ペレットの製造方法

【構成】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って有底の溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものである。
【効果】上記構成を有する従来のように裏面研削工程にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。

【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＶＬＳＩ（ＶｅｒｙＬａｒｇｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置に用いられるペレットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ダイナミックＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）など多くのＶＬＳＩは、接合リーク電流が低くならなければならない。狭いベース幅のバイポーラトランジスタは不純物の析出に敏感であり、エミッタとコレクタ間がショートした状態となる（これは“パイプ効果”と呼ばれる。）。とくに、遷移金属などの金属不純物は、このような効果を起こしやすい。これらの元素は、格子間あるいは置換型に位置し、発生再結合中心となる。これらの不純物の析出相はシリサイドであり、電気的導電性をもつ。素子領域からこれらの不純物を除去するために、「ゲッタリング」処理とよばれる数多くの方法がある。すなわち、「ゲッタリング」とは、素子領域から有害な不純物や欠陥を取除く工程の一般的な名称である。それによって、素子製造工程中に混入する不純物を吸収するシンクをもったシリコン基板を得ることができる。
【０００３】この「ゲッタリング」としては、欠陥を外部から人為的に基板に付与するエクストリンシック・ゲッタリング（ＥｘｔｒｉｎｓｉｃＧｅｔｔｅｒｉｎｇ）法と、基板内部に微小欠陥を導入するイントリンシック・ゲッタリング（ＩｎｔｒｉｎｓｉｃＧｅｔｔｅｒｉｎｇ）法とがある。
【０００４】このうち、上記エクストリンシック・ゲッタリング法は、デバイス形成領域とは反対側の基板裏面に格子歪を与えるものである。この格子歪の付与方法との一例を図６〜図８に示す。すなわち、この方法は、まず基板ＡのパターンＢを形成した表面側に、パターンＢを保護するための保護テープＣを貼付する（図６参照）。つぎに、厚さｄだけ基板ＡのパターンＢを形成していない裏面側を研削加工により除去する（図７参照）。さらに、ダイシング加工によりペレットの輪郭に沿って溝を刻設する（図示せず。）
【０００５】しかしながら、この裏面研削方法によれば、ペレット厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以上となると、裏面研削加工後、チャックより基板を着脱する際に基板割れが発生したり、あるいは、ダイシング加工時にハンドリングミスにより基板割れが発生してしまう結果、歩留低下の一因となる欠点をもっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の半導体装置用のペレットの製造方法において、ペレット厚さ２００μｍ以下、基板の直径が６″以上となると、裏面研削加工後、チャックより基板を着脱する際に基板割れが発生したり、あるいは、ダイシング加工時にハンドリングミスにより基板割れが発生してしまう結果、歩留低下の一因となる欠点をもっている。
【０００７】この発明は、上記事情を顧慮してなされたもので、上述した従来の半導体装置の製造方法がもっている技術的課題を解決し、歩留を改善できるペレットの製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のペレットの製造方法は、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたものである。
【０００９】
【作用】上記構成のペレットの製造方法によれば、従来のように裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなり、ダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
【００１１】図１〜図５は、この実施例のペレットの製造方法を示している。このペレットの製造方法は、例えば厚さ６００μｍのシリコン基板１のパターン２形成面（シリコン基板１の表面）側にペレット３…の分割予定境界線に沿って幅が例えば５０μｍの有底の溝４…をダイシング装置により刻設する溝入れ工程（図１参照）と、溝入れ工程後にシリコン基板１の洗浄並びに乾燥処理を行い溝入れ工程にて発生した研磨屑を除去する洗浄工程と、この洗浄工程後にシリコン基板１のパターン２形成面にこのパターン２を保護するための保護テープ５を貼着する保護テープ貼着工程（図２参照）と、この保護テープ貼着工程後にシリコン基板１の保護テープ５側をチャックにより真空吸着しシリコン基板１の裏面を研削する裏面研削工程（図３参照）と、この裏面研削工程後にシリコン基板１の裏面側にマウンティング用テープ６を貼着するマウンティング用テープ貼着工程（図４参照）と、このマウンティング用テープ貼着工程後に前記保護テープ５をシリコン基板１の表面側から剥離する保護テープ剥離工程（図５参照）と、この保護テープ剥離工程後にマウンティング用テープに一体的に付着している各ペレット３…を図示せぬリードフレームの所定部位に一個ずつマウンティング用テープから分離して載置するペレット固着工程（図示せず）とからなっている。しかして、溝入れ工程は、ダイシング装置によりペレット３…の寸法（例えば縦１０ｍｍ，横１０ｍｍ）に応じて格子状に溝入れする。各溝４…の深さＤ１（例えば２２０μｍ）は、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１（例えば２００μｍ）よりも例えば２０μｍ〜２５μｍ程度大きくなるように設定する。一方、裏面研削工程における除去量Ｔ２は、この除去量Ｔ２と、裏面研削工程後のシリコン基板１の厚さＴ１との和が、加工前のシリコン基板１の厚さＴ３に等しくなるように例えば４００μｍに設定する。したがって、裏面研削工程後においては、溝４…はシリコン基板１の裏面側に開口する。その結果、各ペレット３…は分離し、切り離しが可能な状態となる。さらに、上記溝入れ工程に用いられるダイシング装置の砥石車は、例えばメッシュサイズが、＃２０００／＃３０００のダイヤモンド砥粒を含有するものであって、例えば切込み量３００μｍ，回転速度毎分５０００ｍでダイシングするようになっている。また、前記裏面研削装置は、例えばメッシュサイズが、＃１０００／＃１５００のダイヤモンド砥粒をビトリファイド結合剤にて結合したカップ型砥石により平面研削するものである。
【００１２】以上のように、この実施例のペレットの製造方法によれば、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板１の表面側にペレット３…の分割予定境界線に沿って溝４…を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板１の裏面の除去と同時に溝４…を裏面に連通させ、各ペレット３…を分離させるようにしたので、従来のように裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなる。したがって、この実施例のペレットの製造方法においては、このダイシングする際に発生するシリコン基板１の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板１が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板１の厚さが薄めである場合に顕著に奏効する。さらに、ダイシング装置による溝入れの切込み精度は従来に比べ悪くてもよい。さらにまた、裏面研削の仕上げ工程では、ペレット状で研削するため、研削液の回り込みがよくなり、研削性能が改善される。これらの諸効果が相俟って、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大である。
【００１３】
【発明の効果】本発明のペレットの製造方法によれば、あらかじめ溝入れ工程において、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を刻設し、裏面研削工程によるシリコン基板の裏面の除去と同時に溝を裏面に連通させ、各ペレットを分離させるようにしたので、従来のように裏面研削工程後にハンドリングし直してダイシングする必要がなくなる。したがって、この発明のペレットの製造方法においては、このダイシングする際に発生するシリコン基板の割れを防止することができる。このことは、シリコン基板が大口径である場合とか、裏面研削後のシリコン基板の厚さが薄めである場合に顕著に奏効し、その結果、裏面研削加工工程の歩留向上、作業能率改善に寄与するところ大となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のペレットの製造方法の溝入れ工程を示す図である。
【図２】本発明の一実施例のペレットの製造方法の保護テープ貼着工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施例のペレットの製造方法の裏面研削工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例のペレットの製造方法のマウンティング用テープ貼着工程を示す図である。
【図５】本発明の一実施例のペレットの製造方法の保護テープ剥離工程を示す図である。
【図６】従来のペレットの製造方法の保護テープ貼着工程を示す図である。
【図７】従来のペレットの製造方法の裏面研削工程を示す図である。
【符号の説明】
１：シリコン基板，３：ペレット，４：溝，５：保護テープ。

【特許請求の範囲】
【請求項１】基板の表面側のペレット分割予定に従って有底の溝を形成する溝入れ工程と、この溝入れ工程後に上記基板の表面側を保持し上記基板の裏面側を少なくとも上記溝の底部が開口し上記ペレットが形成されるまで研削する裏面研削工程とを具備することを特徴とするペレットの製造方法。
【請求項２】有底の溝の研削による取りしろは、２０〜２５μｍであることを特徴とする請求項１記載のペレットの製造方法。
【請求項３】基板の裏面側には、研削によりゲッタリングのための格子歪が形成されることを特徴とする請求項１記載のペレットの製造方法。

【図１】