【課題】さまざまな偏光特性を持つ電磁波、光波の存在下においても、テラヘルツ信号を正確に受信するテラヘルツ受信素子を提供する。
【解決手段】本発明のテラヘルツ受信素子は、２つの電界効果型トランジスタＦＥＴ−Ａ、ＦＥＴ−Ｂと、アンテナとしての２本のゲートワイヤ１２、１２’と、差分回路２１とを有し、前記２本のゲートワイヤ１２、１２’のそれぞれは、対応する電界効果型トランジスタに電気的に接続され、２つの電界効果型トランジスタへの２つのゲートワイヤ１２、１２’の取り付け方向のなす角度は０°以外の一定の角度であり、差分回路２１は、２つの電界効果型トランジスタのドレイン部から出力される２つの信号の差分を算出し、受信信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型ＨＦＥＴの閾値電圧の簡易な調整方法を提供すること。
【解決手段】ｉ−ＡｌＧａＮ層１２のゲート電極１５を形成する領域のみを開口させたパターンのマスク１７を形成する。開口されたｉ−ＡｌＧａＮ層１２の領域に、ＣＦ₄ ガスプラズマを照射し、ダメージ層１６を形成する（図２（ｃ））。ＣＦ₄ ガスプラズマの照射時間によってダメージ層１６の厚さを調整することで、実質的なｉ−ＡｌＧａＮ層１２の厚さを調整することができ、これにより閾値電圧を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体層１と、窒化物半導体層１上に設けられた電極と、を備え、電極は、窒化物半導体層１上に設けられた第一金属層２と、第一金属層２上に設けられた第二金属層３と、前記第二金属層３上に設けられた第三金属層４と、を備え、第一金属層２は第二金属層３よりも窒化物半導体層１との高い密着性を有する金属を含み、第二金属層３は第一金属層２よりも低抵抗で窒化物半導体層１に対してオーミック性を有する金属を含み、第三金属層４は水素よりもイオン化傾向の小さい金属を含むことを特徴とする、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電極からのリーク電流を防止できる電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。これにより、従来の熱処理によりドレイン電極にオーミックコンタクトを形成する場合と異なり、ドレイン電極１０９下へメタルが侵入することを回避できる。よって、このメタル侵入が発生するために生じるリーク電流を低減することが可能であり、電界効果型トランジスタにおける破壊電圧を向上できる。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体からなるＨＦＥＴの製造方法において、素子分離領域を容易に形成する方法を提供すること。
【解決手段】ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面側からレーザーを照射して、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域を囲うようにして溝１５を形成する（図２（ｃ））。溝１５の深さは、ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面からｉ−ＧａＮ層１１に達する深さとする。この溝１５によってｉ−ＡｌＧａＮ層１２が取り除かれたため、この取り除かれた領域において２次元電子ガス層が消滅する。その結果、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域は、溝１５による素子分離領域によって電気的に分離される。 （もっと読む）

平行伝導を改善する量子井戸デバイスを提供する方法及び装置の実施形態が主に記載される。その他の実施形態についても、記載及び特許請求される。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能で、かつ、高密度化が容易な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作と同等の動作をする還流ダイオードと、還流ダイオードに並列接続されたキャパシタ２１０及び抵抗２２０を有する半導体回路２００とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体１１をキャパシタ２１０の一方の電極とし、半導体基体１１の一主面上の所定エリアに、所定エリアの面積よりも大きい表面積を有して設けられた誘電体領域１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】静電容量と抵抗の値が異なる複数のスナバ回路を用意する必要がなく、且つ逆バイアス時に還流ダイオードに発生する振動現象の収束時間を短縮できる半導体装置及び電力変換装置を提供する。
【解決手段】アノード端子３００とカソード端子４００からなる一対の接続端子と、一対の接続端子間に接続されたユニポーラ動作する還流ダイオード１００と、一対の接続端子間に還流ダイオード１００と並列接続され、少なくともキャパシタ２１０と抵抗２２０を含む半導体スナバ回路２００と備え、半導体スナバ回路２００のキャパシタ２１０と抵抗２２０の値が可変である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置の表面安定化を実現し、これにより、電流コラプスを抑制した窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体からなるキャリア走行層１０３と、キャリア走行層１０３の上方に設けられた第２の窒化物半導体からなるキャリア供給層１０４と、キャリア走行層１０３とオーミック接触するソース電極１０６及びドレイン電極１０７と、キャリア供給層１０４の上方に設けられたゲート電極１１０とを備え、ゲート電極１１０とドレイン電極１０７との間において、キャリア供給層１０４の表面の少なくとも一部が、構成元素として窒素元素を含む窒化物絶縁膜で覆われ、窒化物絶縁膜において、窒素元素の含有量が他の構成元素の含有量の合計よりも多い。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、キャパシタと抵抗との直列接続からなり、還流ダイオードに並列接続された半導体回路とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体の上面に接して設けられた容量低下防止領域１００１と、容量低下防止領域１００１上に設けられ、キャパシタ２１０の少なくとも一部として機能するキャパシタ誘電体膜１２とを備え、容量低下防止領域１００１が、還流ダイオードに逆バイアス電圧が印加された際に半導体基体１１中への空乏層の伸張を緩和する。 （もっと読む）