この発明は、単結晶チョクラルスキー型シリコンインゴットウエハ、及び安定化された酸素析出核形成中心の不均一な分布を有するそのような単結晶チョクラルスキー型シリコンインゴットウエハの製造方法に関する。特に、ピーク濃度はウエハバルク部に位置しており、析出物のない領域は表面から内側へ延びている。

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【課題】 珪素の結晶化を助長する触媒を効率的の除去または低減するための技術を提供する。
【解決手段】 珪素を含む非晶質膜１０３の上に開口部１０５を有した絶縁膜１０４を形成する。この開口部１０５から触媒元素が導入されて非晶質膜１０３の結晶化が行われる。結晶化後、再び絶縁膜１０４をマスクとして１５族から選ばれた元素を導入し、リン添加領域１１０を形成する。ここが触媒元素のゲッタリングサイトとなるため、触媒元素が除去または低減された横成長領域１１１が得られる。 （もっと読む）

【課題】 高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。
【解決手段】 非晶質珪素膜２０３の特定の領域２０５に選択的にニッケル元素を接して保持させる。そして加熱処理を施すことにより、２０７で示されるような基板に平行な方向への結晶成長を行わせる。さらにハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すことにより、熱酸化膜２０９を形成する。この際、結晶性の改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。そして上記結晶成長方向とソース／ドレイン領域との結ぶ方向とを合わせて薄膜トランジスタを作製する。こうすることで、移動度が２００(cm²／Vs) 以上、Ｓ値が１００(mV/dec)以下というような高い特性を有するＴＦＴを得ることができる。 （もっと読む）

【目的】 高いスループットで多結晶シリコン薄膜トランジスタの水素化を可能にする。
【構成】 水素を含んだガス５１を容器５３の中に流し、基板支持台５７に搭載した多結晶シリコン薄膜トランジスタ５６を基板加熱ヒータ５８を用いて熱処理を行う。この場合、Ｎ₂ にＨ₂ を約２５％混ぜた雰囲気中で約４３０℃で２０分間の熱処理（第１の工程）を行った後、同じ雰囲気中で約２時間かけて約２００℃まで降温しながら、熱処理（第２の工程）を行って水素化を行う。 （もっと読む）

【構成】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものである。
【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。 （もっと読む）