電荷結合素子の製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ素子の転送領域を形成するのに利用される濃度勾配を有する不純物導入領域を有する電荷結合素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ素子の転送領域を形成する方法を図５の製造工程図により説明する。図５の（１）に示すように、通常のプロセスによって、半導体基板４１の上面に、絶縁膜４２を介して１層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、１層目の転送電極を形成する膜よりなる１層目の転送電極４３，４４を形成する。そして、例えば１層目の転送電極４３，４４間に形成される２層目の転送電極（図示せず）の転送領域におけるポテンシャルを改善する場合には、前記１層目の転送電極４３，４４を形成した後、レジスト膜（図示せず）を成膜し、続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記レジスト膜でレジストマスク６１を形成する。
【０００３】次いで図５の（２）に示す如く、上記レジストマスク６１と転送電極４３，４４とをイオン注入マスクにしたイオン注入法によって、半導体基板４１の上層に不純物４５（例えばホウ素）をイオン注入する。そして、ポテンシャルが階段状になるような転送領域４６を形成する。次いでレジストマスク６１を除去する。その後図５の（３）に示すように、通常のプロセスによって、２層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜した後、通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、２層目の転送電極を形成する膜よりなる転送電極４７，４８を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方法によって形成したＣＣＤ素子では、例えば図６に示す如く、前記図５で説明した転送電極４７の下方の転送領域４６におけるポテンシャル５１が階段状に変化する。したがって、ポテンシャル５１がほとんど変化しない領域５２，５３が存在する。このため、この部分における転送効率は十分に改善されない。特に高感度を要求されるＣＣＤ素子の場合には、通常のＣＣＤ素子よりも高い転送効率が求められているが、十分な転送効率が得られない。したがって、高感度のＣＣＤ素子を形成することが困難になっている。
【０００５】本発明は、ＣＣＤ素子の転送効率を高めるような濃度勾配を有する不純物導入領域を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するためになされた電荷結合素子の製造方法である。すなわち、半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成される電荷結合素子の製造方法である。
【０００７】前記電荷結合素子の製造方法では、前記不純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾配をもって形成される。
【０００８】
【作用】上記電荷結合素子の製造方法では、第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するため、イオン注入マスクの厚い部分で覆われている半導体基板には、不純物が導入されない。またイオン注入マスクが徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板に導入される不純物濃度が濃くなる。この結果、半導体基板に形成される不純物導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布になる。
【０００９】
【実施例】本発明の電荷結合素子の製造方法に係る実施例を、図１〜図４によって説明する。まず、図１によってイオン注入マスクの製造方法を説明する。図１の（１）に示す如く、第１の工程では、例えば通常のレジスト塗布技術によって、半導体基板１１の上面にイオン注入マスクを形成する膜として、例えばレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去し、当該レジスト膜１２でマスクパターン１３を形成する。
【００１０】次いで図１の（２）に示すように、第２の工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マスクパターン１３を軟化させる。そして当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１４を傾斜面に変形加工して、イオン注入マスク１５を形成する。
【００１１】その後図１の（３）に示す如く、第３の工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マスク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１に導入する。
【００１２】上記方法では、イオン注入マスク１５の端面１４を傾斜面に加工したことにより、イオン注入マスク１５の厚さは、その端部１６より徐々に厚くなる。このため、イオン注入マスク１５の厚い部分で覆われている半導体基板１１には、不純物１７が導入されない。またイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板１１に導入される不純物１７の濃度が濃くなる。この結果、図２に示すように、半導体基板（１１）に導入される不純物濃度は濃度勾配を有する分布になる。図２の縦軸は不純物濃度を示し、その横軸は前記図１に示した半導体基板（１１）における不純物導入位置を示す。
【００１３】次に上記図１によって説明した方法を利用した電荷結合素子（以下ＣＣＤ素子と記す）の製造方法を、図３の製造工程図により説明する。なお上記図１によって説明したと同様の構成部品には同一符号を記す。図３の（１）に示すように、半導体基板１１の上面には、ゲート絶縁膜２１が形成されている。このゲート絶縁膜２１の上面には、１層目の電極形成膜よりなる複数の転送電極２２，２３が形成されている。ここでは、上記転送電極２２，２３間の転送領域を、濃度勾配を有する状態に形成する方法を説明する。まず第１の工程として、通常のレジスト塗布技術によって、各転送電極２２，２３を覆う状態に、イオン注入マスクを形成する膜になるレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記転送電極２２，２３のうち、例えば転送電極２２にオーバラップする状態に、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去して、マスクパターン１３を形成する。
【００１４】次いで図３の（２）に示すように、第２の工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マスクパターン１３を軟化させることによって変形させ、当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１４を変形加工して傾斜面に形成する。この傾斜面は、例えば３０°程度の傾斜角度を有するように形成する。このようにしてイオン注入マスク１５を形成する。
【００１５】続いて図３の（３）に示すように、第３の工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マスク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１に導入する。このとき、転送電極２２，２３もイオン注入マスクの作用をする。そして半導体基板１１の上層に濃度勾配を有する転送領域１８を形成する。
【００１６】その後イオン注入マスク１５を、例えばアッシャー処理により除去する。次いで図３の（４）に示すように、例えば熱酸化法によって、転送電極２２，２３の各表面に絶縁膜２４を形成する。続いて例えば通常の化学的気相成長法によって、上記ゲート絶縁膜２１と上記絶縁膜２４との上面に２層目の電極形成膜（２５）を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、２層目の電極形成膜（２５）の２点鎖線で示す部分を除去して、転送電極２６，２７を形成する。上記のようにして、ＣＣＤ素子２０は形成される。
【００１７】上記方法では、イオン注入マスク１５の端面１４を傾斜面に形成したことにより、イオン注入マスク１５の厚さは、図の（３）に示すように、その端部１６より徐々に厚くなる、このため、ある一定以上の厚さを有する部分のイオン注入マスク１５で覆われている半導体基板１１には不純物１７が導入されない。またイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板１１に導入される不純物濃度は濃くなる。この結果、図４に示すように、転送領域１８のポテンシャルは勾配を有する。よって、この部分における電荷の転送効率は向上する。したがって、ＣＣＤ素子２０の転送効率が向上する。図４の縦軸はポテンシャルを示し、その横軸はＣＣＤ素子２０の転送領域の位置を示す。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するので、半導体基板に形成した不純物導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布になる。この結果、例えばＣＣＤ素子の転送領域を、濃度勾配を有する状態に形成することが可能になるので、ＣＣＤ素子の転送効率の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン注入マスクの製造工程図である。
【図２】不純物濃度分布の説明図である。
【図３】ＣＣＤ素子の転送領域の製造工程図である。
【図４】ＣＣＤ素子のポテンシャルの説明図である。
【図５】従来例の製造工程図である。
【図６】課題の説明図である。
【符号の説明】
１１ 半導体基板
１２ レジスト膜
１３ マスクパターン
１４ 端面
１５ イオン注入マスク
１７ 不純物
１８ 転送領域
２０ ＣＣＤ素子
２２ 転送電極
２３ 転送電極
２６ 転送電極
２７ 転送電極
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ素子の転送領域を形成するのに利用される濃度勾配を有する不純物導入領域を有する電荷結合素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＣＤ素子の転送領域を形成する方法を図５の製造工程図により説明する。図５の（１）に示すように、通常のプロセスによって、半導体基板４１の上面に、絶縁膜４２を介して１層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、１層目の転送電極を形成する膜よりなる１層目の転送電極４３，４４を形成する。そして、例えば１層目の転送電極４３，４４間に形成される２層目の転送電極（図示せず）の転送領域におけるポテンシャルを改善する場合には、前記１層目の転送電極４３，４４を形成した後、レジスト膜（図示せず）を成膜し、続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記レジスト膜でレジストマスク６１を形成する。
【０００３】次いで図５の（２）に示す如く、上記レジストマスク６１と転送電極４３，４４とをイオン注入マスクにしたイオン注入法によって、半導体基板４１の上層に不純物４５（例えばホウ素）をイオン注入する。そして、ポテンシャルが階段状になるような転送領域４６を形成する。次いでレジストマスク６１を除去する。その後図５の（３）に示すように、通常のプロセスによって、２層目の転送電極を形成する膜（図示せず）を成膜した後、通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、２層目の転送電極を形成する膜よりなる転送電極４７，４８を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方法によって形成したＣＣＤ素子では、例えば図６に示す如く、前記図５で説明した転送電極４７の下方の転送領域４６におけるポテンシャル５１が階段状に変化する。したがって、ポテンシャル５１がほとんど変化しない領域５２，５３が存在する。このため、この部分における転送効率は十分に改善されない。特に高感度を要求されるＣＣＤ素子の場合には、通常のＣＣＤ素子よりも高い転送効率が求められているが、十分な転送効率が得られない。したがって、高感度のＣＣＤ素子を形成することが困難になっている。
【０００５】本発明は、ＣＣＤ素子の転送効率を高めるような濃度勾配を有する不純物導入領域を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するためになされた電荷結合素子の製造方法である。すなわち、半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成される電荷結合素子の製造方法である。
【０００７】前記電荷結合素子の製造方法では、前記不純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾配をもって形成される。
【０００８】
【作用】上記電荷結合素子の製造方法では、第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するため、イオン注入マスクの厚い部分で覆われている半導体基板には、不純物が導入されない。またイオン注入マスクが徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板に導入される不純物濃度が濃くなる。この結果、半導体基板に形成される不純物導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布になる。
【０００９】
【実施例】本発明の電荷結合素子の製造方法に係る実施例を、図１〜図４によって説明する。まず、図１によってイオン注入マスクの製造方法を説明する。図１の（１）に示す如く、第１の工程では、例えば通常のレジスト塗布技術によって、半導体基板１１の上面にイオン注入マスクを形成する膜として、例えばレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去し、当該レジスト膜１２でマスクパターン１３を形成する。
【００１０】次いで図１の（２）に示すように、第２の工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マスクパターン１３を軟化させる。そして当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１４を傾斜面に変形加工して、イオン注入マスク１５を形成する。
【００１１】その後図１の（３）に示す如く、第３の工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マスク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１に導入する。
【００１２】上記方法では、イオン注入マスク１５の端面１４を傾斜面に加工したことにより、イオン注入マスク１５の厚さは、その端部１６より徐々に厚くなる。このため、イオン注入マスク１５の厚い部分で覆われている半導体基板１１には、不純物１７が導入されない。またイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板１１に導入される不純物１７の濃度が濃くなる。この結果、図２に示すように、半導体基板（１１）に導入される不純物濃度は濃度勾配を有する分布になる。図２の縦軸は不純物濃度を示し、その横軸は前記図１に示した半導体基板（１１）における不純物導入位置を示す。
【００１３】次に上記図１によって説明した方法を利用した電荷結合素子（以下ＣＣＤ素子と記す）の製造方法を、図３の製造工程図により説明する。なお上記図１によって説明したと同様の構成部品には同一符号を記す。図３の（１）に示すように、半導体基板１１の上面には、ゲート絶縁膜２１が形成されている。このゲート絶縁膜２１の上面には、１層目の電極形成膜よりなる複数の転送電極２２，２３が形成されている。ここでは、上記転送電極２２，２３間の転送領域を、濃度勾配を有する状態に形成する方法を説明する。まず第１の工程として、通常のレジスト塗布技術によって、各転送電極２２，２３を覆う状態に、イオン注入マスクを形成する膜になるレジスト膜１２を成膜する。続いて通常のホトリソグラフィーによって、上記転送電極２２，２３のうち、例えば転送電極２２にオーバラップする状態に、上記レジスト膜１２の２点鎖線で示す部分を除去して、マスクパターン１３を形成する。
【００１４】次いで図３の（２）に示すように、第２の工程を行う。この工程では、リフロー処理によって、マスクパターン１３を軟化させることによって変形させ、当該マスクパターン１３の表面張力を利用して、端面１４を変形加工して傾斜面に形成する。この傾斜面は、例えば３０°程度の傾斜角度を有するように形成する。このようにしてイオン注入マスク１５を形成する。
【００１５】続いて図３の（３）に示すように、第３の工程を行う。この工程では、上記形成したイオン注入マスク１５を用いた通常のイオン注入法によって、例えば不純物１７としてホウ素（Ｂ+ ）を、上記半導体基板１１に導入する。このとき、転送電極２２，２３もイオン注入マスクの作用をする。そして半導体基板１１の上層に濃度勾配を有する転送領域１８を形成する。
【００１６】その後イオン注入マスク１５を、例えばアッシャー処理により除去する。次いで図３の（４）に示すように、例えば熱酸化法によって、転送電極２２，２３の各表面に絶縁膜２４を形成する。続いて例えば通常の化学的気相成長法によって、上記ゲート絶縁膜２１と上記絶縁膜２４との上面に２層目の電極形成膜（２５）を成膜する。その後通常のホトリソグラフィーとエッチングとによって、２層目の電極形成膜（２５）の２点鎖線で示す部分を除去して、転送電極２６，２７を形成する。上記のようにして、ＣＣＤ素子２０は形成される。
【００１７】上記方法では、イオン注入マスク１５の端面１４を傾斜面に形成したことにより、イオン注入マスク１５の厚さは、図の（３）に示すように、その端部１６より徐々に厚くなる、このため、ある一定以上の厚さを有する部分のイオン注入マスク１５で覆われている半導体基板１１には不純物１７が導入されない。またイオン注入マスク１５が徐々に薄くなるにしたがって、半導体基板１１に導入される不純物濃度は濃くなる。この結果、図４に示すように、転送領域１８のポテンシャルは勾配を有する。よって、この部分における電荷の転送効率は向上する。したがって、ＣＣＤ素子２０の転送効率が向上する。図４の縦軸はポテンシャルを示し、その横軸はＣＣＤ素子２０の転送領域の位置を示す。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、第１転送電極及び第１転送電極間の領域の転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成し、このレジストパターンをリフローして、第１転送電極間の領域において、転送領域の上流側で薄く下流側で厚いイオン注入マスクをし、このイオン注入マスクを用いて第１転送電極間の領域に不純物領域を形成するので、半導体基板に形成した不純物導入領域の不純物濃度は、転送領域の上流側で濃く、下流側で薄くなるように、転送領域の転送方向に濃度勾配を有する分布になる。この結果、例えばＣＣＤ素子の転送領域を、濃度勾配を有する状態に形成することが可能になるので、ＣＣＤ素子の転送効率の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】イオン注入マスクの製造工程図である。
【図２】不純物濃度分布の説明図である。
【図３】ＣＣＤ素子の転送領域の製造工程図である。
【図４】ＣＣＤ素子のポテンシャルの説明図である。
【図５】従来例の製造工程図である。
【図６】課題の説明図である。
【符号の説明】
１１ 半導体基板
１２ レジスト膜
１３ マスクパターン
１４ 端面
１５ イオン注入マスク
１７ 不純物
１８ 転送領域
２０ ＣＣＤ素子
２２ 転送電極
２３ 転送電極
２６ 転送電極
２７ 転送電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成されることを特徴とする電荷結合素子の製造方法。
【請求項２】 前記不純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾配をもって形成されることを特徴とする請求項１記載の電荷結合素子の製造方法。
【請求項１】 半導体基板の転送領域上に所定の間隔で第１転送電極を複数形成する工程と、前記第１転送電極及び前記第１転送電極間の領域の前記転送領域の下流側の一部のみを覆うようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをリフローして、前記第１転送電極間の領域において前記転送領域の上流側で薄く、下流側で厚いイオン注入マスクを形成する工程と、前記イオン注入マスクを用いて前記第１転送電極間の領域に不純物領域を形成する工程と、前記イオン注入マスクを除去して前記第１転送電極間の領域上に第２転送電極を形成する工程とを有し、前記不純物領域は不純物濃度が前記上流側で濃く、前記下流側で薄くなることにより前記転送領域の転送方向に濃度勾配を有するように形成されることを特徴とする電荷結合素子の製造方法。
【請求項２】 前記不純物領域のポテンシャルが前記下流側で深くなるよう勾配をもって形成されることを特徴とする請求項１記載の電荷結合素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【特許番号】特許第３１８５３３９号（Ｐ３１８５３３９）
【登録日】平成１３年５月１１日（２００１．５．１１）
【発行日】平成１３年７月９日（２００１．７．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−９３３８２
【出願日】平成４年３月１９日（１９９２．３．１９）
【公開番号】特開平５−２６７２０６
【公開日】平成５年１０月１５日（１９９３．１０．１５）
【審査請求日】平成１１年３月１８日（１９９９．３．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【参考文献】
【文献】特開 昭６２−６７８７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１６１２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−２２２１５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２９２８２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６３−２７０２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６０−１１７６３２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−５８３４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−１７９５７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平４−１９６４３９（ＪＰ，Ａ）
【登録日】平成１３年５月１１日（２００１．５．１１）
【発行日】平成１３年７月９日（２００１．７．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成４年３月１９日（１９９２．３．１９）
【公開番号】特開平５−２６７２０６
【公開日】平成５年１０月１５日（１９９３．１０．１５）
【審査請求日】平成１１年３月１８日（１９９９．３．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【参考文献】
【文献】特開 昭６２−６７８７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１６１２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−２２２１５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２９２８２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６３−２７０２４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６０−１１７６３２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−５８３４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 昭６１−１７９５７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平４−１９６４３９（ＪＰ，Ａ）
[ Back to top ]