【目的】 安定した高いゲート耐圧が得られ，信頼性の高い絶縁注入技術を得る。
【構成】 注入イオンプロファイルがバッファ層９内においてピークｇを持ち、アイソレーション破壊緩和層として作用する部分を有する第１のイオン注入領域３を形成する。これにより、熱処理において注入イオンの深さ方向の分布があってもこれは深さ方向に均一化されるように拡散し、熱的に安定した注入イオン濃度、ひいては安定したデバイス特性が得られる。
【効果】 絶縁領域とゲートとの界面における電界集中を緩和し、安定した高いゲート耐圧を確保でき、信頼性の高いデバイスを提供できる。 （もっと読む）

【目的】 単結晶質フィルムの製造に適用可能な薄い半導体材料フィルムの製造方法を提供する。
【構成】 薄い単結晶質又は多結晶質半導体材料フィルムの製造方法は、平面を有する半導体材料ウェーハを、以下の３つの段階：基板のバルクを構成する下方区域６と薄いフィルムを構成する上方区域５とを前記ウェーハの容積部内に限定する微小気泡の層３を前記ウェーハの容積部に生じる、イオンにより行われる前記ウェーハ１の面４へのボンバード２による注入の第１段階と、前記ウェーハの平面４を、少なくとも１つの剛性材料層からなる補剛材７と密着させる第２段階と、イオンボンバード２が実施される温度よりも高く、且つウェーハ１中の結晶再配列作用及び微小気泡内の圧力作用により薄いフィルム５と基板６のバックとを分離させるのに十分な温度で前記ウェーハ１と前記補剛材７とのアセンブリを熱処理する第３段階とに付すことを包含することを特徴とする。 （もっと読む）