【課題】製造コストの増加を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）オフ角を有するＳｉＣ基板１上に、ドリフト層２と、酸化膜３１と、レジスト３２とをこの順に形成する工程と、（ｂ）酸化膜３１に第１開口部３１ａを形成するともに、レジスト３２に第２開口部３２ｂを形成する工程と、（ｃ）不純物を、酸化膜３１及びレジスト３２を介してドリフト層２にイオン注入することにより、ｐ型領域１３，２３をドリフト層２の上部に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子においてゲート絶縁膜への高電界の印加を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】 トレンチ型のゲート電極と、第１〜第３半導体領域と第４半導体領域を有するスイッチング素子の製造方法。第１半導体領域は、ゲート絶縁膜に接しており、ｎ型である。第２半導体領域は、第１半導体領域の下側でゲート絶縁膜に接しており、ｐ型である。第３半導体領域は、第２半導体領域の下側でゲート絶縁膜に接しており、ｎ型である。第４半導体領域は、第２半導体領域よりも深い位置に形成されており、第２半導体領域と繋がっているｐ型の半導体領域であり、第３半導体領域を介してゲート絶縁膜に対向している。この製造方法は、アルミニウムがドープされている第２半導体領域を形成する工程と、半導体基板の中の第４半導体領域を形成すべき範囲にボロンを注入する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に関し、より詳しくは、イオンビームを基板に照射して、基板にイオンを照射する基板処理を行う基板処理装置、それを有する基板処理システムに関する。
【解決手段】基板処理装置が、一つ以上の基板が安着されたトレーが移送される移送経路の設けられた工程チャンバーと、前記移送経路に沿って移送される基板にイオンビームを照射する、一つ以上のイオンビーム照射部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】部材の位置合わせに係る工程数を減少させ、位置合わせに要する時間を短縮し、半導体製造装置の生産性を向上させる。
【解決手段】基板保持部材１は、半導体基板１１を保持する保持面を備えたベース２と少なくとも１つの開口部を有していて保持面と対向するようにベース２上に支持されたマスク９とを備えている。さらに、基板保持部材１は、保持面とマスク９との間に、半導体基板１１が挿通される基板挿通部１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の深さを調整するための膜を介して炭化珪素基板中に不純物イオンを注入することができ、かつ、炭化珪素基板上での剥離の発生を抑えることができる、炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面ＳＯを有する炭化珪素基板９０が準備される。炭化珪素基板９０の表面ＳＯ上に直接、第１の材料から作られた被覆膜５０が形成される。被覆膜５０上に、第２の材料から作られたマスク層３１が形成される。第２の材料に比して第１の材料は炭化珪素との密着性が高い。マスク層３１に第１の開口部Ｐ１が形成される。マスク層３１の第１の開口部Ｐ１を通りかつ被覆膜５０を透過するイオンビームＪ１により、炭化珪素基板９０中に第１の導電型を付与するための第１の不純物イオンが注入される。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置の使用効率を高めることによって製造効率を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にスルー部２０が形成される。半導体基板１０中へスルー部２０を介して第１のイオン注入が行われる。スルー部２０の平面視における少なくとも一部の領域において、厚さ方向においてスルー部２０が少なくとも部分的に除去される。少なくとも一部の領域において半導体基板１０中へ第２のイオン注入ＩＪ２が行われる。第１のイオン注入の注入エネルギーと第２のイオン注入ＩＪ２の注入エネルギーとは互いに等しい。 （もっと読む）

【課題】 高い位置精度でＩＧＢＴ領域にイオンを注入することができる技術を提供する。
【解決手段】 ＩＧＢＴとダイオードを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板１２のうちのＩＧＢＴが形成される半導体領域であるＩＧＢＴ領域２０の上面を覆わず、かつ、半導体基板１２のうちのダイオードが形成される半導体領域であるダイオード領域４０の上面を覆うように半導体基板１２の上面に金属層７０を形成する金属層形成工程Ｓ１２と、金属層形成工程Ｓ１２後に半導体基板１２の上面側から半導体基板１２に向けてイオンを照射するイオン照射工程Ｓ１４を有しており、製造される半導体装置１０において、前記金属層７０がダイオードの電極となる。 （もっと読む）

【課題】膜の形成によって生じる半導体基板の反りを緩和できる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０の主面上にイオン注入用マスク材１８を形成する。マスク材は半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する。レジスト膜２０をマスクとしてドライエッチングにより複数の装置形成領域の間の領域上（ダイシングライン）１４に切欠き部１６ａを有するマスク用膜１６を形成する。イオン注入などの工程を経て半導体装置を形成後、ダイシングラインに沿って各装置形成領域に分離する。 （もっと読む）

【課題】１回のリソグラフィ工程によりセルフアラインでトンネルトランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜及びゲート電極が積層された半導体基板上に第１の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第１の絶縁膜の端部に第１の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第２の絶縁膜を形成する工程と、第１及び第２の絶縁膜をマスクにゲート電極の一端を画定する工程と、第１及び第２の絶縁膜をマスクにして第１導電型不純物を半導体基板に導入しソースを形成する工程と、半導体基板全面に第１の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第３の絶縁膜を被覆する工程と、該第３の絶縁膜の一部を除去することにより該第１の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第２及び第３の絶縁膜をマスクにしてゲート電極を形成した後、第２導電型不純物を半導体基板に導入しドレインを形成する工程を含むトンネルトランジスタの製造方法。 （もっと読む）