【目的】 複合バンプ構造体とその形成方法を提供すること。
【構成】 この複合バンプ構造体は集積回路要素又は基板３０の入出力パッド２６に形成された導電性金属被膜３６によって覆われた、金属に比べて比較的低いヤング率を有するポリマー体３２を含む。この複合バンプは物質付着方法、リトグラフィー方法及びエッチング方法を用いて形成される。その後の加工のために望ましい場合には、複合バンプ上にはんだ金属層を形成することができる。 （もっと読む）

【目的】 半導体素子をバンプにて基板又はテープにはんだ付けした際、バンプの上端部のみで基板又はテープに溶融接合し、バンプの周囲にはんだが流れず、バンプ全体がはんだで被われないようにして、半導体素子と基板又はテープとの膨張差、収縮差によって歪が発生してもその歪を吸収緩和できて、疲労破断しにくく、バンプ寿命を増長できるポリイミドバンプ、半導体素子実装用バンプ並びにそれらの製造方法、テスト方法を提供する。
【構成】 半導体素子、基板又はテープの電極上に設けられた特殊なポリイミドバンプ及びその周面及び上面に、はんだに濡れにくい導電膜が被われ、さらにポリイミドバンプの上端部の導電膜上にはんだに濡れにくい金属膜が少なくとも最外層に設けられている半導体素子用バンプ並びにそれらの製造方法とテスト方法。 （もっと読む）

【目的】 従来よりも品質ならびに信頼性の面で優れたはんだバンプの形成方法を提供する。
【構成】 樹脂封止型半導体装置を構成する回路基板１のパッド電極３にはんだボール８ａを用いてはんだバンプ８を形成する方法である。まず、パッド電極３上にはんだペースト１１を塗布する。次いで、パッド電極３上にはんだペースト１１を介してはんだボール８ａを仮付けする。続いて、はんだボール８ａをパッド電極３に溶着する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、パッドに対するバンプ電極の形成位置を特定することで、バンプ電極を形成する前後に特性試験が行え、かつバンプ電極どうしの短絡がないパッド構造を提供し、それを用いた試験方法を提供する。
【構成】 配線13を接続したもので基板11上に形成したパッド12と、それを覆う状態に形成したパッシベーション膜14と、パッド12上のパッシベーション膜14に設けた開口部15とよりなる半導体装置のパッド構造であって、バンプ電極16(16a)を隣り合うバンプ電極16(16b) と間隔を置いて、少なくとも配線13を接続する側のパッド12の露出している部分を覆う状態に設けたものである。そしてバンプ電極16を形成する前に試験装置の探針（図示せず）をパッド12に接触させて、半導体装置の特性試験を行い、バンプ電極16を形成した後に試験装置の探針をバンプ電極16に接触させて半導体装置の特性を評価する。 （もっと読む）

【目的】 半導体部品１における電極パッド２に対して、金、銀又は銅製のバンプ電極１２を、前記半導体部品１にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。
【構成】 半導体部品１における電極パッド２に対して、金、銀又は銅製の金属ボール６の表面に予め半田７を付着して成るボール体８を供給したのち、前記半田７の溶融温度で加熱・焼成する。 （もっと読む）

【目的】 ウェハー上に多数形成されたチップの電極部上に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプを形成でき、また耐衝撃性、耐応力の高い金属バンプを得るバンプ形成方法を提供する。
【構成】 ウェハー１上に多数形成されたチップの電極部４上にバンプを形成する際に、ウェハー上の全面にバリアメタル１１を被着した後、フォトリソグラフィにより電極部４位置にレジスト膜を形成し、次にバリアメタルをエッチングした後レジスト膜を剥離し、ポリイミド前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによりパッシベーション膜を形成し、ポリイミド前駆体を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置の周囲にポリイミド前駆体を残存し、ポリイミドキュアにより枠状ポリイミドバンプ１６を形成した後、この枠状ポリイミドバンプ１６内に金属バンプ１７を形成する。 （もっと読む）