【課題】高速動作可能で耐水性に優れ、信頼性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】配線となる第１の銅の導電層５を有する第１の絶縁層２０と、配線となる第３の銅の導電層１３を有する第３の絶縁層２２とが、第１の銅の導電層５と第３の銅の導電層１３を連通する第２の銅の導電層１０を有する第２の絶縁層２１を介して半導体基板１表面上に積層され、上記第１の絶縁層２０、第２の絶縁層２１および第３の絶縁層２２の少なくともいずれかが、無機または有機材料の分子中に、ボラジン骨格系構造を有する低誘電率材料を用いた絶縁材料からなる。 （もっと読む）

基板上のアノード層と、該アノード層上の有機層と、該有機層上のカソード層とを備えた有機エレクトロルミネセント装置。一実施形態において、カソード層は、該カソードの上に保護層を堆積する前にＨ_２プラズマを受ける。別の実施形態では、有機エレクトロルミネセント装置は、カソード層上の内側カプセル化層と、該内側カプセル化層上の外側カプセル化層とでカプセル化される。内側層は、カソード層へ付着するのに最適とされる。
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【課題】 シリコン酸化膜換算の膜厚変動が少ないゲート絶縁膜の形成を実現し、特性上のばらつきが少ないＭＯＳ型トランジスタを含む半導体装置の製造を可能とする半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板の表面上に、絶縁性材料から成る膜を堆積する工程と、前記膜の膜厚、あるいは膜厚および組成を測定する工程と、測定された結果に基づいて、窒化条件または酸化条件を設定する工程と、設定された前記窒化条件または前記酸化条件に基づいて、前記膜に窒化処理または酸化処理を行う工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ドーパントであるボロンの突き抜け防止のために、高誘電膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）中に入れる窒素が、Ｈｉｇｈ−ｋ膜とシリコン基板との界面に達するのを防止する。
【解決手段】 シリコン基板４００上のシリコン酸化膜４１１を酸化処理した後、その上にＨｉｇｈ−ｋ膜４１２を形成する。このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。その後、プラズマ活性化された窒素含有ガスによりシリコン窒化膜４１３を窒化処理してＨｉｇｈ−ｋ膜４１２の表面を窒化する。 （もっと読む）

【課題】配線上にＳｉＣＮ膜を有する半導体装置において、ＳｉＣＮ膜から流出する不安定なＮによるレジストポイゾニングの発生を低減する。
【解決手段】ＳｉＣＮ膜を有する半導体装置の製造方法において、ＳｉＣＮ膜成膜時に一部に有機基を有する原料ガスとＨｅの流量比を１：４．２以上にする。または原料ガスの流量×原料ガスの有機基との結合数とＨｅの流量比を１：１．４以上にする。その結果、ＳｉＣＮ膜中のＳｉＮＨ基の増加を抑制し、膜ストレス変化とポイゾニング不良の発生を合わせて抑制することが半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。続いて、前記トンネル絶縁膜を有する半導体基板を原子層蒸着装置内に入れて、原子層蒸着工程サイクルを進行して前記トンネル絶縁膜上にナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルを有する半導体基板上に制御ゲート絶縁膜を形成して、前記制御ゲート絶縁膜を有する半導体基板上に制御ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜に適し、かつ高い成膜速度が得られるアルキルテトラゾール誘導体及び該誘導体を用いた窒素含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】アルキルテトラゾール誘導体は、ＭＯＣＶＤ法用原料であって、次の式（１）で表される。但し、式（１）のＲは水素又は炭素数１〜５の直鎖若しくは分岐状アルキル基である。また、窒素含有膜の製造方法は、上記アルキルテトラゾール誘導体を用いてＭＯＣＶＤ法用により窒素含有膜を製造することを特徴とする。
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連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。
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【課題】直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】第１の素子形成領域５１及び第２の素子形成領域５２に区画された半導体基板１１上に、酸化膜からなる第１のゲート絶縁膜１３Ａを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ａの第２の素子形成領域５２に含まれる部分を除去し、半導体基板１１に対して酸窒化性雰囲気で熱処理を行なうことにより、第２の素子形成領域５２上に膜厚が第１のゲート絶縁膜１３Ａよりも小さい酸窒化膜からなる第２のゲート絶縁膜１５Ｂを形成する。次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Ｗの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。 （もっと読む）