【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁化固着層、前記スペーサ層を構成する前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第２の金属層が前記絶縁層に変換された後の絶縁層、並びに前記第３の非磁性金属層の少なくとも一箇所に、イオン、またはプラズマを照射して、各層間の密着性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】酸素雰囲気下での熱処理に起因したコンタクト不良の発生を防止可能なスタック型メモリセル構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板(101)上の第１の導電層(103a)及び第２の導電層(103b)と、第１の絶縁膜(104)と、第１のプラグ(106a)及び第２のプラグ(106b)と、第１のプラグ(106a)と電気的に接続する第１の金属膜(107a)と、第２のプラグ(106b)と電気的に接続する第２の金属膜(107b)と、第２の金属膜(107b)を露出する開口部(109a)を有する金属酸化膜(109)と、金属酸化膜(109)上に形成された第３の金属膜(110)とを備える。第２の金属膜(107b)は、開口部(109a)を介して第３の金属膜(110)と接続しており、第２のプラグ(106b)の上には、第２の金属膜(107b)及び金属酸化膜(109)が存在している。 （もっと読む）

【課題】 誤書き込み耐性が高く、書き込み電流の小さな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、半導体基板１の表面の上方に設けられ、方向を固定された磁化を有する、磁化固定層１１を含む。第１磁化可変層１３は、磁化固定層の上方に設けられ、方向が可変の磁化を有し、半導体基板の表面と角度を有する平面上で半導体基板の表面に対して平行でなく且つ直交しない方向に沿った磁化容易軸を有する。
第２磁化可変層１５は、第１磁化可変層の上方に設けられ、外磁場が印加されていない状態で第１磁化可変層と反強磁性結合する磁化を有する。第１書き込み線３は、第２磁化可変層の上方において第２磁化可変層と電気的に接続され、平面を貫く方向に延びる。第２書き込み線４は、第１磁化可変層および第２磁化可変層の少なくとも一方に面し、半導体基板の表面と平面に沿い且つ第１書き込み線と直交する方向に延びる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの電気的特性を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に第１層間絶縁膜１１、結晶性導電膜２１、第１導電膜２３、強誘電体膜２４、及び第２導電膜２５を順に形成する工程と、第２導電膜２５の上に、導電性カバー膜１８を形成する工程と、導電性カバー膜１８の上にハードマスク２６ａを形成する工程と、ハードマスク２６ａをエッチングマスクとして用いながら、ハードマスク２６ａから露出する領域の導電性カバー膜１８、第２導電膜２５、強誘電体膜２４、及び第１導電膜２３をエッチングしてキャパシタを形成する工程と、ハードマスク２６ａがエッチングされるエッチング条件を用い、該ハードマスク２６ａと、下部電極２３ａから露出する領域の結晶性導電膜２１とをエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】小さな書込み電流を用いて大きな出力信号を得ることができる磁気半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る磁気半導体メモリ装置１は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を用いて、記録された情報を読み出すＭＲＡＭであって、隣接する２つの磁気抵抗素子４・５を備えており、これら磁気抵抗素子４・５によって１つのメモリセルが形成されている。このメモリセルには、第１のビット線２ａ、第２のビット線２ｂ、およびワード線３が接続されている。この構成により、例えば、磁気抵抗素子４・５に情報の書込みを行う際に、磁気抵抗素子４・５の状態をそれぞれ高抵抗または低抵抗とする。その結果、メモリセルにおける情報の書込み時には、大きな抵抗値を得ることが可能となるので、小さな書込み電流を用いたとしても、大きな出力信号を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺回路領域２は、メモリセル領域１の周囲を囲み、メモリセル領域１を外部から遮蔽するように複数の第１の平滑キャパシタ２１が配設されてなる第１の平滑キャパシタ領域１２と、メモリセル領域１から離間した部位で複数の第２の平滑キャパシタ２２が配設されてなる第２の平滑キャパシタ領域１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁領域における膜の剥がれを防止し、この膜の剥がれに起因して発生するパーティクルによる製品歩留まりの低下を抑止する。
【解決手段】半導体基板（半導体ウエハ）１１と層間絶縁膜１２との間に、層間絶縁膜１２よりも研磨速度が小さい研磨停止膜２０を形成する。この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、層間絶縁膜１２が当該層間絶縁膜１２内に導電性プラグ１３を形成する際のＣＭＰ法による研磨によって除去された場合においても、当該研磨のストッパー（停止指標）となって半導体基板１１上に残る。そして、この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、当該半導体基板１１と酸化防止膜１４との間に介在し、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層の熱的安定性を維持しつつ、磁化反転の際の反転電流をより低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、積層面に垂直な方向に通電されることにより情報を記録する磁気抵抗素子であって、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が固定された磁化参照層１１と、膜面に対して垂直な磁気異方性を有し、かつ磁化の方向が変化する磁化自由層１３と、磁化参照層１１と磁化自由層１３との間に設けられた中間層１２とを具備し、磁化自由層１３は、少なくとも２層の強磁性層１３Ａと、強磁性層１３Ａ間に設けられた層間結合層１３Ｂとを有する積層構造であり、強磁性層１３Ａは、層間結合層１３Ｂを介して、強磁性的に結合している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの周縁領域における膜の剥がれを防止し、この膜の剥がれに起因して発生するパーティクルによる製品歩留まりの低下を抑止する。
【解決手段】 導電性プラグ１３と、当該導電性プラグ１３の酸化を防止する酸化防止膜１４との間に、半導体基板（半導体ウエハ）１１と酸化防止膜１４との間に介在した場合に両者を密着させ得る性質を有する導電性密着膜２０を形成する。これにより、半導体ウエハ１１の周縁領域においては、半導体ウエハ１１と酸化防止膜１４との間に導電性密着膜２０が形成され、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】消費電力が大幅に低減された磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】任意方向に延在する配線５の一部を覆うようにヨーク２０を配置し、配線の近傍には、配線５から生じる磁界によって情報の書込みが可能な磁気抵抗効果素子４を配置し、更に、ヨーク２０の磁気抵抗をＲ、配線５に必要な書込み電流値をＩｗとした場合に、Ｉｗ≦ａ・Ｒ＋ｂ 但し、ａ（ｍＡ・Ｈ）＝７．５Ｅ−１１、ｂ（ｍＡ）＝０．１を満たすようにした。 （もっと読む）