【課題】 大きな基体への適用も容易であり、またコストの低廉化にも資し、さらに、液体原料の浸透力を利用して狭トレンチ基体上への良好な成膜が可能なアルミナ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 下記（１）〜（３）の工程を含むことを特徴とするアルミナ膜形成方法。
（１）基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミナ形成用組成物を塗布し、塗膜を形成する工程
（２）工程（１）で形成した塗膜から溶媒を除去する工程
（３）酸化性ガスの存在下、塗膜に加熱および光照射もしくはいずれか一方を行う工程 （もっと読む）

【課題】断面形状が凹状又は凸状の電極の上に形成され、段差被覆性及び配向性に優れた容量絶縁膜を実現する。また、該容量絶縁膜を有する容量素子を提供する。
【解決手段】容量素子は、（１１１）面に配向した貴金属、若しくは貴金属を主成分とする貴金属の酸化物、窒化物、又は酸窒化物からなる断面が凹状又は凸状の下部電極と、下部電極上に形成されたビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成された上部電極とを備える。容量絶縁膜は、多結晶構造を有し、且つ、（１ ０ ｍ＋１）（但し、ｍは、２以上の整数）面へ配向している。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも低屈折率で誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｍ個のＲＳｉ(Ｏ_0.5)₃ユニット（ｍは８〜１６の整数を表し、Ｒはそれぞれ独立して非加水分解性基を表し、Ｒのうち、少なくとも２つはビニル基またはエチニル基を含む基である）を有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物（Ｉ）の重合物を含む組成物。
ただし、組成物に含まれる固形分のうち、化合物（Ｉ）のビニル基同士が反応した重合物が６０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温で安定な正方晶系構造のジルコニウム酸化膜の形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する単位サイクルを繰り返し行うか、又は、単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する第１サイクルと、前記酸化剤の注入（ＥＸＴＲＡ_Ｏ₃）及びパージを連続的に実施する第２サイクルからなる単位サイクルを繰り返し行い、正方晶系のジルコニウム酸化膜を基板上に形成する製造方法であって、単原子蒸着工程の際、基板温度と、酸化剤の濃度及び酸化剤の露出条件とを調節する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを備える半導体装置に関して、膜の表面の粗さ等によるキャパシタの信頼性及び特性の劣化を抑制する。
【解決手段】基板の上にキャパシタ用の下部電極膜を形成し、前記下部電極膜上に強誘電体膜を成膜同時結晶化によって形成し、前記強誘電体膜上にダミー膜を形成し、平坦化処理を通じて前記ダミー膜と前記強誘電体膜の一部とを除去して前記強誘電体膜の表面を平坦化し、前記強誘電体膜上にキャパシタ用の上部電極膜を形成する事を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電流ヒステリシス特性が良好で順方向ゲートリークを低減させることができるガリウムナイトライド系電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０８を有するガリウムナイトライド系電界効果トランジスタ１００において、ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の一部もしくは全部が、比誘電率９以上２２以下の誘電体であり、ゲート絶縁膜１０８に接する半導体結晶層Ａ１０４と、半導体結晶層Ａ１０４に近接して、半導体結晶Ａ１０４よりも大きな電子親和力を有する半導体結晶層Ｂ１０３から構成されるヘテロ接合を有している。ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の少なくとも一部に、ＨｆＯ₂ 、ＨｆＡｌＯ、ＨｆＡｌＯＮ、又はＨｆＳｉＯ等の酸化ハフニウムを含むようにするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 厚膜であっても簡便に製造することができる多孔質膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 骨格材料で形成された骨格部と、孔源材料で形成された孔源部を有する一次膜を形成する一次膜形成工程と、前記骨格部の表面に対して反応可能な官能基と骨格部をなす原子結合を有する骨格強化化合物を前記一次膜に１００℃〜５００℃の範囲内の温度で接触させる接触工程と、前記一次膜から孔源材料を除去する除去工程を備える。前記一次膜形成工程において、前記骨格材料の基になる骨格原料の分子数をＡ、前記孔源材料に含まれる親水性の官能基数をＢ、多孔質膜の膜厚をＴ（単位μｍ）とするとき、下記式(1) を満足するように骨格原料、孔源材料の各量を調整する。
Ｂ／Ａ＞０．８３＋０．５４ｌｏｇＴ……(1) （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を容易に効率よく製造する強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置を提供する。
【解決手段】ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 （もっと読む）