【課題】 バンプ頂部と基板の電極部との間に接着剤が残ることを防ぎ、良好な電気的接続が得られる形状を持った半導体素子用バンプ及びそのバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子１の全面にネガ型感光性ポリイミド３０を塗布し、次にパッド２の中心部にのみ開口する小さな開口部１０を有するフォトマスク１１を用いてネガ型感光性ポリイミドを露光し、次いでネガ型感光性ポリイミドを途中まで現像し、以後前記開口部よりは順次大きい開口部１３を有するフォトマスク１４を用いてネガ型感光性ポリイミド３ａを露光することとネガ型感光性ポリイミドを途中まで現像することを少なくとも１回繰り返し、最終の現像は最後まで行って階段状凸形のポリイミドバンプ１６を形成し、然る後この階段状凸形のポリイミドバンプの外表面に導電膜１７を形成するバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はリードレス表面実装型でかつ樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法、及びこの半導体装置を製造するために用いるリードフレーム及びその製造方法に関し、実装面積が小さく、コストが低く、かつ小型化を図ることを課題とする。
【解決手段】半導体素子１１と、この半導体素子１１を封止する樹脂パッケージ１２と、この樹脂パッケージ１２の実装側面１６に突出形成された樹脂突起１７８と、この樹脂突起１７に配設された金属膜１３と、前記半導体素子１１上の電極パッド１４と金属膜１３とを電気的に接続するワイヤ１８とを具備した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 バンプの高さや形状を常に一定とできるバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】 回路を形成した半導体基板の主面に設けた下地電極上にバンプを形成するバンプ形成方法であって、前記基板１の主面にホトレジスト膜６を形成する工程と、前記ホトレジスト膜６を選択的に除去して前記下地電極上に穴７を設ける工程と、前記基板をスピンコータのスピンナ１０上に取り付けるとともに前記基板主面に金属ペーストを滴下させ前記スピンナ１０を高速で回転させて前記穴内にのみ金属ペースト１１を充填する工程と、前記金属ペーストをプリベークする工程と、前記基板の主面のホトレジスト膜６を除去する工程と、前記基板をアニール処理して前記金属ペースト１１を焼成してバンプとする工程とを有する。前記金属ペーストは粘度が８５ｃｐ程度以下の超微粒子ペーストとなっている。 （もっと読む）

【目的】 複数の半導体チップを電気的，機械的に接合するためのＩｎバンプの形成方法において、アスペクト比（バンプの高さ／バンプの径）が大きく、かつ均一な高さのＩｎバンプを形成する。
【構成】 Ｉｎメッキ成長を行う２層目レジストパターン５の開口６，７の開口径を配列の中心から周囲に向かって徐々に小さくする。
【効果】 メッキ電流の流れやすさに起因するメッキ反応の促進と、イオンの拡散に起因する反応の抑制を相殺し、反応の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 溶融時高粘度を示す材料を所定形状に成形する際に、迅速かつ正確に供給し、作業性良く形成し得る成形方法を提供する。
【解決手段】 成形型内部で迅速な加熱冷却サイクルを達成するために、成形型自体を熱伝導性に優れ、型外部から成形用凹部を型材料を介して加熱および冷却を行えるように構成したことを特徴とし、これにより、溶融時に高粘性を示す高粘度材料を成形するにあたり、高配向性グラファイト材料で製造された成形型を用意し、該型内の成形用凹部に高粘度材料を非溶融状態で供給し、上記型を介して外部から上記成形用凹部内にある高粘度材料を加熱溶融し、上記型を介して溶融した高粘度材料を冷却して所望形状に成形することができるようになった。 （もっと読む）

【目的】均一な大きさであるとともに、均質なはんだバンプを形成することができるはんだバンプ形成方法を提供すること。
【構成】複数の電極１１が設けられた半導体基板１０の電極１１にそれぞれはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、少なくとも電極１１上にはんだ２０を供給する供給工程と、供給されたはんだ２０を半導体基板１０からのそれぞれの高さが所定高さになるように研磨する研磨工程と、はんだ２０ａを加熱溶融することによってはんだバンプ２１を形成するバンプ形成工程とを具備している。 （もっと読む）

【目的】半導体ウエハの周縁部にメッキが析出するのを防止し、異種金属の接触による表面電極の溶解を防止した半導体ウエハ用メッキ治具を提供する。
【構成】半導体ウエハ１の表面電極２が露出された周縁部５を、絶縁保持板１０と絶縁挾持板１４ａ、１４ｂとで挾持し、この絶縁挾持板に形成した開口部１５より上記半導体ウエハの上記周縁部を除く表面を露出させ、上記半導体ウエハの周縁部、およびこの周縁部に接触されるメッキ用電極１９ａ、１９ｂをシール部材１７ａ、１７ｂで覆ってメッキ液との接触を防止する。これにより、半導体ウエハの周縁部にメッキ層が形成されるのが防止され、かつメッキ用電極もメッキ液に接触するのが防止されて、異種金属の接触による表面電極の溶解を防止することができる。 （もっと読む）

【目的】 フリップチップ用接続ボールの粒径のばらつきを低減させ、半導体チップと基板の接合信頼性を向上させる。
【構成】 フリップチップ用接続ボール１を、微細粒体２とその上に無電解メッキ法により形成したＳｎ又はＰｂ−Ｓｎ系メッキ被膜３とから構成する。 （もっと読む）

【目的】ＢＧＡパッケージとＴＡＢテープキャリアとを組合わせることによって、高放熱性で、電気特性に優れ、しかも小型化してＭＣＭへの組込みを可能にする。
【構成】ＬＳＩチップ６をＴＡＢ接続したＴＡＢテープキャリアに、導電性ビアホール９を設ける。ＬＳＩチップを接続したＴＡＢテープキャリア面と反対側の裏面のビアホール９の端部に、はんだボール５を形成する。ハンダボール５は、印刷リフロー法、あるいはボール振込法によって形成する。必要に応じて、ＴＡＢテープキャリアの外周部に、機械強度及び平坦性を維持するための方形の補強枠を設ける。 （もっと読む）

【目的】 バンプの抵抗の増大、Ａｌパッドとの密着強度の低下を防止する為に、厄介で困難な残渣・残留物の除去を簡単に行い、またポリイミドの保護膜が、後のポリイミドバンプの作成時に現像液で侵されず、またその後のキュア時にクラックが入ることのないバンプ製造方法を提供する。
【構成】 相互に電気的導通をとるウェハーの半導体素子と実装基板のいずれかの面に電極が形成されているその表面に、感光性ポリイミドを塗布し、乾燥し、電極に対して露光し、現像し、キュアしてポリイミドバンプを形成した後、アッシング処理を行う。またウェハーのＡｌパッドを有する半導体素子上に感光性ポリイミドを塗布し、露光し、現像して、Ａｌパッドを周縁以外に露出し、然る後バンプ用感光性ポリイミドの現像液に侵されない温度でキュアし、保護膜を作成する。 （もっと読む）