国際特許分類[H01L21/52]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | サブグループ21/06〜21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立 (13,682) | 容器中への半導体本体のマウント (2,546)
国際特許分類[H01L21/52]に分類される特許
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半導体装置
密着型リニアセンサー
【目的】 基板とリニアセンサーチップとの膨張率が異なるものであっても、温度変化等による伸縮差でリニアセンサーチップ内に発生する応力を緩和し、かつ2本のリニアセンサーチップが基板に対して位置ずれしない密着型リニアセンサーを提供することを目的とする。
【構成】 基板2上に設けた第1のリニアセンサーチップ3と、一端41をこの第1のリニアセンサーチップ3に対向させ、かつその長辺方向と略平行に第2のリニアセンサーチップ4を設ける。そして、この第1、第2のリニアセンサーチップが対向する一端31、41を基板2上に接着する第1の樹脂と、各他端32、42を基板2上に各々接着する第2の樹脂とから成るものであって、第1の樹脂としてエポキシ樹脂5を、第2の樹脂として第1の樹脂より軟質なゴム系接着剤6を用いたものから成る。
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配線基板
【目的】 電子部品例えば半導体チップと配線基板の接続部分における高さを、短絡現象を生じさせることなく十分に確保できるようにして、配線基板の高密度実装、多機能化を促進させる。
【構成】 絶縁性基材1上に導体層をパターニングして配線パターンと共にランド2を形成した後、ランド2以外の部分にソルダーレジスト3を被覆・形成し、このランド2上にめっき等の析出法やスタッドバンプ等を用いて選択的に高融点金属等4を形成する。そして、この高融点金属等4上にめっき等の析出法やDiP、スタッドバンプ等を用いて低融点金属等5を形成して構成する。
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半導体装置
異方導電フィルム
インダクタンスが減少し、ダイ接着剤の流出が減少した半導体ダイパッケージ
例示的な一実施例では、構造は、上面を有する基板(301)と、基板(301)の上面上に位置するダイ取付パッド(302)とを含む。ダイ取付パッド(302)は、ダイ取付領域(311)と、ダイ取付領域(311)に電気的に接続された少なくとも1つの基板接地パッド領域(313a)とを含む。ダイ取付パッド(302)はさらに、ダイ取付領域(311)と少なくとも1つの基板接地パッド領域(313a)との間に、ダイ接着剤止め(339)を含む。ダイ接着剤止め(339)は、パッケージング中、少なくとも1つの基板接地パッド領域(313a)へのダイ取付接着剤の流出(315)を調節および制限するよう作用し、そのため、少なくとも1つの基板接地パッド領域(313a)をダイ取付領域(311)により近づくよう動かすことができ、そのため、パッケージング中、少なくとも1つの基板接地パッド領域(313a)をダイワイヤボンドパッド(314a)に接続するために、より短いボンドワイヤ(326a)が使用され得る。
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