態のホウ素前駆体の搬送ガスの注入手段が内部に設けられたウォールを一端に含む炉のエンクロージャ内の支持台上に設置されたシリコンウェハのホウ素ドーピング方法であって、ａ） 酸化ホウ素Ｂ２Ｏ３ガラス層を形成させるために、エンクロージャ内で、１ｋＰａから３０ｋＰａまでの圧力かつ８００℃から１１００℃までの温度で、反応ガスを搬送ガス内に希釈させた三塩化ホウ素ＢＣｌ３と反応させるステップと、ｂ） １ｋＰａから３０ｋＰａまでの圧力でＮ２＋Ｏ２の雰囲気下でシリコン内でホウ素の分散を行うステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。前記ドーピング方法を実施するための炉、ならびに特に太陽電池に適用する大型ホウ素ドープシリコンウェハの製造への本方法の適用もまた特許請求の範囲である。
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【課題】ウェーハ表層の酸素濃度を高め、この表層の高強度化を図ることが可能な半導体ウェーハの表層高強度化方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。その後、表層を除く部分は溶融させず、表層のみを高エネルギ光の照射により溶融させる。これにより、表層に導入された酸素が表層の全域に熱拡散し、その後、これを冷却して固化させることで、表層が高酸素濃度領域部となる。その結果、ウェーハ表層の酸素濃度を高め、この表層の高強度化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 （もっと読む）